Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 201N 60...70TOH
BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller
Release 2
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N
1
Features:
Volle Sperrfhigkeit bei 125 mit 50 Hz
Full blocking capability at 125C with 50 Hz
Hohe Stostrme und niedriger Wrme-
High surge currents and low thermal resistance
widererstnde durch NTV-Verbindung
by using low temperature-connection NTV between
zwischen Silizium und Mo-Trgerscheibe.
silicon wafer and molybdenum.
Elektroaktive Passivierung durch a - C:H
Electroactive passivation by a - C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts - und Rckwrts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
f = 50 Hz
V
DRM
,
V
RRM
t
vj min
= -40C t
vj min
= 0C
6000 6200
6500 6700
7000 7200
V
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
TRMSM
510 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
t
C
= 85C, f = 50Hz
t
C
= 60C, f = 50Hz
I
TAVM
245
325
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
t
vj
= 25C, t
p
= 10ms, V
R
= 0
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms, V
R
= 0
I
TSM
4,7
4,2
kA
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
t
vj
= 25C, t
p
= 10ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
I
2
t
110,510
3
88,210
3
A
2
s
A
2
s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, v
D
= 0,67 V
DRM
i
GM
= 3A, di
G
/dt = 6A/s
(di/dt)
cr
300 A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state current
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5. Kennbuchstabe / 5 th letter H
(dv/dt)
cr
2000 V/s
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Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 500A
v
T
typ.
3,25
Max.
3,40
V
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance
t
vj
= t
vj max
(200A / 600A)
V
(TO)
r
T
typ.
1,24
3,97
Max.
1,29
4,18
V
m
Durchlarechenkennlinien
On - state characteristics for calculation 100 A
i
T
1000 A
( )
V
A B i
C
i
D
i
T
T
T
T
= + +
+ +
ln
1
t
vj
= t
vj max
A
B
C
D
typ.
0,02009
0,002673
0,2013
0,02874
Max.
-0,4570
0,003951
0,4384
-0,03762
Zndstrom
gate trigger current
t
vj
= 25C, v
D
= 6V
I
GT
350 mA
Zndspannung
gate trigger voltage
t
vj
= 25C, v
D
= 6V
V
GT
2,5 V
Nicht zndender Steuerstrom
gate non-trigger current
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5
V
DRM
I
GD
20
10
mA
mA
nicht zndende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5
VDRM
V
GD
0,4 V
Haltestrom
holding current
t
vj
= 25C, v
D
= 12V, R
A
= 4,7
I
H
350 mA
Einraststrom
latching current
t
vj
= 25C, v
D
= 12V, R
GK
10
i
GM
= 3A, di
G
/dt= 6 A/s, t
g
= 20s
I
L
3 A
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
t
vj
= t
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
100 mA
Zndverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
t
vj
= 25C,
i
GM
= 3A, di
G
/dt = 6A/s
t
gd
2,5 s
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
t
vj
= t
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20V/s, -di
T
/dt = 10A/s
4. Kennbuchstabe / 4 th letter O
t
q
typ.
600 s
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
t
vj
= t
vj max
I
TM
= 500 A, di/dt = 10 A/s
V
R
= 0,5 V
RRM
, V
RM
= 0,8 V
RRM
Q
r
3,5 mAs
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
t
vj
= t
vj max
I
TM
= 500 A, di/dt = 10 A/s
V
R
= 0,5 V
RRM
, V
RM
= 0,8 V
RRM
I
RM
130 A
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Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided,
= 180sin
beidseitig / two-sided , DC
Anode / anode
DC
Kathode / cathode
DC
R
thJC
0,043
0,040
0,072
0.090
C/W
C/W
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCH
0,006
0,012
C/W
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
vj max
125 C
Betriebstemperatur
operating temperature
t
c op
-40...+125 C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+150 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite 4
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate
38TN70
Anprekraft
clampig force
F
7...12 kN
Gewicht
weight
G
typ.
250 g
Kriechstrecke
creepage distance
25 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Mabild / Outline
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Durchlakennlinie i
T
= f ( v
T
)
Limiting and typical on-state characteristic
t
vj
= 125
C
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1
2
3
4
5
6
V
F
[V]
I
F
(A)
typ max
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