InGaAs PIN фотодиоды ДФД1000ТО

Краткое описание

PIN InGaAs/InP фотодиоды типа ДФД1000 созданы

для прямого преобразования оптических сигналов в
электрические в ближнем инфракрасном диапазоне.

Модель ДФД1000 разработана для использования в
волоконно-оптических

лазерных

излучателях

для

создания обратной связи и имеют конструкцию с вводом
излучения через мезаструктуру с относительно большими
активными

размерами 1000

мкм.

Фотодетекторы

ДФД1000 также используются для оптических линий
связи и различных ИК датчиков. Фотодиод поставляется

в корпусе типа ТО-18 со стеклянным окном.

Технические характеристики (Vr=-5В, 25њC)

Предельно допустимые значения

Особенности

Высокая чувствительность на 1.3 мкм и

1.55 мкм
Спектральный диапазон 0.95-1.7 мкм
Низкий темновой ток

Активный диаметр 1000 мкм
Конструкция с вводом излучения через

мезаструктуру
Корпус типа ТО-18

Области применения

Измерительная аппаратура для ВОЛС

Сенсоры
Спектроскопия
Приемные модули с предусилителем

Модель

Фоточувств.

площ.,

мкм

Спектральная

чувствительность,

А/Вт

Темновой

ток,

нА

Ёмкость,

пФ

Корпус.

исполн.

1300 нм

1550 нм

тип макс тип макс

мин тип мин тип

ДФД1000ТО-К

1000

0.75 0.85 0.80 0.90 20

35.0

Напряжение обратного смещения

10 В

Обратный фототок

3 мA

Прямой ток

5 мA

Рабочая температура

-60...+55њC

Электронный компонент: ДФД1000ТО