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Электронный компонент: BAS16

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1
) Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
1
11.03.2003
BAS 16
Surface Mount Silicon Planar
Silizium-Planar-Diode
Small-Signal Diode
fr die Oberflchenmontage
Nominal current Nennstrom
250 mA
Repetitive peak reverse voltage
85 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
SOT-23
Kunststoffgehuse
(TO-236)
Weight approx. Gewicht ca.
0.01 g
Dimensions / Mae in mm
1 = anode
2 = n. c. / frei
3 = cathode
Standard packaging taped and reeled
see page 18
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle siehe Seite 18
Maximum ratings
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
85 V
Periodische Spitzensperrspannung
Max. average forward current
I
FAV
250 mA
1
)
Dauergrenzstrom
Repetitive peak forward current
f > 15 Hz
I
FRM
450 mA
1
)
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current
T
j
= 25
/
C
t
p
= 1
:
s
I
FSM
2 A
Stostrom-Grenzwert
Operating junction temperature Sperrschichttemperatur
T
j
65...+ 150
/
C
Storage temperature Lagerungstemperatur
T
S
65...+ 150
/
C
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
T
j
= 25
/
C
I
F
= 1 mA
V
F
< 715 mV
Durchlaspannung
I
F
= 10 mA
V
F
< 855 mV
I
F
= 50 mA
V
F
< 1.0 V
I
F
= 0.15 A
V
F
< 1.25 V
Leakage current
T
j
= 25
/
C
V
R
= 75 V
I
R
< 1
:
A
Sperrstrom
T
j
= 150
/
C
V
R
= 25 V
I
R
< 30
:
A
T
j
= 150
/
C
V
R
= 75 V
I
R
< 50
:
A
2
BAS 16
Junction capacitance
V
F
= V
R
= 0 V
C
tot
< 2 pF
Sperrschichtkapazitt
f = 1 MHz
Reverse recovery time
I
F
= 10 mA ber / through
t
rr
< 6 ns
Sperrverzug
I
R
= 10 mA bis / to I
R
= 1 mA,
U
R
= 6 V, R
L
= 100
S
Thermal resistance junction to ambient air
R
thA
< 417 K/W
1
)
Wrmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft