ChipFind - документация

Электронный компонент: D849N-2800

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Leistungsgleichrichterdioden
Power Rectifier Diodes
D 849 N
VWK July 1996
Kathode
Cathode
Anode
beidseitig / on both sides
max.
7
3
,
5
1
6
6
36
36
2
6
5
7
2
5
4
3,5 x 3,5 tief / depth
+0,1
European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
D 849 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Hchstzulssige Werte
Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
t
vj
= -40C... t
vj max
V
RRM
2800, 3200
V
3600, 4000 *
V
Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage t
vj
= +25C... t
vj max
V
RSM
= V
RRM
+ 100
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
FRMSM
1790
A
Dauergrenzstrom
mean forward current
t
c
= 100 C
I
FAVM
850
A
t
c
= 64 C
1140
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
t
vj
= 25C, t
p
= 10 ms
I
FSM
15,4
kA
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
12,8
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
t
vj
= 25C, t
p
= 10 ms
I
2
t
1186
kA
2
s
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
819
kA
2
s
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
t
vj
= t
vj max
, i
F
= 3,5 kA
V
T
max. 2,62
V
Schleusenspannung
threshold voltage
t
vj
= t
vj max
V
T(TO)
0,84
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
t
vj
= t
vj max
r
T
0,485
m
Sperrstrom
reverse current
t
vj
= t
vj max
, V
R
= V
RRM
i
R
max. 50
mA
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Widerstand
thermal resistance, junction
beidseitig/two-sided,
=180 sin R
thJC
max. 0,038 C/W
to case
beidseitig/two sided, DC
max. 0,035 C/W
Anode/anode,
=180 sin
max. 0,064 C/W
Anode/anode, DC
max. 0,061 C/W
Kathode/cathode,
=180 sin
max. 0,085 C/W
Kathode/cathode, DC
max. 0,082 C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance,case to heatsink beidseitig /two-sided
R
thCK
max. 0,005 C/W
einseitig /single-sided
max. 0,010 C/W
Hchstzul.Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
vj max
160
C
Betriebstemperatur
operating temperature
t
c op
-40...+150
C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+150
C
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
= 38 mm
Anprekraft
clamping force
Gehuseform/case design T
F
10...24
kN
Gewicht
weight
G
typ. 280
g
Kriechstrecke
creepage distance
36
mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50
m/s
2
Mabild
outline
Seite/page
* Bitte Liefertermin erfragen /Delivery on request
1a
2a
1b
1c
2b
2c
1a
1b
2a
1c
2b
2c
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0,1
0,2
0,3
0,1
0,2
0,3
[kA]
I
F(0V)M
I
F(0V)M
[kA]
(normiert)
idt
I
F(0V)M
v
R
I
F(0V)M
v
R
t [s]
v
F
[V]
t [s]
[kA]
i
F
t [
ms]
p
Bild / Fig. 2
Normiertes Grenzlastintegral / Normalized it
idt = f(t
p
)
t
vj
= 160 C
t
vj
= 25 C
Bild/Fig. 1
Grenzdurchlakennlinie
Limiting forward characteristic i
F
= f (v
F
)
Bild / Fig. 3
Grenzstrom / Maximum overload forward current I
F(0V)M
= f(t)
1 - I
FAV(vor)
= 0 A; t
vj
= t
C
= 25 C
2 - I
FAV(vor)
= 850 A; t
C
= 100 C; t
vj
= 160 C
a - v
R
50 V
b - v
R
= 0,5 V
RRM
c - v
R
= 0,8 V
RRM
Bild / Fig. 4
Grenzstrom / Maximum overload forward current I
F(0V)M
= f(t)
1 - I
FAV(vor)
= 0 A; t
vj
= t
C
= 25 C
2 - I
FAV(vor)
= 850 A; t
C
= 100 C; t
vj
= 160 C
a - v
R
50 V
b - v
R
= 0,5 V
RRM
c - v
R
= 0,8 V
RRM
D 849 N
1
2
3
t [s]
i
FM
[A]
9
8
7
6
5
4
3
2
1600
800
400
200
100
50
T
T
60
90
120
150
180
1
10
100
0,1
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
[
As]
Q
r
Z
(th)JC
[C/W ]
[C/W ]
thJC
R
-di
F
/dt
[A/
s]
t [s]
[el]
T
Bild / Fig. 5
Differenz zwischen den Wrmewiderstnden
fr Pulsstrom und DC
Difference between the values of thermal resistance for
pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
Bild / Fig. 6
Sperrverzgerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(-di
F
/dt)
t
vj =
t
vjmax
; v
R
0,5 V
RRM
; V
RM
= 0,8 V
RRM
Beschaltung / Snubber: C = 1 F; R = 3,9
Parameter: Durchlastrom / Forward current
i
FM
n
max
n=1
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
t hJC
fr DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Bild / Fig. 7
Transienter innerer Wrmewiderstand
Transient thermal impedance Z
thJC
= f(t), DC
1 - Beidseitige Khlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Khlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Khlung / Cathode-sided cooling
Z
thJC
= R
thn
(1-EXP(-t/
n
))
D 849 N
Khlg.
Cooling
Pos.
n
R
thn
C/W
n
[s]
R
thn
C/W
n
[s]
R
thn
C/W
n
[s]
1
2
3
1
2
3
4
5
6
7
1 - Beidseitige Khlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Khlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Khlung / Cathode-sided cooling
0,00123
0,00152
0,00134
0,00159
0,00133
0,00159
0,00397
0,00932
0,00466
0,0113
0,00457
0,0111
0,0041
0,0708
0,0174
0,177
0,0165
0,169
0,0153
0,251
0,0376
6,25
0,0596
7,31
0,0104
1,79
Analytische Funktion / Analytical function