D 8019 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Hchstzulssige Werte
Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
t
vj
= -25C... T
vj max
V
RRM
200, 400
V
600
Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
t
vj
= +25C... T
vj max
V
RSM
250 450 650 V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
FRMSM
13,3
103
53 10
45 10
kA
Dauergrenzstrom
mean forward current
T
c
= 56C
I
FAVM
8,02 kA
T
c
= 46C
8,74 kA
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
T
vj
= 25C, t
p
= 10 ms
I
FSM
kA
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10 ms
95 kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
T
vj
= 25C, t
p
= 10 ms
I
2
t
A
2
s
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10 ms
6
6
A
2
s
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 10 kA
V
F
max.
0,98 V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
T(TO)
0,70 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
0,027 m
W
Sperrstrom
reverse current
T
vj
= T
vj max
, V
R
= V
RRM
i
R
max.
100 mA
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Widerstand
thermal resistance, junction
beidseitig / two-sided,
Q
=180 sin
R
thJC
max.
0,0125
0,0117
0,0232
0,0225
0,0250
0,0245
C/W
to case
beidseitig / two sided, DC
max.
C/W
Anode / anode,
Q
=180 sin
max.
C/W
Anode / anode, DC
max.
C/W
Kathode / cathode,
Q
=180 sin
max.
C/W
Kathode / cathode, DC
max.
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance,case to heatsink
beidseitig / two-sided
R
thCK
max.
0,003 C/W
einseitig / single-sided
max.
Hchstzul.Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
T
vj max
180 C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+180 C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+150 C
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Anprekraft
clamping force
F
40...80 kN
Gewicht
weight
G
typ.
900 g
Kriechstrecke
creepage distance
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the corresponding technical notes.
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