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Электронный компонент: T1219N

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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1219 N 20...28
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rckwrts-Spitzensperrspannung
T
vj
= - 40C...T
vj max
V
DRM
, V
RRM
2000
2200
V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
2400
2600
V
2800
V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
T
vj
= - 40C...T
vj max
V
DSM
2000
2200
V
non-repetitive peak foward off-state voltage
2400
2600
V
2800
V
Rckwrts-Stospitzensperrspannung
T
vj
= + 25C...T
vj max
V
RSM
2100
2300
V
non-repetitive peak reverse voltage
2500
2700
V
2900
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
I
TRSMSM
2625
A
RMSM on-state current
Dauergrenzstrom
T
C
= 85 C
I
TAVM
1220
A
average on-state current
T
C
= 61 C
1670,9
A
Stostrom-Grenzwert
T
vj
= 25C, t
p
= 10 ms
I
TSM
25000
A
surge current
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10 ms
22500
A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
It
3125
As*10
It-value
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
2531
As*10
Kritische Stromsteilheit
DIN IEC 747-6
(di
T
/dt)
cr
150
A/s
critical rate of rise of on-state current
f=50 Hz, v
L
= 10V, i
GM
= 1 A
di
G
/dt = 1 A/s
Kritische Spannungssteilheit
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
(dv
D
/dt)
cr
1000
V/s
critical rate of rise of off-state voltage
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
Tvj = Tvj max, iT = 3,50 kA
v
T
max.
2,13
V
on-state voltage
Tvj = Tvj max, iT = 1 kA
v
T
max.
1,38
V
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
T(TO)
1
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
0,2750
m
slope resistance
Durchlakennlinie
T
vj
= T
vj max
A=
0,9686992
on-state voltage
B=
2,17E-04
v
T
= A + B x i
T
+ C x ln (i
T
+ 1) + D x
i
T
C=
-0,0096522
D=
8,13E-03
Zndstrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V
I
GT
max.
250
mA
gate trigger current
Zndspannung
T
vj
= 25C, v
D
= 6V
V
GT
max.
2
V
gate trigger voltage
Nicht zndener Steuerstrom
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6 V
I
GD
max.
10
mA
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
,v
D
= 0,5 V
DRM
max.
5
mA
Nicht zndene Steuerspannung
T
vj
= T
vj max
,v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max.
0,25
mV
gate non-trigger voltage
Haltestrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
I
H
max.
500
mA
holding current
Einraststrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V, R
GK
>= 10
I
L
max.
2500
mA
latching current
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/s
t
g
= 20 s
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
T
vj
= T
vj max
i
D
, i
R
max.
200
mA
forward off-state and reverse currents
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
Zndverzug
DIN IEC 747-6
t
gd
max.
4,5
s
gate controlled delay time
T
vj
= 25C
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/s
BIP-AM / 00-04-14, K.-A.Rther
A 07/00
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1219 N 20...28
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
T
vj
= T
vj max
, i
TM
=I
TAVM
t
q
circuit commutatet turn-off time
v
RM
=100V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/s, -di
T
/dt = 10 A/s
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
typ.
350
s
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJC
thermal resitance, junction to case
beidseitig / two-sided, ? =180sin
max. 0,0184
C/W
beidseitig / two-sided, DC
max. 0,0170
C/W
Anode / anode, ? =180sin
max. 0,0344
C/W
Anode / anode, DC
max. 0,0330
C/W
Kathode / cathode, ? =180sin
max. 0,0364
C/W
Kathode / cathode, DC
max. 0,0350
C/W
bergangs- Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJK
thermal resitance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
max. 0,0035
C/W
einseitig / single-sided
max. 0,0070
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
T
vj max
125
C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
-40,,,+125
C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
-40,,,+150
C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
Seite 3
case, see appendix
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anprekraft
F
20...45
kN
clamping force
Gewicht
G
typ.
540
g
weight
Kriechstrecke
32
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50
m/s
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
BIP-AM / 00-04-14, K.-A.Rther
A 07/00
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1219 N 20...28
N
BIP-AM / 00-04-14, K.-A.Rther
A 07/00
Zn. Nr.: 1
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1219 N 20...28
N
Khlung
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
beidseitig
R
thn
[C/W]
0,000220
0,000000
0,001020
0,002830
0,006080
0,00575
two-sided
n
[s]
0,001360
0,003060
0,013900
0,066200
0,512000
1,490
anodenseitig
R
thn
[C/W]
0,000650
0,001900
0,002390
0,003810
0,004250
0,02000
anode-sided
n
[s]
0,001600
0,009100
0,079100
0,260000
1,736000
7,210
kathodenseitig
R
thn
[C/W]
0,000550
0,002060
0,006040
0,005510
0,020840
cathode-sided
n
[s]
0,001400
0,008570
0,154000
2,580000
7,0070
n
max
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
n
))
n=1
BIP-AM / 00-04-14, K.-A.Rther
A 07/00
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1219 N 20...28
N
Grenzdurchlakennlinie / Limiting 0n-state characteristic i
T
= f(v
T
)
T
vj
= T
vj
max
BIP-AM / 00-04-14, K.-A.Rther
A 07/00
Z. Nr.: 2
Seite/page 5
0
1.000
2.000
3.000
4.000
5.000
6.000
0,5
1
1,5
2
2,5
3
v
T
[V]
i
T
[A]