FZ 2400 R 12 KF4
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
t
vj
= 25C
V
CES
1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
I
C
2400 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collctor current
t
p
=1 ms
I
CRM
4800 A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
t
C
=25C, Transistor / Transistor
P
tot
15 kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GE
20 V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
2400 A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t
p
=1ms
I
FRM
4800 A
Isolations-Prfspannung
insulation test voltage
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
V
ISOL
2,5 kV
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung collector-emitter saturation voltage
i
C
=2,4kA, v
GE
=15V, T
vj
=25C
v
CE sat
-
2,7
3,2 V
i
C
=2,4kA, v
GE
=15V, T
vj
=125C
-
3,4
4 V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
i
C
=96mA, v
CE
=v
GE
, T
vj
=25C
v
GE(th)
4,5
5,5
6,5 V
Eingangskapazitt
input capacity
f
O
=1MHz,T
vj
=25C,v
CE
=25V, v
GE
=0V
C
ies
-
170
- nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
v
CE
=1200V, v
GE
=0V, T
vj
=25C
i
CES
-
48
- mA
v
CE
=1200V, v
GE
=0V, T
vj
=125C
-
240
- mA
Gate-Emitter Reststrom
gate leakage current
v
CE
=0V, v
GE
=20V, T
vj
=25C
i
GES
-
-
600 nA
Emitter-Gate Reststrom
gate leakage current
v
CE
=0V, v
GE
=20V, T
vj
=25C
i
EGS
-
-
600 nA
Einschaltzeit (induktive Last)
turn-on time (inductive load)
i
C
=2,4kA,v
CE
=600V,v
L
=15V
t
on
V
LR
=15V,R
G
=0,47
, T
vj
=25C
-
0,7
- s
V
LR
=15V,R
G
=0,47
, T
vj
=125C
-
0,8
- s
Speicherzeit (induktive Last)
storage time (inductive load)
i
C
=2,4kA,v
CE
=600V,v
L
=15V
t
s
V
LR
=15V,R
G
=0,47
, T
vj
=25C
-
0,9
- s
V
LR
=15V,R
G
=0,47
, T
vj
=125C
-
1,0
- s
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
i
C
=2,4kA,v
CE
=600V,v
L
=15V
t
f
V
LR
=15V,R
G
=0,47
, T
vj
=25C
-
0,1
- s
V
LR
=15V,R
G
=0,47
, T
vj
=125C
-
0,15
- s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
turn-on energy loss per pulse
i
C
=2,4kA,v
CE
=600V,v
L
=15V
E
on
Einschaltverlustenergie pro Puls
L
S
=40nH,R
G
=0,47
, T
vj
=125C
-
310
- mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
i
C
=2,4kA,v
CE
=600V,v
L
=15V
E
off
L
S
=40nH,R
G
=0,47
, T
vj
=125C
-
410
- mWs
Inversdiode / Inverse diode
forward voltage
i
F
=2400A, v
GE
=0V, T
vj
=25C
v
F
-
2,2
2,7 V
Durchlaspannung
i
F
=2400A, v
GE
=0V, T
vj
=125C
-
2
2,5 V
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
i
F
=2,4kA, -di
F
/dt=12kA/s
I
RM
v
RM
=600V, v
EG
=10V, T
vj
=25C
-
750
- A
v
RM
=600V, v
EG
=10V, T
vj
=125C
-
1200
- A
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
i
F
=2,4kA, -di
F
/dt=12kA/s
Q
r
v
RM
=600V, v
EG
=10V, T
vj
=25C
-
80
- As
v
RM
=600V, v
EG
=10V, T
vj
=125C
-
270
- As
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor, DC
R
thJC
0,0084 C/W
Diode /diode, DC
0,014 C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Module / per Module
R
thCK
typ. 0,006 C/W
Hchstzul. Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
T
vj max
150 C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+125 C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+125 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
internal insulation
Al
2
O
3
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigungmounting torque
terminals M6 / tolerance 15%
M1
5 Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlsseterminal connection torque
terminals M4 / tolerance +5 / -10%
M2
2 Nm
terminals M8
8...10 Nm
Gewicht
weight
G
ca. 2300 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehrigen Technischen Erluterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
Bedingung fr den Kurzschluschutz / Conditions for short-circuit protection
t
fg
= 10 s
V
CC
= 750 V
v
L
= 15V
v
CEM
= 850 V
R
GF
= R
GR
= 0,47
i
CMK1
15000 A
t
vj
= 125C
i
CMK2
13000 A
Unabhngig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions v
CEM
= V
CES
- 12nH x |di
c
/dt|
FZ 2400 R 12 KF4
FZ 2400 R 12 KF4 / 1
FZ 2400 R 12 KF4 / 2
FZ 2400 R 12 KF4 / 3
FZ 2400 R 12 KF4 / 4
FZ 2400 R 12 KF 4 / 5
FZ 2400 R 12 KF4 / 6
5000
4000
3000
2000
1000
0
5000
4000
3000
2000
1000
0
5000
4000
3000
2000
1000
0
5000
4000
3000
2000
1000
0
5000
4000
3000
2000
1000
0
1
2
3
4
5
1
2
3
4
5
i
C
[A]
i
C
[A]
i
C
[A]
i
C
[A]
v
CE
[V]
v
CE
[V]
v
CE
[V]
5
6
7
8
9
10
11
12
v
GE
[V]
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
2 3 4 6
2 3 4 6
2 3 4 6
2 3 4 6
0,5
1
1,5
2
2,5
3
i
F
[A]
v
F
[V]
Z
thJC
[
C/W
]
t [s]
Bild / Fig. 1
Kollektor-Emitter-Spannung im Sttigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
V
GE
= 15 V
T
vj
= 25C
T
vj
= 125C
Bild / Fig. 2
Kollektor-Emitter-Spannung im Sttigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
T
vj
= 125C
Bild / Fig. 3
bertragungscharakteristik (typisch) /
Transfer characteristic (typical)
V
CE
= 20 V
Bild / Fig. 4
Rckwrts-Arbeitsbereich /
Reverse biased safe operating area
T
vj
= 125C
v
LF
= v
LR
= 15 V
R
G
= 0,47
Bild / Fig. 5
Transienter Wrmewiderstand (DC) /
Transient thermal impedance (DC)
Bild / Fig. 6
Durchlakennlinien der Inversdiode (typisch)
Forward characteristics of the inverse diode (typical)
T
vj
= 25C
T
vj
= 125C
20 V
8 V
V
GE
=
t
vj
=
Diode
IGBT
25C
125C
10 V
9 V
12 V
15 V
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