Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 658 N 22...26
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rckwrts-Spitzensperrspannung
T
vj
= - 40C...T
vj max
V
DRM
, V
RRM
2200
2400
V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
2600
V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
T
vj
= - 40C...T
vj max
V
DSM
2200
2400
V
non-repetitive peak foward off-state voltage
2600
V
Rckwrts-Stospitzensperrspannung
T
vj
= + 25C...T
vj max
V
RSM
2300
2500
V
non-repetitive peak reverse voltage
2700
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
I
TRSMSM
1500
A
RMSM on-state current
Dauergrenzstrom
T
C
= 85 C
I
TAVM
659
A
average on-state current
T
C
= 56 C
955
A
Stostrom-Grenzwert
T
vj
= 25C, t
p
= 10 ms
I
TSM
13000
A 1)
surge current
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10 ms
11500
A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
It
845
As*10
It-value
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
660
As*10
Kritische Stromsteilheit
DIN IEC 747-6
(di
T
/dt)
cr
150
A/s
critical rate of rise of on-state current
f=50 Hz, vL = 10V, i
GM
= 1 A
di
G
/dt = 1 A/s
Kritische Spannungssteilheit
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
(dv
D
/dt)
cr
1000
V/s
critical rate of rise of off-state voltage
5.Kennbuchstabe/5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
T
vj
= T
vj max
, i
T
=
2850 A v
T
max.
2,53
V
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
T
=
650 A v
T
max.
1,32
V
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
T(TO)
1
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
0,50
m
slope resistance
Durchlakennlinie
T
vj
= T
vj max
A = 1,2455E+00
on-state voltage
B = 3,7164E-04
C = -1,0398E-01
D = 1,9701E-02
Zndstrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V
I
GT
max.
250
mA
gate trigger current
Zndspannung
T
vj
= 25C, v
D
= 6V
V
GT
max.
2,2
V
gate trigger voltage
Nicht zndener Steuerstrom
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6 V
I
GD
max.
10
mA
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
,v
D
= 0,5 V
DRM
max.
5
mA
Nicht zndene Steuerspannung
T
vj
= T
vj max
,v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max.
0,25
V
gate non-trigger voltage
Haltestrom
T
vj
=25C, v
D
= 6V, R
A
=5
I
H
max.
300
mA
holding current
Einraststrom
T
vj
=25C,v
D
=6V,R
GK
>=10
I
L
max.
1500
mA
latching current
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/s
t
g
= 20 s
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
T
vj
= T
vj max
i
D
, i
R
max.
100
mA
forward off-state and reverse currents
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
Zndverzug
DIN IEC 747-6
t
gd
max.
4
s
gate controlled delay time
T
vj
= 25C
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/s
1) Gehusegrenzstrom 12kA (50Hz Sinushalbwelle). / Current limit of case 12kA (50Hz sinusoidal half-wave).
prepared by: K.-A.Rther
data of publication: 2001-03-19
BIP AM
approved by: J. Novotny
revision: 1
A 04/01
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1
T
T
T
T
i
D
i
Ln
C
i
B
A
v
+
+
+
+
=
)
1
(
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
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Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
T
vj
= T
vj max
, i
TM
=I
TAVM
t
q
circuit commutatet turn-off time
v
RM
=100V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/s, -di
T
/dt = 10 A/s
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
typ.
300
s
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJC
thermal resitance, junction to case
beidseitig / two-sided,
=180sin
max. 0,0330
C/W
beidseitig / two-sided, DC
max. 0,0300
C/W
Anode / anode,
=180sin
max. 0,0537
C/W
Anode / anode, DC
max. 0,0511
C/W
Kathode / cathode,
=180sin
max. 0,0816
C/W
Kathode / cathode, DC
max. 0,0732
C/W
bergangs- Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJK
thermal resitance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
max. 0,0050
C/W
einseitig / single-sided
max. 0,0100
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
T
vj max
125
C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
-40,,,+125
C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
-40,,,+140
C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
Seite 3
case, see appendix
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anprekraft
F
10,5...21
kN
clamping force
Gewicht
G
typ.
100
g
weight
Kriechstrecke
25
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50
m/s
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Zn. Nr.: 1
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Khlung
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
beidseitig
R
thn
[C/W]
0,000134
0,001636
0,001950
0,009680
0,016800
two-sided
n
[s]
0,000183
0,001660
0,009370
0,119000
0,939000
anodenseitig
R
thn
[C/W]
0,000455
0,003885
0,003310
0,013800
0,029650
anode-sided
n
[s]
0,000251
0,002430
0,054400
0,183000
1,140000
kathodenseitig
R
thn
[C/W]
0,000708
0,007242
0,013700
0,026650
0,024900
cathode-sided
n
[s]
0,000320
0,003870
0,023200
0,138000
0,9000
n
max
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
n
))
n=1
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
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Grenzdurchlakennlinie / Limiting on-state characteristic i
T
= f(v
T
)
T
vj
= T
vj
max
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A 04/01
Z. Nr.: 2
Seite/page 5
0
500
1.000
1.500
2.000
2.500
3.000
3.500
4.000
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
v
T
[V]
i
T
[A
]
PDF 
ZIP