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Электронный компонент: T2709N

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European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
VWK Nov. 1996
Marketing Information
T 2709 N
3
Anode
75
75
Cathode
plug A
2,8 x 0,8
plug A
4,8 x 0,8
3,5
+0,1
x 3,5 deep
on both sides
T 2709 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Hchstzulssige Werte
Maximum rated values
Periodische
Vorwrts-
und
Rckwrts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
t
vj
= -40C...t
vj max
V
DRM
, V
RRM
1600
1800
2000 2200
V
Vorwrts-
Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state
voltage
t
vj
= -40C...t
vj max
V
DSM
1600
1800
2000 2200
V
Rckwrts-
Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
t
vj
= +25C...t
vj max
V
RSM
1700
1900
2100 2300
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS on-state current
I
TRMSM
5800 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
t
c
= 85C
I
TAVM
2709 A
t
c
= 61C
3700 A
Stostrom-Grenzwert
surge current
t
vj
= 25C, t
p
= 10 ms
I
TSM
54000 A
1
)
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
50000 A
1
)
Grenzlastintegral
I
2
t-value
t
vj
= 25C, t
p
= 10 ms
I
2
t
14,58 10
6
A
2
s
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
12,5 10
6
A
2
s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6, f = 50 Hz
(di
T
/dt)
cr
200 A/s
I
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
(dv
D
/dt)
cr
5.Kennbuchstabe/5th letter F
1000 V/s
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 11000 A
v
T
max. 2,35 V
Schleusenspannung
threshold voltage
t
vj
= t
vj max
V
T(TO)
0,9 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
t
vj
= t
vj max
r
T
0,125 m
Zndstrom
gate trigger current
t
vj
= 25 C, v
D
= 6 V
I
GT
max. 250 mA
Zndspannung
gate trigger voltage
t
vj
= 25 C, v
D
= 6 V
V
GT
max. 2 V
Nicht zndender Steuerstrom
gate non-trigger current
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6 V
I
GD
max. 10 mA
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
max. 5 mA
Nicht zndende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max. 0,25 V
Haltestrom
holding current
t
vj
= 25 C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
I
H
max. 300 mA
Einraststrom
latching current
t
vj
= 25 C,v
D
= 6 V, R
GK
> = 10
I
L
max. 1500 mA
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/s, t
g
= 20 s
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents
t
vj
= t
vj max
i
D
, i
R
max. 250 mA
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
Zndverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6, t
vj
= 25C
t
gd
max. 4 s
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/s
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
t
vj
= t
vj max
, i
TM
= I
TAVM
t
q
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
-di
T
/dt = 20 A/s, -di
T
/dt=10A/s
4.Kennbuchstabe/4th letter O
typ. 300 s
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction
Khlflche/cooling surface
R
thJC
to case
beidseitig/two-sided,
=180 sin
max. 0,0085 C/W
beidseitig/two-sided, DC
max. 0,0078 C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Khlflche/cooling surface
R
thCK
beidseitig/two-sided
max. 0,0025 C/W
einseitig /single-sided
max. 0,0050 C/W
Hchstzul.Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
vj max
125 C
Betriebstemperatur
operating temperature
t
c op
-40...+125 C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+150 C
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Si-Elemente mit Druckkontakt,
Amplifying-Gate,verzweigt
Si-pellet with pressure contact,
amplifying gate, interdigitated
Anprekraft
clamping force
F
42...95 kN
Gewicht
weight
G
typ. 1200 g
Kriechstrecke
creepage distance
30 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s
Gehuse
case
Titelseite / front page
1
) Gehusegrenzstrom 38 kA (50Hz Sinushalbwelle). / Current limit of case 38 kA (50Hz sinusoidal half-wave).
