Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 658 S 10...14
S
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
T
vj
= - 25C...T
vj max
V
RRM
1000
V
repetitive peak forward reverse voltage
1200
V
1400
V
Stospitzensperrspannung
T
vj
= + 25C...T
vj max
V
RSM
1100
V
non-repetitive peak reverse voltage
1300
V
1500
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
I
FRMSM
1400
A
RMS forward current
Dauergrenzstrom
T
C
=100C
I
FAVM
658
A
mean forward current
T
C
=71C
900
A
Stostrom-Grenzwert
T
vj
= 25C, tp = 10 ms
I
FSM
12200
A
surge foward current
T
vj
= T
vj max
, tp = 10 ms
10100
A
T
vj
= 25C, tp = 1 ms
25750
A
T
vj
= T
vj max
, tp = 1 ms
21300
A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25C, tp = 10ms
It
744200
As
T
vj
= T
vj max
, tp = 10ms
510050
As
T
vj
= 25C, tp = 1ms
331530
As
It-value
T
vj
= T
vj max
, tp = 1ms
226850
As
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 2700 A
v
F
max.
2,25
V
forward voltage
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
1
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
0,45
m
forward slope resistance
Typischer Wert der Durchlaverzgerungsspannung
IEC 747-2
V
FRM
typ
2,9
V
1)
typical value of forward recovery voltage
T
vj
= T
vj max
di
F
/dt=50A/s, v
R
=0V
Durchlaverzgerungszeit
IEC 747-2, Methode / method II
t
fr
typ
5
s
1)
forward recovery time
T
vj
= T
vj max,
i
FM
=2700A
di
F
/dt=50 A/s, v
R
=0V
Sperrstrom
T
vj
= 25C, v
R
=V
RRM
i
R
max.
20
mA
reverse current
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
max.
200
mA
Rckstromspitze
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
I
RM
87
A
1)
peak reverse recovery current
i
FM
=900A,-di
F
/dt=50A/s
v
R
=100V, v
RM<
=200 V
Sperrverzgerungsladung
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
Q
r
285
As
1)
recovered charge
i
FM
=900 A,-di
F
/dt=50A/s
v
R
=100V, v
RM<
=200 V
Sperrverzgerungszeit
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
t
rr
4,5
s
1)
reverse recovered time
i
FM
=900A,-di
F
/dt=50A/s
v
R
=100 V; v
RM<
=200V
Sanftheit
T
vj
= T
vj max
SR
s/A
2)
Softness
i
FM
=A,-di
F
/dt=A/s
v
R
<=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
1) Richtwert fr obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert fr untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
SZ-M / 17.02.87
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 658 S 10...14
S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJC
thermal resitance, junction to case
beidseitig / two-sided,
=180sin
max.
0,044
C/W
beidseitig / two-sided, DC
max.
0,041
C/W
Anode / anode,
=180sin
max.
0,073
C/W
Anode / anode, DC
max.
0,070
C/W
Kathode / cathode,
=180sin
max.
0,103
C/W
Kathode / cathode, DC
max.
0,100
C/W
bergangs- Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thCK
thermal resitance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
max. 0,0075
C/W
einseitig / single-sided
max.
0,015
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
T
vj max
150
C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
-40...+150
C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
-40...+150
C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
Seite 3
case, see appendix
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Si-Element mit Druckkontakt
Durchmesser/diameter 30mm
Si-pellet with pressure contact
Anprekraft
F
6...14,5
kN
clamping force
Gewicht
G
typ.
100
g
weight
Kriechstrecke
17
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
5x9,81
m/s
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 17.02.87
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
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S
SZ-M / 15.08.78
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
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S
Khlung
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
beidseitig
R
thn
[C/W]
0,00009
0,00256
0,00415
0,0142
0,02
two-sided
n
[s]
0,000194
0,000683
0,00404
0,0641
0,336
anodenseitig
R
thn
[C/W]
0,00009
0,00263
0,00469
0,0227
0,0385
anode-sided
n
[s]
0,000194
0,000689
0,00459
0,1
3,059
kathodenseitig
R
thn
[C/W]
0,00009
0,00265
0,00456
0,0187
0,0052
cathode-sided
n
[s]
0,000194
0,000692
0,00462
0,0841
1,171
n
max
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
=
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
n
))
n=1
SZ-M / 08.05.85
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0,0688
2,458
0,00139
8,731
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 658 S 10...14
S
Grenzdurchlakennlinie / Limiting 0n-state characteristic i
F
=f(v
F
)
T
vj
= T
vj max
SZ-M / 04.02.87
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0
500
1.000
1.500
2.000
2.500
3.000
3.500
4.000
0,5
1
1,5
2
2,5
3
v
F
[V]
i
F
[A]
PDF 
ZIP