Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 4001N 48...53TOH
Vorlufige Daten
.
Preliminary Data
.
BIP AM / SM PB, 2001-05-04, Przybilla J. / Keller
Release 2
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N
1
Features:
Volle Sperrfhigkeit bei 120 mit 50 Hz
Full blocking capability at 120C with 50 Hz
Hohe Stostrme und niedriger Wrme-
High surge currents and low thermal resistance
widererstnde durch NTV-Verbindung
by using low temperature-connection NTV between
zwischen Silizium und Mo-Trgerscheibe.
silicon wafer and molybdenum.
Elektroaktive Passivierung durch a - C:H
Electroactive passivation by a - C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts - und Rckwrts - Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
f = 50 Hz
V
DRM
,
V
RRM
t
vj min
= -40C t
vj min
= 0C
4800 4950
5000 5150
5200 5350
5350 5500
V
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
TRMSM
8200 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
t
C
= 85C, f = 50Hz
t
C
= 60C, f = 50Hz
I
TAVM
3880
5220
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
t
vj
= 25C, t
p
= 10ms, V
R
= 0
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms, V
R
= 0
I
TSM
105
100
kA
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
t
vj
= 25C, t
p
= 10ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
I
2
t
5510
6
5010
6
A
2
s
A
2
s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, v
D
= 0,67 V
DRM
i
GM
= 3A, di
G
/dt = 6A/s
(di/dt)
cr
150 A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state current
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5. Kennbuchstabe / 5 th letter H
(dv/dt)
cr
2000 V/s
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Phase Control Thyristor
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Preliminary Data
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Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 6kA
v
T
typ
1,67
Max
1,8
V
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance
t
vj
= t
vj max
V
(TO)
r
T
typ
0,82
0,139
max
0,92
0,142
V
m
Durchlarechenkennlinien
500 A
i
T
5000 A
On - state characteristics for calculation
( )
V
A B i
C
i
D
i
T
T
T
T
= + +
+ +
ln
1
t
vj
= t
vj max
A
B
C
D
typ
0,25
0,0000921
0,0499
0,00565
max
1,192
0,0000226
-0,1375
0,02157
Zndstrom
gate trigger current
t
vj
= 25C, v
D
= 6V
I
GT
1,5 A
Zndspannung
gate trigger voltage
t
vj
= 25C, v
D
= 6V
V
GT
3,5 V
Nicht zndender Steuerstrom
gate non-trigger current
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5
V
DRM
I
GD
20
10
mA
mA
nicht zndende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5
VDRM
V
GD
0,4 V
Haltestrom
holding current
t
vj
= 25C, v
D
= 12V, R
A
= 4,7
I
H
350 mA
Einraststrom
latching current
t
vj
= 25C, v
D
= 12V, R
GK
10
i
GM
= 3A, di
G
/dt= 6 A/s, t
g
= 20s
I
L
3 A
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
t
vj
= t
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
500 mA
Zndverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
t
vj
= 25C,
i
GM
= 3A, di
G
/dt = 6A/s
t
gd
2,5 s
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
t
vj
= t
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20V/s, -di
T
/dt = 10A/s
4. Kennbuchstabe / 4 th letter O
t
q
typ
550 s
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
t
vj
= t
vj max
I
TM
= 2,5 kA, di/dt = 10 A/s
V
R
= 0,5 V
RRM
, V
RM
= 0,8 V
RRM
Q
r
28 mAs
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
t
vj
= t
vj max
I
TM
= 2,5kA, di/dt = 10 A/s
V
R
= 0,5 V
RRM
, V
RM
= 0,8 V
RRM
I
RM
600 A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
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Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided, = 180sin
beidseitig / two-sided , DC
Anode / anode
DC
Kathode / cathode
DC
R
thJC
0,0045
3
0,0043
0,0075
0,01
C/W
C/W
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCK
0,001
0,002
C/W
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
vj max
120 C
Betriebstemperatur
operating temperature
t
c op
-40...+120 C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+150 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite 4
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate
119TN53
Anprekraft
clampig force
F
90...130 KN
Gewicht
weight
G
typ
4000 g
Kriechstrecke
creepage distance
49 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Mabild / Outline
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Durchlakennlinie i
T
= f ( v
T
)
Limiting and typical on-state characteristic
t
vj
= 125
C
t y p .
m a x .
0
1 0 0 0
2 0 0 0
3 0 0 0
4 0 0 0
5 0 0 0
6 0 0 0
7 0 0 0
8 0 0 0
0
0 , 5
1
1 , 5
2
2 , 5
3
V
T
[ V ]
I
T
[A
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