Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 2401N 48...52TOH
BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller
Release 3
Seite/page
N
1
Features:
Volle Sperrfhigkeit bei 125 mit 50 Hz
Full blocking capability at 125C with 50 Hz
Hohe Stostrme und niedriger Wrme-
High surge currents and low thermal resistance
widererstnde durch NTV-Verbindung
by using low temperature-connection NTV between
zwischen Silizium und Mo-Trgerscheibe.
silicon wafer and molybdenum.
Elektroaktive Passivierung durch a - C:H
Electroactive passivation by a - C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts - und Rckwrts - Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
f = 50 Hz
V
DRM
,
V
RRM
t
vj min
= -40C t
vj min
= 0C
4800 4950
5000 5150
5200 5350
V
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
TRMSM
5900 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
t
C
= 85C, f = 50Hz
t
C
= 60C, f = 50Hz
I
TAVM
2800
3750
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
t
vj
= 25C, t
p
= 10ms, V
R
= 0
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms, V
R
= 0
I
FSM
55
50
kA
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
t
vj
= 25C, t
p
= 10ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
I
2
t
15,110
6
12,510
6
A
2
s
A
2
s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
Entladestrom der Beschaltung
discharging of RC - snubber
f = 50Hz, i
GM
= 3A, di
G
/dt =6A/s
(di/dt)
cr
I
TM (RC)
300
200
A/s
A
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state current
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5. Kennbuchstabe / 5 th letter H
(dv/dt)
cr
2000 V/s
Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 2401N 48...52TOH
BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller
Release 3
Seite/page
N
2
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 4kA
v
T
typ
1,8
max
1,95
V
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance
t
vj
= t
vj max
V
(TO)
r
T
typ
0,92
0,22
max
0,99
0,24
V
m
Durchlarechenkennlinien
500 A
i
T
6000 A
On - state characteristics for calculation
V
T
= A + B . i
T
+ C . ln(i
T
+1) + D .
i
T
t
vj
= t
vj max
A
B
C
D
typ
0,147
0,0000399
0,0651
0,0151
max
0,659
0,0000119
-0,0382
0,0247
Zndstrom
gate trigger current
t
vj
= 25C, v
D
= 6V
I
GT
350 mA
Zndspannung
gate trigger voltage
t
vj
= 25C, v
D
= 6V
V
GT
2,5 V
Nicht zndender Steuerstrom
gate non-trigger current
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5
V
DRM
I
GD
20
10
mA
mA
nicht zndende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5
VDRM
V
GD
0,4 V
Haltestrom
holding current
t
vj
= 25C, v
D
= 12V, R
A
= 4,7
I
H
350 mA
Einraststrom
latching current
t
vj
= 25C, v
D
= 12V, R
GK
10
i
GM
= 3A, di
G
/dt= 6 A/s, t
g
= 20s
I
L
3 A
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
t
vj
= t
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
200 mA
Zndverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
t
vj
= 25C,
i
GM
= 3A, di
G
/dt = 6A/s
t
gd
2 s
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
t
vj
= t
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20V/s, -di
T
/dt = 10A/s
4. Kennbuchstabe / 4 th letter O
t
q
typ
350 s
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
t
vj
= t
vj max
I
TM
= 2 kA, di/dt = 10 A/s
V
R
= 0,5 V
RRM
, V
RM
= 0,8 V
RRM
Q
r
max.
16 mAs
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
t
vj
= t
vj max
I
TM
= 2 kA, di/dt = 10 A/s
V
R
= 0,5 V
RRM
, V
RM
= 0,8 V
RRM
I
RM
300 A
Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 2401N 48...52TOH
BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller
Release 3
Seite/page
N
3
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided, = 180sin
beidseitig / two-sided , DC
Anode / anode
DC
Kathode / cathode
DC
R
thJC
0,0054
0,0050
0,0090
0.0112
C/W
C/W
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCH
0,0015
0,0030
C/W
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
vj max
125 C
Betriebstemperatur
operating temperature
t
c op
-40...+125 C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+150 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite 4
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate
100TN52
Anprekraft
clampig force
F
63...91 kN
Gewicht
weight
G
typ
3000 g
Kriechstrecke
creepage distance
49 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 2401N 48...52TOH
BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller
Release 3
Seite/page
N
4
Mabild / Outline
Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 2401N 48...52TOH
BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller
Release 3
Seite/page
N
5
Durchlakennlinie i
T
= f ( v
T
)
Limiting and typical on-state characteristic
t
vj
= 125
C
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
0
1
2
3
V
T
[V]
I
T
(A)
typ
max
PDF 
ZIP