Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 3801 N 31...36 TOF
BIP AC / SM PB / 2001-08-07, Przybilla J./ Keller
Release 1
Seite/page
N
1
Features:
Volle Sperrfhigkeit bei 125 mit 50 Hz
Full blocking capability at 125C with 50 Hz
Hohe Stostrme und niedriger Wrme-
High surge currents and low thermal resistance
widerstnde durch NTV-Verbindung
by using low temperature joining technique NTV
zwischen Silizium und Mo-Trgerscheibe
between silicon wafer and molybdenum
Elektroaktive Passivierung durch a - C:H
Electroactive passivation by a - C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts - und Rckwrts - Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
f = 50 Hz
V
DRM
,
V
RRM
t
vj min
= -40C.. t
vj min
= 0C
3100 3200
3300 3400
3500 3600
3600 3700
V
V
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
TRMSM
8000 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
t
C
= 85C, f = 50Hz
t
C
= 60C, f = 50Hz
I
TAVM
3810
5110
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
t
vj
= 25C, t
p
= 10ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
I
TSM
75 kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
t
vj
= 25C, t
p
= 10ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
I
2
t
2810
6
A
2
s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, v
D
= 0,67 V
DRM
i
GM
= 3A, di
G
/dt = 6A/s
(di/dt)
cr
300 A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state current
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5. Kennbuchstabe / 5 th letter F
(dv/dt)
cr
1000 V/s
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2
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 4kA
v
T
typ
1,3
max
1,4
V
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance
t
vj
= t
vj max
V
(TO)
r
T
typ
0,76
0,135
max
0,82
0,145
V
m
Durchlarechenkennlinien
500A
i
T
5000 A
On - state characteristics for calculation
V
T
= A + B . i
T
+ C . ln(i
T
+1) + D .
i
T
t
vj
= t
vj max
A
B
C
D
0,742
-
0,0000703
-0,0676
0,022
0,449
0,0000584
0,039
0,00619
Zndstrom
gate trigger current
t
vj
= 25C, v
D
= 6V
I
GT
350 mA
Zndspannung
gate trigger voltage
t
vj
= 25C, v
D
= 6V
V
GT
2,5 V
Nicht zndender Steuerstrom
gate non-trigger current
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5
V
DRM
I
GD
20
10
mA
mA
nicht zndende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5
VDRM
V
GD
0,4 V
Haltestrom
holding current
t
vj
= 25C, v
D
= 12V, R
A
= 4,7
I
H
350 mA
Einraststrom
latching current
t
vj
= 25C, v
D
= 12V, R
GK
10
i
GM
= 2A, di
G
/dt= 4 A/s, t
g
= 20s
I
L
3 A
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
t
vj
= t
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
200 mA
Zndverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
t
vj
= 25C,
i
GM
= 2A, di
G
/dt = 4A/s
t
gd
1,5 s
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
t
vj
= t
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20V/s, -di
T
/dt = 10A/s
4. Kennbuchstabe / 4 th letter O
t
q
typ
300 s
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
t
vj
= t
vj max
I
TM
= 4000A, di/dt = 10 A/s
V
R
= 0,5 V
RRM
, V
RM
= 0,8 V
RRM
Q
r
10,5 mAs
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
t
vj
= t
vj max
I
TM
= 4000A, di/dt = 10 A/s
V
R
= 0,5 V
RRM
, V
RM
= 0,8 V
RRM
I
RM
300 A
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3
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided, = 180sin
beidseitig / two-sided , DC
Anode / anode
DC
Kathode / cathode
DC
R
thJC
0,0048
0,0045
0,00855
0.0095
C/W
C/W
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCH
0,0015
0,0030
C/W
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
vj max
125 C
Betriebstemperatur
operating temperature
t
c op
-40...+125 C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+150 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite 4
Si - Element mit Druckkontakt, Amplifying gate
Si - pellet with pressure contact, amplifying gate
Silizium Tablette
silicon wafer
101TN36
Anprekraft
clampig force
F
63...91 kN
Gewicht
weight
G
typ
2500 g
Kriechstrecke
creepage distance
33 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehrigen technischen
Erluterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Mabild / Outline
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5
Durchlakennlinie i
T
= f ( v
T
)
Limiting and typical on-state characteristic
T
vj
= 125
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
0
0,5
1
1,5
2
2,5
VT [V]
I T (A)
typ max
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6
Steuerkreischarakteristik mit Zndbereichen
Gate characteristic with triggering areas
v
G
= f (i
G
), V
D
= 6V
Parameter
a
b
C
Steuerimpulsdauer / trigger pulse duration
t
g
(ms
10
1
0,5
Hchstzulssige Spitzensteuerverlustleistung
Max. rated peak power dissipation
P
GM
(W)
20
40
60
3 0
2 0
1 0
5
2
1
0 , 5
0 , 2
1 0
1 0 0 0 0
5 0 0 0
2 0 0 0
5 0
2 0
1 0 0
2 0 0
5 0 0
1 0 0 0
i
G
[ m A ]
+ 1 2 5 C
+ 2 5 C
- 4 0 C
a
b
c
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Transienter innerer Wrmewiderstand
Transient thermal impedance
Z
(th) JC
= f (t)
doppelseitige
Khlung
anodenseitige
Khlung
kathodenseitige
Khlung
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
1 0,00238
1,03
0,00562
5,69
0,00653
6,08
2 0,00108
0,16
0,00083
0,59
0,00072
0,81
3 0,00073
0,03
0,00124
0,139
0,000129
0,16
4 0,00031
0,0071
0,00068
0,02
0,00070
0,025
5
0,00018
0,0058
0,00026
0,0068
0,0045
-
0,00855
-
0,0095
-
Doppelseitige Khlung / double sided cooling:
add. R
th
[K/W]
180-Rechteckstrom / 180 rectangular current:
0,00035
120-Rechteckstrom / 120 rectangular current:
0,00052
60-Rechteckstrom / 60 rectangular current:
0,00072
30-Rechteckstrom / 30 rectangular current:
0,00085
180-Sinusstrom / 180 sine current:
0,00033
(
)
Z
R
e
th JC
th n
t
n
n
n
=
-
-
=
1
1
/
m ax
0
0,001
0,002
0,003
0,004
0,005
0,006
0,007
0,008
0,009
0,01
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t / [sec.]
Z
(
t
h
)
J
C
/
[
K
/W
]
d
k
a
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8
Sperrverzgerungsladung / recoverd charge
Q
rr
= f ( - di/dt)
t
vj
= 125
C, I
TM
= 4000A, v
R
= 0,5
V
RRM
, v
RM
= 0,8
V
RRM
9
8
7
6
5 0
4 0
3 0
2 0
1 0
5
4
3
2
3 0
2 0
1 0
9
8
7
6
5
4
3
2
1
- d i / d t [ A / s ]
Q
rr
[mA
s
]
m a x
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Rckstromspitze / reverse recovery current
(typische Abhngigkeit / typical dependence)
I
RM
= f (di/dt)
t
vj
= 125
C, I
TM
= 4000A, v
R
= 0,5
V
RRM
, v
RM
= 0,8
V
RRM
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
di/dt [A/s]
I
RM
[A]
PDF 
ZIP