N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Module
Datenblatt / Data sheet
TT92N
BIP AC/ 27.05.2002, C. Drilling
A8/02
1/12
Seite/page
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
TT92N
TD92N
DT92N
TT92N..K..-K
TD92N..K..-A
NT92N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rckwrts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
T
vj
= -40C... T
vj max
V
DRM
,V
RRM
1200
1400
1600
V
V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
T
vj
= -40C... T
vj max
V
DSM
1200
1400
1600
V
V
Rckwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
T
vj
= +25C... T
vj max
V
RSM
1300
1500
1700
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
TRMSM
160 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 85C
T
C
= 76C
I
TAVM
92
104
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge current
T
vj
= 25 C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I
TSM
2050
1800
A
A
Grenzlastintegral
It-value
T
vj
= 25 C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
It
21000
16200
As
As
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6 f = 50 Hz,
i
GM
= 0,6 A, di
G
/dt = 0,6 A/s
(di
T
/dt)
cr
150 A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
6.Kennbuchstabe / 6
th
letter F
(dv
D
/dt)
cr
1000 V/s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 300 A
v
T
max.
1,62 V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,85 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
2,15 m
Zndstrom
gate trigger current
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V
I
GT
max.
120 mA
Zndspannung
gate trigger voltage
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V
V
GT
max.
1,4 V
Nicht zndender Steuerstrom
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6 V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
I
GD
max.
max.
5,0
2,5
mA
mA
Nicht zndende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max.
0,2 V
Haltestrom
holding current
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
I
H
max.
200 mA
Einraststrom
latching current
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V, R
GK
10
i
GM
= 0,6 A, di
G
/dt = 0,6 A/s,
t
g
= 20 s
I
L
max.
620 mA
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
max.
25 mA
Zndverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6 T
vj
= 25 C,
i
GM
= 0,6 A, di
G
/dt = 0,6 A/s
t
gd
max.
3 s
prepared by: C.Drilling
date of publication:
09.07.02
approved by: J. Novotny
revision:
3
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Phase Control Thyristor
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Datenblatt / Data sheet
TT92N
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Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/s, -di
T
/dt = 10 A/s
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter O
t
q
typ.
150 s
Isolations-Prfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
V
ISOL
2,5
3,0
kV
kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module, = 180 sin
pro Zweig / per arm, = 180 sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
0,185
0,370
0,175
0,350
C/W
C/W
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
R
thCH
max.
max.
0,05
0,10
C/W
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
130 C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+130 C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+130 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Anzugsdrehmoment fr mechanische Anschlsse
mounting torque
Toleranz / Tolerance 15%
M1
4
Nm
Anzugsdrehmoment fr elektrische Anschlsse
terminal connection torque
Toleranz / Tolerance + 5% / - 10%
M2
4
Nm
Steueranschlsse
control terminals
DIN 46 244
A 2,8 x 0,8
Gewicht
weight
G
typ.
160 g
Kriechstrecke
creepage distance
12,5 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s
file-No.
E 83336
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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Seite/page
Mabild
Mabild
Mabild
1
2
3
TT
4
5
7 6
1
2
3
TD
4
5
1
2
3
DT
7 6
1
2
3
TT-K
4 5 7 6
1
2
3
TD-A
4
5
2
3
NT
7 6
N
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Module
Datenblatt / Data sheet
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R,T Werte
Di
R,T-Werte
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[C/W]
0,005
0,0195
0,0518
0,128
0,146
n
[s]
0,00004
0,00223
0,022
0,235
1,24
Analytische Funktion / Analytical function:
S
=
t
max
n
n=1
thn
thJC
n
t
- e
1
R
Z
Luftselbstkhlung / Natural cooling
3 Module pro Khlkrper / 3 modules per heatsink
Khler / Heatsink type: KM14
(50W)
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thCA
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[C/W]
0,007
0,141
0,119
2,133
n
[s]
0,701
4,72
42,5
910
Verstrkte Khlung / Forced cooling
3 Module pro Khlkrper / 3 modules per heatsink
Khler / Heatsink type: KM14
(Papst 4650N)
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thCA
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[C/W]
0,007
0,141
0,119
0,583
n
[s]
0,701
4,72
42,5
249
Analytische Funktion / Analytical function:
S
=
t
max
n
n=1
thn
thCA
n
t
- e
1
R
Z
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BIP AC/ 27.05.2002, C. Drilling
A8/02
5/12
Seite/page
Diagramme
Trans. Wrmewiderstand bei Sinus
Trans. Wrmewiderstand bei Rechteck
0,000
0,100
0,200
0,300
0,400
0,500
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Z
(th
)J
C
[
C/W
]
60
90
120
180
=
30
0
0
180
Transienter innerer Wrmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z
thJC
= f(t)
Sinusfrmiger Strom / Sinusoidal current
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle
0,000
0,100
0,200
0,300
0,400
0,500
0,600
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Z
(th
)J
C
[
C/W
]
=
30
60
90
120
180
DC
0
0
180
Transienter innerer Wrmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z
thJC
= f(t)
Rechteckfrmiger Strom / Rectangular current
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle
PDF 
ZIP