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Электронный компонент: T3159N

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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 3159 N 12...18
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Vorlufige Daten
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Preliminary Data
Periodische Vorwrts- und Rckwrts-Spitzensperrspannung
T
vj
= - 40C...T
vj max
V
DRM
, V
RRM
1200, 1400
V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
1600, 1800
V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
T
vj
= - 40C...T
vj max
V
DSM
1200, 1400
V
non-repetitive peak foward off-state voltage
1600, 1800
V
Rckwrts-Stospitzensperrspannung
T
vj
= + 25C...T
vj max
V
RSM
1300, 1500
V
non-repetitive peak reverse voltage
1700, 1900
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
I
TRSMSM
7000
A
RMSM on-state current
Dauergrenzstrom
T
C
= 85C
I
TAVM
3160
A
average on-state current
T
C
= 59C
4460
A
Stostrom-Grenzwert
T
vj
= 25C, t
p
= 10 ms
I
TSM
63000
A
1)
surge current
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10 ms
57000
A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
It
19845
As*10
It-value
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
16245
As*10
Kritische Stromsteilheit
DIN IEC 747-6
(di
T
/dt)
cr
200
A/s
critical rate of rise of on-state current
f=50 Hz, v
L
= 10V, i
GM
= 1 A
di
G
/dt = 1 A/s
Kritische Spannungssteilheit
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
(dv
D
/dt)
cr
1000
V/s
critical rate of rise of off-state voltage
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
T
vj
= T
vj max
, i
T
=14.000 A
v
T
max.
2,04
V
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
T
=6000 A
max.
1,37
V
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
T(TO)
0,85
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
0,082
m
slope resistance
Durchlakennlinie
T
vj
= T
vj max
A
0,728
on-state voltage
B
7,670 E-5
v
T
= A + B x i
T
+ C x ln (i
T
+ 1 ) + D x
i
T
C
7,743 E-3
D
1,570 E-3
Zndstrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V
I
GT
max.
250
mA
gate trigger current
Zndspannung
T
vj
= 25C, v
D
= 6V
V
GT
max.
2,5
V
gate trigger voltage
Nicht zndener Steuerstrom
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6 V
I
GD
max.
10
mA
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
,v
D
= 0,5 V
DRM
max.
5
mA
Nicht zndene Steuerspannung
T
vj
= T
vj max
,v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max.
0,25
mV
gate non-trigger voltage
Haltestrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
I
H
max.
300
mA
holding current
Einraststrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V, R
GK
>= 10
I
L
max.
1500
mA
latching current
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/s
t
g
= 20 s
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
T
vj
= T
vj max
i
D
, i
R
max.
250
mA
forward off-state and reverse currents
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
Zndverzug
DIN IEC 747-6
t
gd
max.
4
s
gate controlled delay time
T
vj
= 25C
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/s
1)
Gehusegrenzstrom 38 kA (50Hz Sinushalbwelle). / Current limit of case 38kA (50 Hz sinusodial half-wave)
SZ-MA / 06. Juni 97 , K.-A.Rther
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 3159 N 12...18
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Vorl ufige Daten
Charakteristische Werte / Characteristic values
Preliminary Data
Freiwerdezeit
T
vj
= T
vj max
, i
TM
=I
TAVM
t
q
circuit commutatet turn-off time
v
RM
=100V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/s, -di
T
/dt = 10 As
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
typ.
250
s
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer W rmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJC
thermal resitance, junction to case
beidseitig / two-sided, Z=180sin
max. 0,0085
C/W
beidseitig / two-sided, DC
max. 0,0078
C/W
bergangs- W rmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJK
thermal resitance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
max. 0,0025
C/W
einseitig / single-sided
max. 0,0050
C/W
Hchstzul ssige Sperrschichttemperatur
T
vj max
125
C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
-40...125
C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
-40...150
C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Geh use, siehe Anlage
Seite 3
case, see appendix
page 3
Si-Element mit Druckkontakt, Ampilfying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate
Anprekraft
F
42...95
kN
clamping force
Gewicht
G
typ.
