Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD B6U 145 N 12...18 (ISOPACK)
N
B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
T
vj
= - 40C...T
vj max
V
RRM
1200, 1400
V
repetitive peak reverse voltage
1600, 1800
V
Stospitzensperrspannung
T
vj
= + 25C...T
vj max
V
RSM
1300, 1500
V
non-repetitive peak reverse voltage
1700, 1900
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
I
FRMSM
100
A
RMS forward current (per chip)
Ausgangsstrom
T
C
= 100C
I
d
145
A
output current
T
C
= 84C
173
A
T
A
= 45C, KM 11
71
A
T
A
= 45C, KM 33
97
A
T
A
= 35C, KM 14 (V
L
= 45l/s)
153
A
T
A
= 35C, KM 33 (V
L
= 90l/s)
173
A
Stostrom-Grenzwert
T
vj
= 25C, t
S
= 10ms
I
FSM
1200
A
surge forward current
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
1000
A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25C, t
S
= 10ms
It
7200
As
It-value
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
5000
As
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 150A
v
F
max.
1,43
V
forward voltage
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,75
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
3,1
m
forward slope resistance
Sperrstrom
T
vj
= T
vj max,
v
R =
V
RRM
i
R
max.
5
mA
reverse current
Isolations-Prfspannung
RMS, f = 50Hz, t = 1min
V
ISOL
3,0
kV
insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
3,6
kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
pro Modul / per module,
= 120rect
R
thJC
max. 0,148
C/W
thermal resistance, junction to case
pro Element / per chip,
= 120rect
max. 0,890
C/W
pro Modul / per module, DC
max. 0,167
C/W
pro Element / per chip, DC
max. 0,700
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
pro Modul / per module
R
thCK
max. 0,033
C/W
thermal resistance, case to heatsink
pro Element / per chip
max. 0,200
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
T
vj max
150
C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
- 40...+150
C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
- 40...+150
C
storage temperature
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A /99
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N
B6
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
Seite 3
case, see appendix
page 3
Si-Elemente mit Ltkontakt, glaspassiviert
Si-pellets with soldered contact, glass-passivated
Innere Isolation
Al
2
O
3
internal insulation
Anzugsdrehmoment fr mechanische Befestigung
Toleranz / tolerance 15%
M1
6
Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment fr elektrische Anschlsse
Toleranz / tolerance +5% / -10%
M2
4
Nm
terminal connection torque
Gewicht
G
typ.
220
g
weight
Kriechstrecke
12,5
mm
creepage distance
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50
m/s
vibration resistance
Khlkrper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehrigen Technischen Erluterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
0,35500
0,24500
0,04100
0,05500
0,30200
0,03780
0,00900
0,00109
MOD-E1; R. Jrke
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[
]
R
C W
thn
/
[ ]
n
s
Analytische Funktion
Z
R
e
thJC
thn
t
n
n
n
:
max
=
-
-
=
1
1
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Transienter innerer Wrmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z
thJC
= f(t)
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle
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120 rect
DC
0,00
0,10
0,20
0,30
0,40
0,50
0,60
0,70
0,80
0,90
1,00
0,001
0,01
0,1
1
10
t [s]
Z
thJ
C
[
C
/
W
]
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Hchstzulssige Gehusetemperatur / Maximum allowable case temperatur T
C
= f(I
d
)
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20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
0
50
100
150
200
I
d
[A]
T
C
[
C
]
PDF 
ZIP