Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ 530 N 30...36
N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rckwrts-Spitzensperrspannung
T
vj
= - 40C...T
vj max
V
DRM
, V
RRM
3000
3200
V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
3400
3600
V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
T
vj
= - 40C...T
vj max
V
DSM
3000
3200
V
non-repetitive peak forward off-state voltage
3400
3600
V
Rckwrts-Stospitzensperrspannung
T
vj
= + 25C...T
vj max
V
RSM
3100
3300
V
non-repetitive peak reverse voltage
3500
3700
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
I
TRMSM
1500
A
RMS on-state current
Dauergrenzstrom
T
C
= 85C
85C
I
TAVM
530
A
average on-state current
T
C
= 85C
30C
955
A
Stostrom-Grenzwert
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
I
TSM
22.000
A
surge current
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
20.000
A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
It
2.420.000
As
It-value
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
2.000.000
As
Kritische Stromsteilheit
DIN IEC 747-6
(di
T
/dt)
cr
80
A/s
critical rate of rise of on-state current
f = 50Hz, i
GM
= 1A, di
G
/dt = 1A/s
Kritische Spannungssteilheit
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
(dv
D
/dt)
cr
critical rate of rise of off-state voltage
6. Kennbuchstabe / 6th letter F
1000
V/s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
T
vj
= T
vj max
, i
T
=
3000 A
v
T
max.
2,65
V
on-state voltage
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
1,05
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
0,49
m
slope resistance
Zndstrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6V
I
GT
max.
250
mA
gate trigger current
Zndspannung
T
vj
= 25C, v
D
= 6V
V
GT
max.
2
V
gate trigger voltage
Nicht zndender Steuerstrom
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6V
I
GD
max.
10
mA
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
max.
5
mA
Nicht zndende Steuerspannung
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max.
0,25
V
gate non-trigger voltage
Haltestrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6V, R
A
= 5
I
H
max.
500
mA
holding current
Einraststrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6V, R
GK
10
I
L
max.
2500
mA
latching current
i
GM
= 1A, di
G
/dt = 1A/s, t
G
= 20s
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
T
vj
= T
vj max
i
D
, i
R
max.
250
mA
forward off-state and reverse currents
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
Zndverzug
DIN IEC 747-6
t
gd
max.
4
s
gate controlled delay time
T
vj
= 25C, i
GM
= 1A, di
G
/dt = 1A/s
prepared by: K.-A. Rther
data of publication: 00-09-13
BIP AM
approved by: Lother Kleber
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Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
t
q
circuit commutated turn-off time
v
RM
= 100V, V
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20V/s, -di
T
/dt = 10A/s
5. Kennbuchstabe / 5th letter O
typ.
400
s
Isolations-Prfspannung
RMS, f = 50Hz, t = 1min
V
ISOL
3
kV
insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
3,6
kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
pro Modul / per module,
= 180sin
R
thJC
max.
0,0450
C/W
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per module, DC
max.
0,0435
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
pro Modul / per module
R
thCK
max.
0,0100
C/W
thermal resistance, case to heatsink
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
T
vj max
125
C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
-40...+125
C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
-40...+130 C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
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case, see appendix
page 3
Si-Elemente mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellets with pressure contact, amplifying-gate
Innere Isolation
AlN
internal insulation
Anzugsdrehmoment fr mechanische Befestigung
Toleranz / tolerance 15%
M1
6
Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment fr elektrische Anschlsse
Toleranz / tolerance +5% / -10%
M2
18
Nm
terminal connection torque
Gewicht
G
typ.
2750
g
weight
Kriechstrecke
36
mm
creepage distance
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50 m/s
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindungmit den zugehrigen Technischen Erluterungen./This technical Information specifies semiconductor devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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N
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
0,00110
0,00275
0,00942
0,02316
0,00721
0,01000
0,01880
0,30347
4,99400
9,98000
n
max
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
R
thn
( 1-EXP ( -t /
n
))
n=1
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[
]
R
C W
thn
/
[]
n
s
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Durchlassverlustleistung pro Modul / On-state power loss per module P
TAV
Parameter: Stromflusswinkel
/ current conduction angle
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5
0
500
1000
1500
2000
2500
0
200
400
600
800
1000
I
TAV
[A]
P
TAV
[W]
60
90
120
180
0
= 30
PDF 
ZIP