1200
g
weight
Kriechstrecke
30
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50
m/s
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erl uterungen./ This technical Information specifies semiconductor devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 3159 N 12...18
N
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A103/98
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 3159 N 12 ...18
N
Khlung
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedanceZ
thJC
for DC
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
beidseitig
R
thn
[C/W]
0,00003
0,00039 0,00123
0,0028 0,00338
two-sided
n
[s]
0,000055
0,00392 0,0152
0,2068 1,0914
anodenseitig
R
thn
[C/W]
anode-sided
n
[s]
kathodenseitig
R
thn
[C/W]
cathode-sided
n
[s]
n
max
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
R
thn
( 1 - EXP ( - t
/
n
))
n=1
SZ-MA / 06 Juni 97, K.-A.Rther
A103/98
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 3159 N 12...18
N
Grenzdurchlakennlinie / Limiting on-state characteristic i
T
= f(v
T
)
T
vj
= 125 C
SZ-MA / 06. Juni 97, K.-A.Rther
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Z. Nr.: 1
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0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
2,2
2,4
2,6
v
T
[V]
i
T
[kA]
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 3159 N 12...18
N
Durchlaverlustleistung / On-state power loss P
TAV
= f(I
TAV
)
Parameter: Stromfluwinkel / current conduction angle
SZ-MA / 06. Juni 97, K.-A. Rther
A 103/98
Z.Nr.: 2
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0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
0
1000
2000
3000
4000
5000
I
TAV
[A]
P
TAV
[W]
= 30
60
90
120
120
180
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 3159 N 12...18
N
Hchstzulssige Gehusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
C
= f(I
TAVM
)
Beidseitige Khlung / two sided cooling
Parameter: Stromfluwinkel
/ current conduction angle
SZ-MA / 06.Juni 97, K.-A. Rther
A 103/98
Z.Nr.: 3
Seite/page 7 (14)
20
40
60
80
100
120
140
0
1000
2000
3000
4000
5000
I
TAVM
[A]
T
C
[C]
= 30
60
90
120
180
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 3159 N 12...18
N
Durchlaverlustleistung / On-state power loss P
TAV
= f(I
TAV
)
Parameter: Stromfluwinkel
/ current conduction angle
SZ-MA / 06. Juni 97 , K.-A. Rther
A 103/97
Z.Nr.: 4
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0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
I
TAV
[A]
P
TAV
[W]
DC
180
120
90
60
= 30
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 3159 N 12...18
N
Hchstzulssige Gehusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
C
= f(I
TAVM
)
Beidseitige Khlung / two sided cooling
Parameter: Stromfluwinkel / current conduction angle
SZ-MA / 06.Juni 97 K.-A. Rther
A 103/98
Z.Nr.: 5
Seite/page 9(14)
20
40
60
80
100
120
140
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
I
TAVM
[A]
T
C
[C]
= 30
60
90
120
180
DC
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 3159 N 12...18
N
Steuercharakteristik v
G
= f (i
G
) mit Zndbereichen fr V
D
= 6 V
Gate characteristic v
G
= f(i
G
) with triggering area for V
D
= 6 V
Hchstzulssige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated
peak gate power disspation PGM = f(tg):
a - 20W/10ms b - 40W/1ms c - 60/0,5ms
SZ-MA; 06.Juni 97, K.-A. Rther
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Z.Nr.: 6
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 3159 N 12...18
N
Zndverzug / Gate controlled delay time t
gd
= f(i
G
)
T
vj
= 25C, di
G
/dt = i
GM
/1s
a - maximaler Verlauf / limiting characteristic
b - typischer Verlauf / typical characteristic
SZ-MA; 06.Juni 97, K.-A. Rther
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Z.Nr.: 7
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 3159 N 12...18
N
Sperrverzgerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(-di/dt)
T
vj
= T
vj max
, v
R
<= 0,5 V
RRM
, v
RM
<= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlastrom / On-state current i
TM
SZ-MA / 06.Juni 97, K.-A. Rther
A 103/98
Z.Nr.:8
Seite/page 12 (14)
1.000
10.000
100.000
1
10
100
-di/dt [A/s]
Q
r
[As]
200
500
1000
2000
5000
i
TM
[A]
100
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 3159 N 12...18
N
Transienter innerer Wrmewiderstand / Transient thermal impedance Z
(th)JC
= f(t)
Beidseitige Khlung / two sided cooling
Parameter: Stromfluwinkel / current conduction angle
SZ-MA; 06.Juni 97, K.-A. Rther
A 103/98
Z.Nr.:11
Seite/page 13(14)
0
0,001
0,002
0,003
0,004
0,005
0,006
0,007
0,008
0,009
0,01
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Z
(th)JC
[C]
=
30
60
90
120
180
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 3159 N 12...18
N
Transienter innerer Wrmewiderstand / Transient thermal impedance Z
(th)JC
= f(t)
Beidseitige Khlung / two sided cooling
Parameter: Stromfluwinkel / current conduction angle
SZ-MA; 06. Juni 97, K.-A.Rther
A 103/98
Z.Nr.: 12
Seite/page 14 (14)
0,0000
0,0010
0,0020
0,0030
0,0040
0,0050
0,0060
0,0070
0,0080
0,0090
0,0100
0,0110
0,0120
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Z
(thJC)
[C/W]
DC
=
30
60
90
120
180