N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
DZ1070N
BIP AC / 00-09-28, K.-A. Rther
A21/00
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Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften
DZ1070N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
T
vj
= -40C... T
vj max
V
RRM
1800
2200
2600
2000
2400
2800
V
V
V
1)
Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
T
vj
= +25C... T
vj max
V
RSM
1900
2300
2700
2100
2500
2900
V
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
FRMSM
1700 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 100
C
I
FAVM
1070 A
Stostrom-Grenzwert
surge current
T
vj
= 25 C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I
FSM
41.000
35.000
A
A
Grenzlastintegral
It-value
T
vj
= 25 C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
It
8.405.000
6.125.000
As
As
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 3400 A
v
F
max.
1,52 V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,8 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
0,17 m
Sperrstrom
reverse current
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
i
R
max.
150 mA
Isolations-Prfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
V
ISOL
3,6
3,0
kV
kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module, = 180 sin
pro Modul / per Module, DC
R
thJC
max.
max.
0,0450
0,0435
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
R
thCH
max.
0,01 C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
160 C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
- 40...+150 C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
- 40...+150 C
1) 2800V auf Anfrage/ 2800V on request
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date of publication: 06.05.03
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Mechanische Eigenschaften
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see annex
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page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Anzugsdrehmoment fr mechanische Anschlsse
mounting torque
Toleranz 15%
M1
6
Nm
Anzugsdrehmoment fr elektrische Anschlsse
terminal connection torque
Toleranz 10%
M2
18
Nm
Gewicht
weight
G
typ.
2750 g
Kriechstrecke
creepage distance
64 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s
file-No.
E 83336
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Mabild
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DZ
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R,T Werte
R,Tau-Glieder des Elements
Transienter Wrmewiderstand
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[C/W]
0,0011
0,0028
0,0094
0,0232
0,0072
n
[s]
0,01
0,0188
0,3035
4,994
9,98
Analytische Funktion / Analytical function:
S
=
t
max
n
n=1
thn
thJC
n
t
- e
1
R
Z
0,00
0,01
0,02
0,03
0,04
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
=
rec 60
rec120
rec180
sin180
DC
Transienter innerer Wrmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z
thJC
= f(t)
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle
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R,Tau_Glieder des Khlers
Verstrkte Khlung / Forced cooling
1 Module pro Khler / 1 modules per heatsink
Khler / Heatsink type: KW70 (4l/min)
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thCA
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[C/W]
0,00214
0,00035
0,0245
n
[s]
9,89
13
31,3
Analytische Funktion / Analytical function:
S
=
t
max
n
n=1
thn
thCA
n
t
- e
1
R
Z
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