Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 2351N 48...52TOH
.
BIP AC / SM TM, 2003-01-28, Przybilla J. / Keller
Release 4
Seite/page
N
1
Features:
Volle Sperrfhigkeit bei 125 mit 50 Hz
Full blocking capability at 125C with 50 Hz
Hohe Stostrme und niedriger Wrme-
High surge currents and low thermal resistance
widererstand durch NTV-Verbindung
by using low temperature-connection NTV between
zwischen Silizium und Mo-Trgerscheibe.
silicon wafer and molybdenum.
Elektroaktive Passivierung durch a - C:H
Electroactive passivation by a - C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts - und Rckwrts - Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
f = 50 Hz
V
DRM
,
V
RRM
t
vj min
= -40C t
vj min
= 0C
4800 4950
5000 5150
5200 5350
V
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
TRMSM
5000 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
t
C
= 85C, f = 50Hz
t
C
= 60C, f = 50Hz
I
TAVM
2350
3200
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
t
vj
= 25C, t
p
= 10ms, V
R
= 0
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms, V
R
= 0
I
TSM
55
54
kA
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
t
vj
= 25C, t
p
= 10ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
I
2
t 15,1
10
6
14,6
10
6
A
2
s
A
2
s
Gehusegrenzstrom
case non-rupture current
Sinushalbwelle tp = 10 ms
sine half wave tp = 10 ms
75
kA
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, v
D
= 0,67 V
DRM
i
GM
= 3A, di
G
/dt = 6A/s
(di/dt)
cr
300 A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5. Kennbuchstabe / 5 th letter H
(dv/dt)
cr
2000 V/s
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2
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 3kA
v
T
typ
1,7
max
1,85
V
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance
t
vj
= t
vj max
V
(TO)
r
T
typ
0,7
0,37
max
0,81
0,36
V
m
Durchlarechenkennlinien
500
A
i
T
5000 A
On - state characteristics for calculation
( )
V
A B i
C
i
D
i
T
T
T
T
= + +
+ +
ln
1
t
vj
= t
vj max
A
B
C
D
typ
0,452
0,000106
-0,0063
0,0179
max
-0,109
0,000195
0,139
0,00471
Zndstrom
gate trigger current
t
vj
= 25C, v
D
= 6V
I
GT
350 mA
Zndspannung
gate trigger voltage
t
vj
= 25C, v
D
= 6V
V
GT
2,5 V
Nicht zndender Steuerstrom
gate non-trigger current
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5
V
DRM
I
GD
20
10
mA
mA
nicht zndende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5
VDRM
V
GD
0,4 V
Haltestrom
holding current
t
vj
= 25C, v
D
= 12V, R
A
= 4,7
I
H
350 mA
Einraststrom
latching current
t
vj
= 25C, v
D
= 12V, R
GK
10
i
GM
= 3A, di
G
/dt= 6 A/s, t
g
= 20s
I
L
4 A
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
t
vj
= t
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
200 mA
Zndverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
t
vj
= 25C,
i
GM
= 3A, di
G
/dt = 6A/s
t
gd
2 s
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
t
vj
= t
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20V/s, -di
T
/dt = 10A/s
4. Kennbuchstabe / 4 th letter O
t
q
typ
550 s
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
t
vj
= t
vj max
I
TM
= 2 kA, di/dt = 10 A/s
V
R
= 0,5 V
RRM
, V
RM
= 0,8 V
RRM
Q
r
17
mAs
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
t
vj
= t
vj max
I
TM
= 2 kA, di/dt = 10 A/s
V
R
= 0,5 V
RRM
, V
RM
= 0,8 V
RRM
I
RM
360 A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
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3
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided,
= 180sin
beidseitig / two-sided , DC
Anode / anode
DC
Kathode / cathode
DC
R
thJC
0,0064
0,006
0,011
0,013
C/W
C/W
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCK
0,002
0,004
C/W
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
vj max
125 C
Betriebstemperatur
operating temperature
t
c op
-40...+125 C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+150 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite
4
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate
88TEN53
Anprekraft
clampig force
F 45...65 KN
Gewicht
weight
G
typ
1500 g
Kriechstrecke
creepage distance
33 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Mabild / Outline
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5
Durchlakennlinie i
T
= f ( v
T
)
Limiting and typical on-state characteristic
t
vj
= 125
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
0
0,5
1
1,5
2
2,5
V
T
[V]
I
T
[A
]
typ
max
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6
Steuerkreischarakteristik mit Zndbereichen
Gate characteristic with triggering areas
v
G
= f (i
G
), V
D
= 6V
Parameter a
b
c
Steuerimpulsdauer / trigger pulse duration t
g
(ms) 10
1
0,5
Hchstzulssige Spitzensteuerverlustleistung
Max. rated peak power dissipation
P
GM
(W) 20
40
60
3 0
2 0
1 0
5
2
1
0 , 5
0 , 2
1 0
1 0 0 0 0
5 0 0 0
2 0 0 0
5 0
2 0
1 0 0
2 0 0
5 0 0
1 0 0 0
i
G
[ m A ]
+ 1 2 5 C
+ 2 5 C
- 4 0 C
a
b
c
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7
Transienter innerer Wrmewiderstand
Transient thermal impedance Z
(th)JC
= f (t)
doppelseitige
Khlung
anodenseitige
Khlung
kathodenseitige
Khlung
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
1 0,0008
1,3
0,0051
8
0,0071
10,5
2 0,0015
0,27
0,0022
0,39
0,0022
0,39
3 0,0007
0,14
0,0007
0,14
0,0007
0,14
4 0,0024
0,103
0,0024
0,103
0,0024
0,103
5 0,0006
0,005
0,0006
0,005
0,0006
0,005
0,006
-
0,011
-
0,013
-
(
)
Z
R
e
thJC
thn
t
n
n
n
=
-
-
=
1
1
/
m ax
0
0,005
0,01
0,015
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t / [sec.]
Z
(th
) JC /
[K/W
]
d
k
a
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8
Sperrverzgerungsladung Q
r
= f ( - di/dt )
recovered charge
t
vj
= 125
C, I
TM
= 2000A,v
R
= 0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
9
8
7
6
5 0
4 0
3 0
2 0
1 0
5
4
3
2
3 0
2 0
1 0
9
8
7
6
5
4
3
2
1
- d i / d t [ A / s ]
Q
rr
[m
As
]
m a x
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Rckstromspitze / reverse recovery current
(typische Abhngigkeit / typical dependence)
I
RM
= f (di/dt)
t
vj
= 125
C, I
TM
= 2000A, v
R
= 0,5
V
RRM
, v
RM
= 0,8
V
RRM
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
d i / d t [A / s]
I
RM
[A]
PDF 
ZIP