Technische Information / Technical Information
Lichtgezndeter Netz Thyristor
mit integriertem berspannungsschutz
Phase Control Thyristor, light triggered
with integrated overvoltage protection
T 1503 N 75...80 TOH
BIP AC / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller
Release 3.2
Seite/page
N
1
Features:
Lichtgezndeter Netz Thyristor
Phase Control Thyristor, light triggered
mit integriertem berspannungsschutz
with integrated overvoltage protection
Volle Sperrfhigkeit bei 120 mit 50 Hz
Full blocking capability at 120C with 50 Hz
Hohe Stostrme und niedrige Wrme-
High surge currents and low thermal resistance
widerstnde durch NTV-Verbindung
by using low temperature-connection NTV
zwischen Silizium und Mo-Trgerscheibe.
between silicon wafer and molybdenum.
Elektroaktive Passivierung durch a - C:H
Electroactive passivation by a - C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Rckwrts-Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
f = 50 Hz
V
RRM
T
vj min
= -40C T
vj min
= 0C
7500
7700
8000
8200
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
TRMSM
3800 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
T
C
= 85C, f = 50Hz
T
C
= 60C, f = 50Hz
I
TAVM
1760
2440
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
I
TSM
45
40
kA
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
I
2
t
10,1
10
6
8,0
10
6
A
2
s
A
2
s
Kritische Stromsteilheit, periodisch
critical rate of rise of on-state current, repetitive
DIN IEC 747-6
V
D
V
BO
, f = 50Hz,
P
L
= 40mW, t
rise
= 0,5s
(di/dt)
cr
300 A/s
Kritische Stromsteilheit, nicht-periodisch
critical rate of rise of on-state current, non-repetitive
DIN IEC 747-6
V
D
V
BO
, P
L
= 40mW, t
rise
= 0,5s
(di/dt)
cr
1000 A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of forward voltage
T
vj
= T
vj max
, v
DM
= 5kV
(dv/dt)
cr
2000 V/s
Technische Information / Technical Information
Lichtgezndeter Netz Thyristor
mit integriertem berspannungsschutz
Phase Control Thyristor, light triggered
with integrated overvoltage protection
T 1503 N 75...80 TOH
BIP AC / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller
Release 3.2
Seite/page
N
2
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Schutzndspannung (statisch)
protective break over voltage
T
vj
= 0C ... T
vj max
V
BO
min. 7500
V
Durchlaspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 4kA
V
T
typ.
max.
2,8
3,0
V
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance
T
vj
= T
vj max
V
TO
r
T
typ.
max.
1,20
1,24
0,40
0,44
V
m
Durchlarechenkennlinie
on-state characteristics for calculations 500 A
i
T
5000 A
( )
V
A B i
C
i
D
i
T
T
T
T
= + +
+ +
ln
1
T
vj
= T
vj max
A
B
C
D
typ.
max.
0,616
-0,0864
0,000219
0,000343
0,0342
0,2021
0,0161
0,000614
erforderliche Zndlichtleistung
required gate trigger light power
T
vj
= 25C, v
D
= 100V
P
LM
min. 40
mW
Haltestrom
holding current
T
vj
= 25C
I
H
350 mA
Einraststrom
latching current
T
vj
= 25C, v
D
= 100V,
P
L
= 40mW, t
an
= 0,5s
I
L
1 A
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
T
vj
= T
vj max
v
D
= v
R
= 7500V
i
D
, i
R
500 mA
Zndverzug
gate controlled delay time
T
vj
= 25C, v
D
= 1000V,
P
L
= 40mW, t
an
= 0,5s
t
gd
typ.
5
s
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100V, v
DM
= 0,67
v
DRM
dv
D
/dt = 20V/s, -di
T
/dt = 10A/s
4. Kennbuchstabe / 4
th
letter O
t
q
typ.
550
s
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
T
vj
= T
vj max
I
TM
= 2,5 kA, di/dt = 10A/s
V
R
= 0,5
V
RRM
, V
RM
= 0,8
V
RRM
Q
r
15 mAs
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
T
vj
= T
vj max
I
TM
= 2,5 kA, di/dt = 10A/s
V
R
= 0,5
V
RRM
, V
RM
= 0,8
V
RRM
I
RM
350 A
Technische Information / Technical Information
Lichtgezndeter Netz Thyristor
mit integriertem berspannungsschutz
Phase Control Thyristor, light triggered
with integrated overvoltage protection
T 1503 N 75...80 TOH
BIP AC / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller
Release 3.2
Seite/page
N
3
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided,
= 180sin
beidseitig / two-sided , DC
Anode / anode
DC
Kathode / cathode
DC
R
thJC
0,0063
0,0060
0,0106
0,0138
C/W
C/W
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCK
0,0015
0,003
C/W
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
T
vj max
+120
C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+120 C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+150 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite 4
Si-Element mit Druckkontakt, Lichtzndung
Si-pellet with pressure contact, ligt triggered
Silizium Tablette
silicon wafer
101LTN80
Anprekraft
clampig force
F
63...91 kN
Gewicht
weight
G
typ.
3200 g
Kriechstrecke
creepage distance
49 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
Technische Information / Technical Information
Lichtgezndeter Netz Thyristor
mit integriertem berspannungsschutz
Phase Control Thyristor, light triggered
with integrated overvoltage protection
T 1503 N 75...80 TOH
BIP AC / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller
Release 3.2
Seite/page
N
4
Mabild / Outline
Technische Information / Technical Information
Lichtgezndeter Netz Thyristor
mit integriertem berspannungsschutz
Phase Control Thyristor, light triggered
with integrated overvoltage protection
T 1503 N 75...80 TOH
BIP AC / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller
Release 3.2
Seite/page
N
5
Durchlakennlinien i
T
= f ( v
T
)
Limiting and typical on-state characteristic
T
vj
= 120
C
0
5 0 0
1 0 0 0
1 5 0 0
2 0 0 0
2 5 0 0
3 0 0 0
3 5 0 0
4 0 0 0
4 5 0 0
0
0 , 5
1
1 , 5
2
2 , 5
3
3 , 5
V
T
[V ]
I
T
[A
]
PDF 
ZIP