Vorlufige Daten
Preliminary Data
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T1869N
SZ-M / 01.06.99, K.-A. Rther
A 109/99
1/18
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Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rckwrts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
T
vj
= -40C... T
vj max
V
DRM
,V
RRM
1600
1800
2000
2200
V
V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
T
vj
= -40C... T
vj max
V
DSM
1600
1800
2000
2200
V
V
Rckwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
T
vj
= +25C... T
vj max
V
RSM
1700
1900
2100
2300
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
TRMSM
4100 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 85 C
T
C
= 60 C
I
TAVM
1866
2600
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge current
T
vj
= 25 C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I
TSM
40000
35000
A 1)
A
Grenzlastintegral
It-value
T
vj
= 25 C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
It
8000
6125
10 As
10 As
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/s
(di
T
/dt)
cr
200 A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter F
(dv
D
/dt)
cr
1000 V/s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 8 kA
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 2 kA
v
T
max.
max.
2,20
1,26
V
V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,90 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
0,155 m
Durchlakennlinie
on-state characteristic
T
T
T
T
i
D
)
1
i
(
Ln
C
i
B
A
v
+
+
+
+
=
T
vj
= T
vj max
A=
B=
C=
D=
5,416E-01
1,535E-04
6,292E-02
-1,530E-03
Zndstrom
gate trigger current
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V
I
GT
max.
300 mA
Zndspannung
gate trigger voltage
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V
V
GT
max.
2,5 V
Nicht zndender Steuerstrom
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6 V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
I
GD
max.
max.
10
5
mA
mA
Nicht zndende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max.
0,25 V
Haltestrom
holding current
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
I
H
max.
300 mA
Einraststrom
latching current
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V, R
GK
10
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/s, t
g
= 20 s
I
L
max.
1500 mA
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
max.
250 mA
Zndverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
T
vj
= 25 C,i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/s
t
gd
max.
4 s
1) Gehusegrenzstrom 36 kA (50 Hz Sinushalbwelle). / peak case non-rupture current 36 kA (50 Hz sinusoidal half-wave).
prepared by: K.-A.Rther
date of publication: 01.06.99
approved by: J.Novotny
revision:
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Preliminary Data
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Phase Control Thyristor
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Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/s, -di
T
/dt = 10 A/s
4.Kennbuchstabe / 4
th
letter O
t
q
typ.
300
s
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Khlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided, = 180sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, = 180sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, = 180sin
Kathode / cathode, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,0133
0,0125
0,0218
0,0206
0,0342
0,0318
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Khlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCH
max.
max.
0,0030
0,0060
C/W
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
125 C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+125 C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+150 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
30...65
kN
Steueranschlsse
control terminals
DIN 46244
Gate
Kathode /Cathode
A 2,8x0,8
A 4,8x0,8
Gewicht
weight
G
typ.
900 g
Kriechstrecke
creepage distance
30 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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Mabild
x) Pumprhrchen (isoliert betreiben!), evacuation pipe (keep insulated!)
1
2
4 5
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
4: Gate
5: Hilfskathode/
Cathode
(control terminal)
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R,t Werte
R
R,T-Werte
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[C/W]
0,000036
0,0006
0,00097
0,002914
0,00456
0,00342
beidseitig
two-sided
n
[s]
0,000287
0,00298
0,0135
0,134
0,449
2,05
R
thn
[C/W]
0,00029
0,00158
0,00139
0,00725
0,01009
anodenseitg
anode-sided
n
[s]
0,000719
0,00466
0,0564
0,272
1,139
R
thn
[C/W]
0,000045
0,00108
0,004635
0,01404
0,012
kathodenseitig
cathode-sided
n
[s]
0,000182
0,0036
0,0209
0,111
1,125
Analytische Funktion / Analytical function:
-
=
max
n
n=1
thn
thJC
n
-t
e
1
R
Z
Khler /Heatsink type: K 0,05 F 300W
natrliche Khlung / Natural cooling
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thCA
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[C/W]
0,00011
0,01909
0,2138
n
[s]
9,94
23,4
1253
Khler / Heatsink type: K 0,05 F 120l/s
verstrkte Khlung / Forced cooling
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thCA
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[C/W]
0,02
0,031
n
[s]
23,6
199
Analytische Funktion / Analytical function:
-
=
max
n
n=1
thn
thCA
n
-t
e
1
R
Z
Vorlufige Daten
Preliminary Data
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T1869N
SZ-M / 01.06.99, K.-A. Rther
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5/18
Seite/page
Diagramme
Diagramme
Trans. Wrmewid. beidseitig
0,000
0,002
0,004
0,006
0,008
0,010
0,012
0,014
0,016
0,001
0,01
0,1
1
10
t [s]
30
60
90
120
180
=
0
0
180
Transienter innerer Wrmewiderstand /Transient thermal impedance Z
thJC
= f(t)
Sinusfrmiger Strom / Sinusoidal current
Beidseitige Khlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle
0,000
0,002
0,004
0,006
0,008
0,010
0,012
0,014
0,016
0,018
0,001
0,01
0,1
1
10
t [s]
DC
180
120
90
60
30
=
0
0
180
Transienter innerer Wrmewiderstand / Transient thermal impedance Z
thJC
= f(t)
Rechteckfrmiger Strom / Rectangular current
Beidseitige Khlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle
PDF 
ZIP