Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 801 S 45 T
SZ AM /23.11.99 Beuermann
Seite/page
S
1
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
t
vj
= -40C ... t
vj max
f = 50Hz
V
RRM
4500 V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
FRMSM
2450 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
t
C
= 85C, f = 50Hz
t
C
= 60C, f = 50Hz
I
FAVM
1240
1570
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
I
FSM
14 kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
I
2
t
0,98
-
10
6
A
2
s
Period. Abklingsteilheit des Durchlastroms beim Ausschalten
repetitive decay rate of on-state current at turn-of
i
FM
= 1000A, v
R
= 1500 V
(-di
F
/dt)
com
1000 A/s
Hchstzulssige Kommutierungsspannung
als GTO Snubberdiode
maximum permissible link voltage
as GTO snubber-diode
i
F
150A
L
250nH
snubberless
V
R(cr)
3200 V
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
forward voltage
t
vj
= t
vj max
, i
F
= 2500A
v
F
max
3,7 V
Schleusenspannung
threshold voltage
t
vj
= t
vj max
V
(TO)
1,8 V
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
t
vj
= t
vj max
r
T
0,76 m
Durchlarechenkennlinie
On-state characteristics for calculation
(
)
V
A B i
C
i
D i
F
F
F
F
= +
+
+
+
ln
1
t
vj
= t
vj max
A
B
C
D
max.
0,336
0,000414
0,163
0,0209
Spitzenwert der Durchlaverzgerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
t
vj
= t
vj max
, di
F
/dt = 1000A/s
V
FRM
typ
85 V
Sperrstrom
reverse current
t
vj
= t
vj max,
v
R
= V
RRM
i
R
250 mA
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
t
vj
= t
vj max
i
FM
= 1000A, -di
F
/dt = 250A/s
v
R
= 1000V, C
S
= 0.125F, R
S
= 6
I
RM
625 A
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
t
vj
= t
vj max
i
FM
= 1000A, -di
F
/dt = 250A/s
v
R
= 1000V, C
S
= 0.125F, R
S
= 6
Q
r
max
1700 As
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Schnelle Gleichrichterdiode
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2
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
R
thJC
max
max
max
0,01
0,0169
0,0249
C/W
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Khlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
R
thCK
max
max
0,005
0,010
C/W
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
vj max
125 C
Betriebstemperatur
operating temperature
t
c op
-40...+125 C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+150 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
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Si - Element mit Druckkontakt
Si - pellet with pressure contact
55DS45
Anprekraft
clamping force
F
15...36 kN
Gewicht
weight
G
typ
350 g
Kriechstrecke
creepage distance
16 mm
Luftstrecke
air distance
ca. 10 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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3
Outline Drawing
14
+-0.5
75
77 max.
48
-0.1
2 center holes
3.5
1.8
C
A
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On-State Characteristics ( v
F
)
typical and upper limit of scatter range
t
vj
= 125
C
typ.
max.
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
4,5
5
V
F
/ [V]
I
F
/ [ A ]
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Transient thermal Impedance for constant-current
Double side
cooled
Anode side or
Cathode side cooled
Cathode side
cooled
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
1
0,0026
0,38
0,0095
1,75
0,0175
1,95
2
0,0009
0,218
0,0009
0,218
0,0009
0,218
3
0,0046
0,055
0,0046
0,055
0,0046
0,055
4
0,0012
0,0082
0,0012
0,0082
0,0012
0,0082
5
0,0007
0,0018
0,0007
0,0018
0,0007
0,0018
0,01
-
0,0169
-
0,0249
-
PDF 
ZIP