Technische Information / Technical Information
Schneller Thyristor
Fast Thyristor
T 600 F 12...13
F
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rckwrts-Spitzensperrspannung
T
vj
= - 40C...T
vj max
V
DRM
, V
RRM
1200
V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
1300
V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
T
vj
= - 40C...T
vj max
V
DSM
1200
V
non-repetitive peak foward off-state voltage
1300
V
Rckwrts-Stospitzensperrspannung
T
vj
= + 25C...T
vj max
V
RSM
1300
V
non-repetitive peak reverse voltage
1400
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
I
TRSMSM
1500
A
RMSM on-state current
Dauergrenzstrom
T
C
= 85 C
I
TAVM
600
A
average on-state current
T
C
= 47 C
960
A
Stostrom-Grenzwert
T
vj
= 25C, tp = 10 ms
I
TSM
11.300
A
surge current
T
vj
= T
vj max
, tp = 10 ms
10.000
A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25C, tp = 10ms
It
638
As*10
3
It-value
T
vj
= T
vj max
, tp = 10ms
500
As*10
3
Kritische Stromsteilheit
DIN IEC 747-6
(di
T
/dt)
cr
200
A/s
critical rate of rise of on-state current
f=50 Hz, i
GM
= 1 A
di
G
/dt = 1 A/s
Kritische Spannungssteilheit
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
(dv
D
/dt)
cr
1)
2)
critical rate of rise of off-state voltage
5. Kennbuchstabe / 5th letter B
50
50
V/s
5. Kennbuchstabe / 5th letter C
500
500
V/s
5. Kennbuchstabe / 5th letter L
500
50
V/s
5. Kennbuchstabe / 5th letter M
1000
500
V/s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 1000 A
v
T
max. 1,66
V
on-state voltage
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
T(TO)
1,15
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
0,42
m
slope resistance
Zndstrom
T
vj
= 25C, v
D
=12 V
I
GT
max. 250
mA
gate trigger current
Zndspannung
T
vj
= 25C, v
D
= 12V
V
GT
max. 2,2
V
gate trigger voltage
Nicht zndener Steuerstrom
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 12 V
I
GD
max. 10
mA
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
,v
D
= 0,5 V
DRM
max. 5
mA
Nicht zndene Steuerspannung
T
vj
= T
vj max
,v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max. 0,25
V
gate non-trigger voltage
Haltestrom
T
vj
= 25C, v
D
= 12 V, R
A
= 10
I
H
max. 250
mA
holding current
Einraststrom
T
vj
= 25C, v
D
= 12 V, R
GK
>= 10
I
L
max. 1000
mA
latching current
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/s
t
g
= 20 s
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
T
vj
= T
vj max
i
D
, i
R
max. 100
mA
forward off-state and reverse currents
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
Zndverzug
DIN IEC 747-6
t
gd
max. 1,5
s
gate controlled delay time
T
vj
= 25C
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/s
1) Werte nach DIN IEC 747-6 (ohne vorausgehende Kommutierung). / Values to DIN IEC 747-6 (without prior commutation).
2) Unmittelbar nach der Freiwerdezeit, vgl. Mebedingungen fr t
q
./ Immediately after circuit commutated turn-off-time,
see parameters t
q
.
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Schneller Thyristor
Fast Thyristor
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F
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
T
vj
= T
vj max
, i
TM
=I
TAVM
t
q
circuit commutatet turn-off time
v
RM
=100V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = siehe 5. Kennbuchstabe
-diT/dt = 20 A/s
4. Kennbuchstabe
K
max. 40
s
4. Kennbuchstabe
G
max. 30
s
4. Kennbuchstabe
F
max. 25
s
4. Kennbuchstabe
E
max. 20
s
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJC
thermal resitance, junction to case
beidseitig / two-sided,
=180sin
max. 0,038
C/W
beidseitig / two-sided, DC
max. 0,036
C/W
Anode / anode,
=180sin
max. 0,0675
C/W
Anode / anode, DC
max. 0,065
C/W
Kathode / cathode,
=180sin
max. 0,082
C/W
Kathode / cathode, DC
max. 0,080
C/W
bergangs- Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJK
thermal resitance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
max. 0,005
C/W
einseitig / single-sided
max. 0,010
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
T
vj max
125
C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
-40...125
C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
-40...150
C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
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case, see appendix
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Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate
Anprekraft
F
9...18
kN
clamping force
Gewicht
G
typ. 250
g
weight
Kriechstrecke
30
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50
m/s
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Schneller Thyristor
Fast Thyristor
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Schneller Thyristor
Fast Thyristor
T 600 F 12...13
F
Khlung
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
beidseitig
R
thn
[C/W]
0,00308 0,00451
0,0111 0,01215
0,005
two-sided
n
[s]
0,00114
0,0145
0,0716
0,463
2,8
anodenseitig
R
thn
[C/W]
0,00315 0,00565
0,0131
0,0186
0,0128 0,0117
anode-sided
n
[s]
0,00116
0,0169
0,1
0,69
5 36
36
kathodenseitig
R
thn
[C/W]
0,00315 0,00565
0,0131
0,0186
0,0195
0,02
cathode-sided
n
[s]
0,00116
0,0169
0,1
0,69
5
36
n
max
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
n
))
n=1
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Schneller Thyristor
Fast Thyristor
T 600 F 12...13
F
Grenzdurchlakennlinie / Limiting 0n-state characteristic i
T
= f(v
T
)
T
vj
= T
vj max
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0
500
1.000
1.500
2.000
2.500
3.000
3.500
4.000
0,5
1
1,5
2
2,5
3
v
T
[V]
i
T
[A]
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