Bild / Fig. 1
Grenzdurchlakennlinie / Limiting on-state characteristic i
T
= f(v
T
)
t
vj
= t
vj max
Bild / Fig. 2
Durchlaverlustleistung / On-state power loss P
TAV
= f(I
TAV
)
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle
Bild / Fig. 3
Durchlaverlustleistung / On-state power loss P
TAV
= f(I
TAV
)
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle
Bild / Fig. 5
Hchstzulssige Gehusetemperatur / Maximum allowable case temperature
t
c
= f(I
TAVM
)
Beidseitige Khlung / Two sided cooling
Parameter: Stromfluwinkel / current conduction angle
Bild / Fig. 8
Hchstzulssige Gehusetemperatur / Maximum allowable case temperature
t
c
= f(I
TAVM
)
Beidseitige Khlung / Two sided cooling
Parameter: Stromfluwinkel / current conduction angle
Bild / Fig. 8
Steuercharakteristik mit Zndbereichen / Gate characteristic with trigging
areas v
G
= f(i
G
), V
D
= 6 V
Parameter:
Steuerimpulsdauer / Puls duration t
g
Hchstzulssige Spitzensteuerleistung
Maximum allowable peak gate power
a
b
c
[ms]
10
1
0,5
[W]
20
40
60
T 2709 N
T 2709 N / 2
P
TAV
[kW]
I
TAV
[kA]
180
120
90
60
= 30
8
7
6
5
4
3
2
1
0
3
2,5
2
1,5
1
0,5
0
4
3,5
T 2709 N / 3
P
TAV
[kW]
I
TAV
[kA]
180
120
90
60
= 30
10
8
6
4
2
00
0
1
2
3
4
5
6
DC
T 2709 N / 5
t
C
[C]
I
TAVM
[kA]
180
120
90
60
= 30
140
120
100
80
60
40
200
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
T 2709 N / 8
t
C
[C]
I
TAVM
[kA]
180
120
90
60
= 30
140
120
100
80
60
40
200
0
1
2
3
4
5
6
DC
T 2709 N / 8
v
G
[V]
i
G
[mA]
10
1
10
0
10
-1
10
1
10
2
10
3
10
4
2
3 4 5 6 7
2
3 4 5 6 7
2
3 4 5 6 7
2
3
4
5
7
2
3
4
5
7
2
3
a
b
c
T 2709 N / 1
16
14
12
10
8
6
4
2
0
i
T
[kA]
v
T
[V]
0,5
1
1,5
2
2,5
3
0
0
T 2709 N
Bild / Fig. 9
Zndverzug / Gate controlled delay time t
gd
= f(i
GM
), t
vj
= 25C,
di
G
/dt = i
GM
/1s
a - Maximaler Verlauf / Limiting characteristic
b - Typischer Verlauf / Typical characteristic
Bild / Fig. 10
Sperrverzgerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(di/dt)
t
vj
= t
vj max
, v
R
0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlastrom / On-state current i
TM
Bild / Fig. 11
Transienter innerer Wrmewiderstand / Transient thermal impedance
Z
thJC
= f(t)
Beidseitige Khlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle
Bild / Fig. 12
Transienter innerer Wrmewiderstand / Transient thermal impedance
Z
thJC
= f(t)
Beidseitige Khlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
pro Zweig fr DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
per arm for DC
Pos. n
R
thn
[C/W]
n
[s]
Beidseitige Khlung / Two-sided cooling
1
2
3
4
5
6
Analytische Funktion / Analytical function:
n
max
n=1
Z
thJC
= R
thn
(1-e )
t
-
n
0,00003
0,00039
0,00123
0,0028
0,00338
0,000055 0,00392
0,0152
0,2068
1,0914
T 2709 N / 9
t
gd
[s]
i
GM
[mA]
10
-1
10
1
10
2
10
3
10
4
2
3 4 5 6 7
2
3 4 5 6 7
2
3 4 5 6 7
a
10
0
10
1
10
2
10
3
2
3
5
2
3
5
2
3
5
2
3
5
b
T 2709 N / 10
Q
r
[As]
-di/dt [A/s]
10
0
10
1
10
2
2
3
4 5 6 7
2
3
4 5 6 7
10
4
10
3
2
3
4
5
6
8
2
4000 A
i
TM
=
100 A
200 A
2000 A
1000 A
500 A
T 2709 N / 11
Z
thJC
[C/W]
t [s]
0,010
0,008
0,006
0,004
0,002
0
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-3
2 3 4 6
2 3 4 6
2 3 4 6
2 3 4 6
2 3 4 6
60
= 30
90
120
180
T 2709 N / 12
Z
thJC
[C/W]
t [s]
0,012
0,010
0,008
0,006
0,004
0,002
0
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-3
2 3 4 6
2 3 4 6
2 3 4 6
2 3 4 6
2 3 4 6
DC
0
= 30
60
90
120
180
0