Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1049 N 12...18
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Vorlufige Daten
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Preliminary Data
Periodische Vorwrts- und Rckwrts-Spitzensperrspannung
T
vj
= - 40C...T
vj max
V
DRM
, V
RRM
1200, 1400
V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
1600, 1800 V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
T
vj
= - 40C...T
vj max
V
DSM
1200, 1400
V
non-repetitive peak foward off-state voltage
1600, 1800 V
Rckwrts-Stospitzensperrspannung
T
vj
= + 25C...T
vj max
V
RSM
1300, 1500
V
non-repetitive peak reverse voltage
1700, 1900 V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
I
TRSMSM
1870 A
RMSM on-state current
Dauergrenzstrom
T
C
= 85 C
I
TAVM
1050 A
average on-state current
T
C
= 77 C
1190 A
Stostrom-Grenzwert
T
vj
= 25C, t
p
= 10 ms
I
TSM
19000 A
surge current
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10 ms
16000 A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
It
1805
As*10
It-value
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
1280 As*10
Kritische Stromsteilheit
DIN IEC 747-6
(di
T
/dt)
cr
200 A/s
critical rate of rise of on-state current
f=50 Hz, v
L
= 10V, i
GM
= 1 A
di
G
/dt = 1 A/s
Kritische Spannungssteilheit
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
(dv
D
/dt)
cr
1000 V/s
critical rate of rise of off-state voltage
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 1800 A
v
T
max. 1,34
V
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 500 A
max. 0,96
V
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
T(TO)
0,85
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
0,225
m
slope resistance
Durchlakennlinie
T
vj
= T
vj max
A=1,054021
on-state voltage
B=1,5246E-04
v
T
= A + B x i
T
+ C x ln (i
T
+ 1) + D x
i
T
C=-7,392E-02
D=1,3275E-02
Zndstrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V
I
GT
max.
250
mA
gate trigger current
Zndspannung
T
vj
= 25C, v
D
= 6V
V
GT
max.
2,2
V
gate trigger voltage
Nicht zndener Steuerstrom
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6 V
I
GD
max.
10
mA
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
,v
D
= 0,5 V
DRM
max.
5
mA
Nicht zndene Steuerspannung
T
vj
= T
vj max
,v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max. 0,25
mV
gate non-trigger voltage
Haltestrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
I
H
max.
300
mA
holding current
Einraststrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V, R
GK
>=10
I
L
max. 1200
mA
latching current
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/s
t
g
= 20 s
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
T
vj
= T
vj max
i
D
, i
R
max.
110
mA
forward off-state and reverse currents
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
Zndverzug
DIN IEC 747-6
t
gd
max.
4
s
gate controlled delay time
T
vj
= 25C
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/s
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
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Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Vorlufige Daten
Charakteristische Werte / Characteristic values
Preliminary Data
Freiwerdezeit
T
vj
= T
vj max
, i
TM
=I
TAVM
t
q
circuit commutatet turn-off time
v
RM
=100V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/s, -di
T
/dt = 10 A/s
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
typ.
250
s
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJC
thermal resitance, junction to case
beidseitig / two-sided,
=180sin
max. 0,0265
C/W
beidseitig / two-sided, DC
max. 0,0240
C/W
Anode / anode,
=180sin
max. 0,0445
C/W
Anode / anode, DC
max. 0,0420
C/W
Kathode / cathode,
=180sin
max. 0,0585
C/W
Kathode / cathode, DC
max. 0,0560
C/W
bergangs- Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thCK
thermal resitance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
max. 0,0035
C/W
einseitig / single-sided
max. 0,0070
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
T
vj max
125
C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
-40...125
C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
-40...150
C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
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case, see appendix
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Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate
Anprekraft
F
12 ...24
kN
clamping force
Gewicht
G
typ.
540
g
weight
Kriechstrecke
32
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50
m/s
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Zn. Nr.: 1
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
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Vorlufige Daten
Preliminary Data
Khlung
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedanceZ
thJC
for DC
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
beidseitig
R
thn
[C/W]
0,001230
0,002720
0,003330
0,008230
0,008490
two-sided
n
[s]
0,001460
0,005630
0,060900
0,239000
1,240000
anodenseitig
R
thn
[C/W]
0,001200
0,002720
0,003580
0,009650
0,004650
anode-sided
n
[s]
0,001440
0,005470
0,061100
0,276000
4,300000
kathodenseitig
R
thn
[C/W]
0,001280
0,002910
0,009550
0,003560
0,038700
cathode-sided
n
[s]
0,001470
0,006130
0,134000
0,741000
8,810000
n
max
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
n
))
n=1
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
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N
Grenzdurchlakennlinie / Limiting 0n-state characteristics i
T
= f(v
T
)
T
vj
= T
vj
max
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Z. Nr.: 2
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0
1.000
2.000
3.000
4.000
5.000
0,5
1
1,5
2
2,5
v
T
[V]
i
T
[A]
PDF 
ZIP