Транзисторы для силовой электроники
БСИТ-транзисторы
КП810А,Б,В
Транзистор n-типа со статической индукцией (БСИТ)
АДБК 432150.375 ТУ
Транзисторы кремниевые ключевые эпитаксиально-планарные с ветикальным
каналом n-типа со статической индукцией предназначены для применения в
схемах высокочастотных источников питания и других быстродействующих
ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры.
Электрические параметры транзисторов при приемке и поставке
КТ-43-2
(ТО-218)
1-затвор
2-сток
3-исток
Наименование параметра
(режим измерения)
единица измерения
Букв.
обозн.
Норма
Тем-
пер.
С
о
КП810А
КП810Б
КП810В
не
менее
не
более
не
менее
не
более
не
менее
не
более
Ток утечки
сток-исток,
мА
Rзи=100
Ом;
Uси=1200В
Iси.ут.
1
25
Rзи=100
Ом;
Uси=1000В
1
1
25
Rзи=100
Ом;
Uси=1200В
2
85
Rзи=100
Ом;
Uси=1000В
2
2
85
Ток утечки затвора (Uзи=
-4В), мА
Iз.ут.
0.5
0.5
0.5
25
1
1
1
85
Напряжение при
оборванном затворе
сток-исток (Iс=5мА), В
Uси.0
650
650
700
25
620
620
680
85
Сопротивление
сток-исток в
открытом
состоянии, Ом
Ic=2A; Iз=0.4А
Rси.отк
0.2
0.2
25
0.3
0.3
-45
Ic=5A; Iз=1А
0.2
25
Электрические параметры транзисторов, изменяющиеся в течение
наработки и срока сохраняемости
Предельно-допустимые значения
электрических режимов эксплуатации.
ПРИМЕЧАНИЯ:
1.
В диапазоне температур от -45С до +85С.
2.
При t
имп.
=< 0.5 мкс.
3.
При длительности импульса не более 10 мкс и скважности Q >= 2.
4.
В диапазоне температур Тк от +25С до +85С мощность снижается линейно.
5.
Максимально допустимая мощность рассчитывается по формуле: Р=50х(1-
(Тк-25)/125) Вт, где Тк- температура корпуса транзистора.
6.
В диапазоне температур Тк от -45С до +25С.
Значения основных параметров.
0.3
-45
Наименование
параметра
(режим измерения)
единица измерения
Букв.
обозн.
Норма
Тем-
пер.
С
о
КП810А
КП810Б
КП810В
не
менее
не
более
не
менее
не
более
не
менее
не
более
Ток
утечки
сток-
исток, мА
Rзи=100 Ом;
Uси=1200В
Iси.ут.
2
25
Rзи=100 Ом;
Uси=1000В
2
2
25
Ток утечки затвора
(Uзи= -4В), мА
Iз.ут.
1
1
1
25
Наименование параметра
(режим измерения)
единица измерения
Букв.
обозн.
Норма
Приме-
чание
КП810А КП810Б КП810В
Максимально-допустимое напряжение сток-исток, (Rзи=100
Ом), В
Uси.мах
1300
1000
1100
1,2
Максимально-допустимое напряжение затвор-исток, В
Uзи.мах
5
5
5
1,2
Максимально-допустимый постоянный ток затвора, А
Iз.мах
3
3
1
Максимально-допустимый постоянный ток стока, А
Iс.мах
7
7
5
1
Максимально-допустимый импульсный ток затвора, А
Iз
(и).мах
5
5
5
1,3
Максимально-допустимый импульсный ток стока, А
Iс
(и).мах
10
10
10
1,3
Максимально-допустимая рассеиваемая мощность с
теплоотводом, Вт
Рмах
50
50
50
4,5,6
Максимально-допустимая температура p-n перехода, С
о
Тп.мах
150
150
150
Наименование параметра
(режим измерения)
единица измерения
Букв.
обозн.
Значения параметра
мини-
мальное
типовое макси-
мальное
КП810- полная замена КТ872, (строчная развертка, блоки питания) с
существенным снижением потерь мощности.
Типовые выходные характеристики транзисторов КП810А,Б.
Типовые выходные характеристики транзисторов КП810В.
Ток утечки сток-исток, мА
Ucи=1200В; Rзи=100 Ом
(КП810А)
Iси.ут.
0.005
0.1
2
Ucи=1000В; Rзи=100 Ом
(КП810Б)
Ucи=1000В; Rзи=100 Ом
(КП810В)
Ток утечки затвора (Uзи= -4В), мА
Iз.ут.
0.002
0.005
0.5
Напряжение сток-исток при
оборванном затворе, В
КП810А
Uси.0
650
КП810Б
650
КП810В
700
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Ic=2A; Iз=0.4А),
Ом
Rcи.отк
0.05
0.1
0.2
Время спада (Ucи=250В; Iз=+-0.5А; Ic=2.5А), нс
tсп
160
220
250
Время рассасывания (Ucи=500В; Iз=+-0.5А; Ic=2.5А), мкс
tрас
1.6
2.1
2.7
Время включения (Ucи=50В; Iз=+-0.5А; Ic=2.5А), мкс
tвкл
160
200
220
Граничная частота (
Uси=250В, fизм=10МГц), МГц
fгр.
30
40
50
[AD]
Типовая зависимость тока затвора от
напряжения затвор-исток транзисторов КП810А,Б,В.
Типовая зависимость сопротивления сток-исток
в открытом состоянии от тока стока для транзисторов КП810А,Б,В
Ткорп.=(25+-10)С, Iс/Iз=5.
Типовая зависимость тока утечки затвора
от температуры корпуса транзисторов КП810А,Б,В.
Типовая зависимость тока утечки сток-исток
от температуры корпуса транзисторов КП810А,Б,В.
PDF 
ZIP