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Электронный компонент: T1201N

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Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1201N 60...70TOH
.
BIP AC / SM TM, 2003-01-28, Przybilla J. / Keller
Release 3
Seite/page
N
1
Features:
Volle Sperrfhigkeit bei 125 mit 50 Hz
Full blocking capability at 125C with 50 Hz

Hohe Stostrme und niedriger Wrme -
High surge currents and low thermal resistance
widerstand durch NTV Verbindung
by using low temperature NTV - connection between
zwischen Silizium und Mo - Trgerscheibe.
silicon wafer and Molybdnium.

Elektroaktive Passivierung durch a - C:H
Electroactive passivation by a - C:H



Elektrische Eigenschaften / Electrical properties


Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts - und Rckwrts - Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
f = 50 Hz
V
DRM
,
V
RRM
t
vj min
= -40C t
vj min
= 0C
6000 6200
6500 6700
7000 7200

V
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
TRMSM
2520 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
t
C
= 85C, f = 50Hz
t
C
= 60C, f = 50Hz
I
TAVM
1200
1600
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
t
vj
= 25C, t
p
= 10ms, V
R
= 0
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms, V
R
= 0
I
FSM
35
34
kA
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
t
vj
= 25C, t
p
= 10ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
I
2
t 6,12
10
6
5,78
10
6
A
2
s
A
2
s
Gehusegrenzstrom
case non-rupture current
Sinushalbwelle tp = 10 ms
sine half wave tp = 10 ms
75
kA
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, v
D
= 0,67 V
DRM
i
GM
= 3A, di
G
/dt = 6A/s
(di/dt)
cr
300 A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5. Kennbuchstabe / 5 th letter H
(dv/dt)
cr
2000 V/s












Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1201N 60...70TOH
.
BIP AC / SM TM, 2003-01-28, Przybilla J. / Keller
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2
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties



Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaspannung
on-state voltage

t
vj
= t
vj max
, i
T
= 2kA

v
T
typ
2,55
Max
2,7

V

Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance

t
vj
= t
vj max

V
(TO)
r
T
typ
1,12
0,714
Max
1,18
0,759

V
m

Durchlarechenkennlinien
On - state characteristics for calculation 500 A
i
T
5000 A
V
T
= A + B . i
T
+ C . ln(i
T
+1) + D .
i
T

t
vj
= t
vj max

A
B
C
D
typ
0,00017
0,000408
0,159
0,0117
max
0,00016
0,000509
0,184
0,00634
Zndstrom
gate trigger current
t
vj
= 25C, v
D
= 6V
I
GT
350 mA
Zndspannung
gate trigger voltage
t
vj
= 25C, v
D
= 6V
V
GT
2,5 V
Nicht zndender Steuerstrom
gate non-trigger current
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5
V
DRM
I
GD
20
10
mA
mA
nicht zndende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5
VDRM
V
GD
0,4 V
Haltestrom
holding current
t
vj
= 25C, v
D
= 12V, R
A
= 4,7
I
H
350 mA
Einraststrom
latching current
t
vj
= 25C, v
D
= 12V, R
GK
10
i
GM
= 3A, di
G
/dt= 6 A/s, t
g
= 20s
I
L
4 A
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
t
vj
= t
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
200 mA
Zndverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
t
vj
= 25C,
i
GM
= 3A, di
G
/dt = 6A/s
t
gd
2 s
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
t
vj
= t
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20V/s, -di
T
/dt = 10A/s
4. Kennbuchstabe / 4 th letter O
t
q
typ
650 s

Sperrverzgerungsladung
recovered charge
t
vj
= t
vj max
I
TM
= 2 kA, di/dt = 10 A/s
V
R
= 0,5 V
RRM
, V
RM
= 0,8 V
RRM

Q
r
.
10

mA
s
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
t
vj
= t
vj max
I
TM
= 2 kA, di/dt = 10 A/s
V
R
= 0,5 V
RRM
, V
RM
= 0,8 V
RRM
I
RM
250 A
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Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1201N 60...70TOH
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3
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided,
= 180sin
beidseitig / two-sided , DC
Anode / anode
DC
Kathode / cathode
DC
R
thJC
0,0096
0,009
0,015
0,0225
C/W
C/W
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCK
0,0025
0,005
C/W
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
vj max
125 C
Betriebstemperatur
operating temperature
t
c op
-40...+125 C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+150 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite
4
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate
77TEN70
Anprekraft
clampig force
F 36...52 kN
Gewicht
weight
G
typ
1650 g
Kriechstrecke
creepage distance
33 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50 m/s
2


Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Phase Control Thyristor
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Mabild / Outline





Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1201N 60...70TOH
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Durchlakennlinie i
T
= f (v
T
)
Limiting and typical on-state characteristic
t
vj
= 125C




0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
4,5
5
V
T
[V]
I
T
(A)
typ max