N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
DZ950N
BIP AM / 00-09-28, K.-A. Rther
A22/00
1/9
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Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften
DZ950N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
T
vj
= -40C... T
vj max
V
RRM
3600
4000
4400
V
V
Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
T
vj
= +25C... T
vj max
V
RSM
3700
4100
4500
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
FRMSM
1500 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 100
C
I
FAVM
950 A
Stostrom-Grenzwert
surge current
T
vj
= 25 C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I
FSM
35.000
29.000
A
A
Grenzlastintegral
It-value
T
vj
= 25 C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
It
6.125.000
4.205.000
As
As
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 3000 A
v
F
max.
1,78 V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,85 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
0,28 m
Sperrstrom
reverse current
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
i
R
max.
100 mA
Isolations-Prfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
V
ISOL
3,6
3,0
kV
kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module, = 180 sin
pro Modul / per Module, DC
R
thJC
max.
max.
0,042
0,0405
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
R
thCH
max.
0,01 C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
160 C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
- 40...+150 C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
- 40...+150 C
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date of publication: 06.05.03
approved by: M. Leifeld
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N
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DZ950N
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Mechanische Eigenschaften
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Anzugsdrehmoment fr mechanische Anschlsse
mounting torque
Toleranz 15%
M1
6
Nm
Anzugsdrehmoment fr elektrische Anschlsse
terminal connection torque
Toleranz 10%
M2
18
Nm
Gewicht
weight
G
typ.
2750 g
Kriechstrecke
creepage distance
64 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s
file-No.
E 83336
N
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Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
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Mabild
2
1
DZ
N
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Datenblatt / Data sheet
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A22/00
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R,T Werte
R,Tau-Glieder des Elements
Transienter Wrmewiderstand
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[C/W]
0,0011
0,0027
0,0087
0,0231
0,0051
n
[s]
0,0100
0,0188
0,3035
4,994
9,98
Analytische Funktion / Analytical function:
S
=
t
max
n
n=1
thn
thJC
n
t
- e
1
R
Z
0,00
0,01
0,02
0,03
0,04
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
=
rec 60
rec120
rec180
sin180
DC
Transienter innerer Wrmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z
thJC
= f(t)
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle
N
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R,Tau_Glieder des Khlers
Verstrkte Khlung / Forced cooling
1 Module pro Khler / 1 modules per heatsink
Khler / Heatsink type: KW70 (4l/min)
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thCA
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[C/W]
0,00214
0,00035
0,0245
n
[s]
9,89
13
31,3
Analytische Funktion / Analytical function:
S
=
t
max
n
n=1
thn
thCA
n
t
- e
1
R
Z
N
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Diagramme
Diagramme
Durchgangsverluste
Gehusetemperatur
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
0
400
800
1200
1600
I
FAV
[A]
120 rec
180 sin
180 rec
DC
= 60 rec
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P
FAV
= f(I
FAV
)
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle
20
40
60
80
100
120
140
160
0
400
800
1200
1600
I
FAVM
[A]
DC
= 60 rec
120 rec
180 rec
180 sin
Hchstzulssige Gehusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
C
= f(I
FAVM
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechungsgrundlage P
TAV
(Schaltverluste gesondert bercksichtigen)
Calculation base P
TAV
(switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle
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Maximaler Strom bei B2 und B6
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
0
20
40
60
80
100
120
140
T
A
[C]
+
-
B2
I
D
~
R
thCA
[C/W]
0,010
0,015
0,025
0,035
0,045
0,060
0,080
0,150
0,150
0,150
0,150
0,150
0,150
0,150
0
500
1000
1500
2000
I
D
[A]
L-Last
R-Last
Hchstzulssiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
D
B2- Zweipuls-Brckenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
tot
Parameter:
Wrmewiderstand zwischen den Gehusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
thCA
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
0
20
40
60
80
100
120
140
T
A
[C]
+
-
B6
I
D
3~
R
thCA
[C/W]
0,010
0,015
0,025
0,035
0,045
0,060
0,080
0,150
0,150
0,150
0,150
0,150
0,150
0,150
0
500
1000
1500
2000
2500
I
D
[A]
Hchstzulssiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
D
B6- Sechspuls-Brckenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
tot
Parameter:
Wrmewiderstand zwischen den Gehusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
thCA
N
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Datenblatt / Data sheet
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8/9
Seite/page
Sperrverzgerungsladung
Grenzstrom
1000
10000
100000
0,1
1
10
100
-di/dt [A/s]
i
FM
=
3200A
1600A
800A
400A
200A
100A
Sperrverzgerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(-di/dt)
T
vj
= T
vjmax
, v
R
0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Beschaltung/ Snubber: R = 2,7
W , C = 1,5F
Parameter: Durchlastrom / On-state current i
FM
0
4.000
8.000
12.000
16.000
20.000
24.000
0,01
0,1
1
t [s]
a
T
a
= 25 C
b
Grenzstrom je Zweig / Maximum overload on-state current per arm I
F(OV)M
= f(t), v
RM
= 0,8 V
RRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm I
FAV(vor)
= I
FAVM
T
a
= 25C, Wasserkhlung / water cooling Khlkrper / Heatsink type: KW70 4l/min
N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
DZ950N
BIP AM / 00-09-28, K.-A. Rther
A22/00
9/9
Seite/page
berstrom
0
4.000
8.000
12.000
16.000
0,01
0,1
1
10
100
1000
10000
t [s]
I
FAV (vor)
=
0 A
450 A
700 A
900 A
1050 A
1140 A
berstrom je Zweig / Overload on-state current I
T(OV)
B6- Sechspuls-Brckenschaltung, 120 Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120 rectangular
Khlkrper / Heatsink type KW70 ( 4l/min. ) Wasserkhlung / water cooling at T
A
= 25C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm I
TAV(vor)
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