Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
DD 800 S 33 K2
Datenblatt
datasheet
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Periodische Spitzensperrspannung
T
j
= 25C
V
R
3300
V
repetitive peak reverse voltage
T
j
= -25C
3300
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
800
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t
P
= 1 ms
I
FRM
1600
A
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125C
I
2
t
A
2
s
Spitzenverlustleistung der Diode
maximum power dissipation diode
T
j
= 125C
P
RQM
800
kW
Isolations-Prfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
6.000
V
Teilentladungs-Aussetzspannung
partial discharge extinction voltage
RMS, f = 50 Hz, Q
PD
10 pC (acc. to IEC 1287)
V
ISOL
2.600
V
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
min.
typ.
max.
Durchlaspannung
I
F
= 800 A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25C
V
F
-
2,80
3,50
V
forward voltage
I
F
= 800 A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125C
-
2,80
3,50
V
Sperrstrom
V
CE
= 3300V, T
vj
= 25C
I
R
-
0,01
1,6
mA
reverse current
V
CE
= 3300V, T
vj
= 125C
-
4
20
mA
Rckstromspitze
I
F
= 800 A, - di
F
/dt = 2500 A/sec
peak reverse recovery current
V
R
= 1800V, VGE = -10V, T
vj
= 25C
I
RM
-
650
-
A
V
R
= 1800V, VGE = -10V, T
vj
= 125C
-
700
-
A
Sperrverzgerungsladung
I
F
= 800 A, - di
F
/dt = 2500 A/sec
recovered charge
V
R
= 1800V, VGE = -10V, T
vj
= 25C
Q
r
-
500
-
As
V
R
= 1800V, VGE = -10V, T
vj
= 125C
-
900
-
As
Abschaltenergie pro Puls
I
F
= 800 A, - di
F
/dt = 2500 A/sec
reverse recovery energy
V
R
= 1800V, VGE = -10V, T
vj
= 25C
E
rec
-
490
-
mWs
V
R
= 1800V, VGE = -10V, T
vj
= 125C
-
1000
-
mWs
Modulinduktivitt
stray inductance module
pro Diode / per diode
L
sCE
-
25
-
nH
Modul-Leitungswiderstand, Anschlsse - Chip
lead resistance, terminals - chip
T = 25C, pro Diode / per diode
R
CC'+EE'
-
0,34
-
m
prepared by: Jrgen Gttert
date of publication : 08.06.99
approved by: Chr. Lbke: 04.10.99
revision: 2
222.200
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Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
pro Diode / per diode
R
thJC
-
-
0,026
K/W
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per module
-
-
0,013
K/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
Paste
= 1 W/m*K /
grease
= 1 W/m*K
R
thCK
-
0,006
-
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj
-
-
150
C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
op
-40
-
125
C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
125
C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
AlSiC
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Kriechstrecke
creepage distance
32,2
mm
Luftstrecke
clearance
19,1
mm
CTI
comperative tracking index
> 400
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
M1
5
Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlsse
terminals M4
M2
2
Nm
terminal connection torque
terminals M8
8 .. 10
Nm
Gewicht
weight
G
1000
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
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I
F
[A]
V
F
[V]
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
Tj = 25C
Tj = 125C
Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) I
F
= f (V
F
)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
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I
R
[A
]
V
R
[V]
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
Sicherer Arbeitsbereich Diode (SOA)
T
vj
= 125C
safe operation area Diode (SOA)
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Z
th
J
C
[K / W]
t [sec]
i
1
2
3
4
r
i
[K/kW]
: Diode
4,76
12,98
3,86
4,40
i
[sec]
: Diode
0,0068
0,0642
0,3209
2,0212
Transienter Wrmewiderstand Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance
0,0001
0,001
0,01
0,1
0,001
0,01
0,1
1
10
Zth:Diode
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Gehusemae / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
IH4
H'
% $
'
prvtqru
h %
prvtqru
h'
(
$
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''
#
H#
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!$qrr
@
8
B
#qrr
#''
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rrhyprpv
irqr
&
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)=
*
&
.
&
.
&
&
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8
8
(
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*
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ZIP