Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 551 N 60...70 TOH
BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller
Release 5
Seite/page
N
1
Features:
Volle Sperrfhigkeit bei 125 mit 50 Hz Full blocking capability at 125C with 50 Hz
Hohe Stostrme und niedriger Wrme-
High surge currents and low thermal resistance
widerstnde durch NTV-Verbindung by using low temperature-connection NTV
zwischen Silizium und Mo-Trgerscheibe. between silicon wafer and molybdenum.
Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Electroactive passivation by a - C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rckwrts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
f = 50 Hz
V
DRM
,
V
RRM
t
vj
= -40C t
vj min
= 0C
6000 6200
6500 6700
7000 7200
V
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
TRMSM
1260 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
t
C
= 85C, f = 50Hz
t
C
= 60C, f = 50Hz
I
TAVM
600
800
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
t
vj
= 25C, t
p
= 10ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
I
TSM
13,5
13,0
kA
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
t
vj
= 25C, t
p
= 10ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
I
2
t
91010
3
84510
3
A
2
s
A
2
s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, v
D
= 0,67 V
DRM
, i
GM
= 3A,
di
G
/dt = 6A/s
(di/dt)
cr
300 A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state current
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5. Kennbuchstabe / 5 th letter F
(dv/dt)
cr
2000 V/s
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Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 1kA
v
T
typ.
2,55
max.
2,65
V
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance
t
vj
= t
vj max
V
(TO)
r
T
typ.
1,25
1,3
max.
1,3
1,35
V
m
Durchlarechenkennlinie
on - state characteristics for calculation 200 A
i
T
2000 A
( )
V
A B i
C
i
D
i
T
T
T
T
= + +
+ +
ln
1
t
vj
= t
vj max
A
B
C
D
typ.
0,0927
0,000967
0,1815
0,01334
max.
-0,0921
0,001
0,1841
0,0149
Zndstrom
gate trigger current
t
vj
= 25C, v
D
= 6V
I
GT
350 mA
Zndspannung
gate trigger voltage
t
vj
= 25C, v
D
= 6V
V
GT
2,5 V
Nicht zndender Steuerstrom
gate non-trigger current
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5
V
DRM
I
GD
20
10
mA
mA
nicht zndende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
0,4 V
Haltestrom
holding current
t
vj
= 25C, v
D
= 12V, R
A
= 4,7
I
H
350 mA
Einraststrom
latching current
t
vj
= 25C, v
D
= 12V, R
GK
10
i
GM
= 3A, di
G
/dt= 6 A/s, t
g
= 20s
I
L
3 A
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
t
vj
= t
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
200 mA
Zndverzugszeit
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
t
vj
= 25C,
i
GM
= 3A, di
G
/dt = 6A/s
t
gd
2,5 s
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
t
vj
= t
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20V/s, -di
T
/dt = 10A/s
4. Kennbuchstabe / 4 th letter O
t
q
typ.
650 s
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
t
vj
= t
vj max
I
TM
= 1000A, di/dt = 10A/s
V
R
= 0,5 V
RRM
, V
RM
= 0,8 V
RRM
Q
r
7,2 mAs
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
t
vj
= t
vj max
I
TM
= 1000A, di/dt = 10 A/s
V
R
= 0,5
V
RRM
, V
RM
= 0,8
V
RRM
I
RM
210 A
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Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided,
= 180sin
beidseitig / two-sided , DC
Anode / anode
DC
Kathode / cathode
DC
R
thJC
0,02
0,019
0,0305
0,05
C/W
C/W
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCH
0,005
0,010
C/W
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
vj max
125 C
Betriebstemperatur
operating temperature
t
c op
-40...+125 C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+150 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite 4
Si - Element mit Druckkontakt, Amplifying gate
Si - pellet with pressure contact, amplifying gate
Silizium Tablette
silicon wafer
55TN70
Anprekraft
clampig force
F
15..24 kN
Gewict
weight
G
typ.
650 g
Kiechstrecke
surface creepage distance
25 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Mabild / Outline
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Durchlakennlinien / on-state characteristic
i
T
= f ( v
T
)
t
vj
= 125
C
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
V
T
[V]
I
T
(A)
typ max
PDF 
ZIP