Technische Information / Technical Information
Kurzschlieer Thyristor
Crow Bar Thyristor
T 1101 N 30 TOF
BIP AC, 2001-10-18, Przybilla J.
Release 2
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N
1
Features:
Volle Sperrfhigkeit bei 125C mit 50 Hz
Full blocking capability at 125C with 50 Hz
Hohe Stostrme und niedriger Wrme-
High surge currents and low thermal resistance
widererstnde durch NTV-Verbindung
by using low temperature-connection NTV between
zwischen Silizium und Mo-Trgerscheibe.
silicon wafer and molybdenum.
Elektroaktive Passivierung durch a - C:H
Electroactive passivation by a - C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts - und Rckwrts - Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
f = 50 Hz
V
DRM
,
V
RRM
T
vj min
= -40C T
vj min
=0C
3000 3100
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
TRMSM
3450 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
T
C
= 85C, f = 50Hz
T
C
= 60C, f = 50Hz
I
TAVM
1520
2200
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms, V
R
= 0
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms, V
R
= 0
I
TSM
31
29
kA
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
I
2
t
4,810
6
4,210
6
A
2
s
A
2
s
Kritische Stromsteilheit, periodisch
critical rate of rise of on-state current, repetitive
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, v
D
= 0,67*V
DRM
i
GM
= 3A, di
G
/dt = 6A/s
(di/dt)
cr
300 A/s
Kritische Stromsteilheit, nicht periodisch
critical rate of rise of on-state current, non repetitive
Tvj = 50C,
i
GM
= 3A, di
G
/dt = 6A/s
(di/dt)
cr
1000 A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of forward voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5. Kennbuchstabe / 5 th letter F
(dv/dt)
cr
1000 V/s
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Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung
continuous direct forward off-state voltage
failure rate
< 100fit
estimate value
V
D
(DC)
typ
1500
V
Durchlaspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 4kA
V
T
typ
max
2,0
V
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
r
T
typ
max
1
0,227
V
m
Durchlarechenkennlinien
500 A
i
T
5000 A
On - state characteristics for calculation
( )
V
A B i
C
i
D
i
T
T
T
T
= + +
+ +
ln
1
T
vj
= T
vj max
A
B
C
D
typ
max
-0,09195
0,000239
0,1933
0,00753
Zndstrom
gate trigger current
T
vj
= 25C, v
D
= 6V
I
GT
350 mA
Zndspannung
gate trigger voltage
T
vj
= 25C, v
D
= 6V
V
GT
2,5 V
Nicht zndender Steuerstrom
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5
V
DRM
I
GD
20
10
mA
mA
nicht zndende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5
VDRM
V
GD
0,4 V
Haltestrom
holding current
t
vj
= 25C, v
D
= 12V, R
A
= 4,7
I
H
350 mA
Einraststrom
latching current
T
vj
= 25C, v
D
= 12V, R
GK
10
i
GM
= 3A, di
G
/dt= 6 A/s, t
g
= 20s
I
L
3 A
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
250 mA
Zndverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
t
vj
= 25C,
i
GM
= 3A, di
G
/dt = 6A/s
t
gd
2,5 s
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= 1000A
v
RM
= 100V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 25V/s, -di
T
/dt = 100A/s
4. Kennbuchstabe / 4 th letter O
t
q
typ
400 s
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Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided,
= 180sin
beidseitig / two-sided , DC
Anode / anode DC
Kathode / cathode DC
R
thJC
0,0129
0,012
0,0227
0,0225
C/W
C/W
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
R
thCK
0,004
0,008
C/W
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
T
vj max
125 C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+125 C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+150 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite 4
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate
65TN30
Anprekraft
clampig force
F
27...40 KN
Gewicht
weight
G
typ
850 G
Kriechstrecke
creepage distance
27 Mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Mabild / Outline
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Durchlakennlinien i
T
= f ( V
T
)
Limiting and typical on-state characteristic
T
vj
= 125
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
0
0,5
1
1,5
2
2,5
V
T
[V]
I
T
[A]
max
PDF 
ZIP