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Электронный компонент: TZ800N

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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rckwrts-Spitzensperrspannung
T
vj
= - 40C...T
vj max
V
DRM
, V
RRM
1200
1400
V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
1600
1800
V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
T
vj
= - 40C...T
vj max
V
DSM
1200
1400
V
non-repetitive peak forward off-state voltage
1600
1800
V
Rckwrts-Stospitzensperrspannung
T
vj
= + 25C...T
vj max
V
RSM
1300
1500
V
non-repetitive peak reverse voltage
1700
1900
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
I
TRMSM
1500
A
RMS on-state current
Dauergrenzstrom
T
C
= 85C
85C
I
TAVM
800
A
average on-state current
T
C
= 85C
75C
955
A
Stostrom-Grenzwert
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
I
TSM
35.000
A
surge current
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
30.000
A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
It
6.125.000
As
It-value
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
4.500.000
As
Kritische Stromsteilheit
DIN IEC 747-6
(di
T
/dt)
cr
200
A/s
critical rate of rise of on-state current
f = 50Hz, i
GM
= 1A, di
G
/dt = 1A/s
Kritische Spannungssteilheit
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
(dv
D
/dt)
cr
critical rate of rise of off-state voltage
6. Kennbuchstabe / 6th letter F
1000
V/s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
T
vj
= T
vj max
, i
T
=
3000 A
v
T
max.
1,5
V
on-state voltage
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,85
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
0,17
m
slope resistance
Zndstrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6V
I
GT
max.
250
mA
gate trigger current
Zndspannung
T
vj
= 25C, v
D
= 6V
V
GT
max.
2
V
gate trigger voltage
Nicht zndender Steuerstrom
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6V
I
GD
max.
10
mA
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
max.
5
mA
Nicht zndende Steuerspannung
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max.
0,2
V
gate non-trigger voltage
Haltestrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6V, R
A
= 5
I
H
max.
500
mA
holding current
Einraststrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6V, R
GK
10
I
L
max.
2500
mA
latching current
i
GM
= 1A, di
G
/dt = 1A/s, t
G
= 20s
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
T
vj
= T
vj max
i
D
, i
R
max.
150
mA
forward off-state and reverse currents
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
Zndverzug
DIN IEC 747-6
t
gd
max.
4
s
gate controlled delay time
T
vj
= 25C, i
GM
= 1A, di
G
/dt = 1A/s
prepared by: K.-A. Rther
data of publication: 00-09-13
BIP AM
approved by: Lother Kleber
revision:
A 15/00
Seite 1
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
t
q
circuit commutated turn-off time
v
RM
= 100V, V
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20V/s, -di
T
/dt = 10A/s
5. Kennbuchstabe / 5th letter O
typ.
240
s
Isolations-Prfspannung
RMS, f = 50Hz, t = 1min
V
ISOL
3
kV
insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
3,6
kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
pro Modul / per module,
= 180sin
R
thJC
max.
0,0420
C/W
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per module, DC
max.
0,0405
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
pro Modul / per module
R
thCK
max.
0,0100
C/W
thermal resistance, case to heatsink
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
T
vj max
125
C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
-40...+125
C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
-40...+130 C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
Seite 3
case, see appendix
page 3
Si-Elemente mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellets with pressure contact, amplifying-gate
Innere Isolation
AlN
internal insulation
Anzugsdrehmoment fr mechanische Befestigung
Toleranz / tolerance 15%
M1
6
Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment fr elektrische Anschlsse
Toleranz / tolerance +5% / -10%
M2
18
Nm
terminal connection torque
Gewicht
G
typ.
2750
g
weight
Kriechstrecke
36
mm
creepage distance
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50 m/s
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindungmit den zugehrigen Technischen Erluterungen./This technical Information specifies semiconductor devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rther
A 15/00
Seite/page 2
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
N
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rther
A 15/00
Z. Nr.: 1
Seite/page 3
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
N
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
0,00110
0,00267 0,00866 0,02313 0,00507
0,01000
0,01880 0,30347 4,99400 9,98000
n
max
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
R
thn
( 1-EXP ( -t /
n
))
n=1
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rther
A 15/00
Seite/page
4
[
]
R
C W
thn
/
[]
n
s
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
N
Durchlassverlustleistung pro Modul / On-state power loss per module P
TAV
Parameter: Stromflusswinkel
/ current conduction angle
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rther
A 15/00
Z. Nr.: 2
Seite/page
5
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
I
TAV
[A]
P
TAV
[W]
60
90
120
180
0
= 30
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
N
Hchstzulssige Gehusetemperatur T
C
in Abhngigkeit vom Strom I
TAVM
Maximum allowable case temperature T
C
versus current I
TAVM
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rther
A 15/00
Z. Nr.: 3
Seite/page 6
20
40
60
80
100
120
140
0
200
400
600
800
1000
I
TAVM
[A]
T
C
[C]
= 30
60
90
120
180
0
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
N
Durchlassverlustleistung pro Modul / On-state power loss per module P
TAV
Parameter: Stromflusswinkel
/ current conduction angle
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rther
A 15/00
Z. Nr.: 4
Seite/page
7
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
0
500
1000
1500
I
TAV
[A]
P
TAV
[W]
DC
180
120
90
60
0
= 30
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
N
Hchstzulssige Gehusetemperatur T
C
in Abhngigkeit vom Strom I
TAVM
Maximum allowable case temperature T
C
versus current I
TAVM
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rther
A 15/00
Z. Nr.: 5
Seite/page
8
20
40
60
80
100
120
140
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
I
TAVM
[A]
T
C
[C]
= 30
60
90
120
180
DC
0
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
N
B2 - Zweipuls-Brckenschaltung/Two - puls bridge circuit
Hchstzulssiger Ausgangsstrom I
d
in Abhngigkeit von der Umgebungstemperatur T
A
.
Maximum allowabel outputcurrent I
d
versus ambient temperature T
A
Parameter: Wrmewiderstand zwischen Powerblock und Umgebung/thermal resitance case to ambient R
thCA
B6 - Sechspuls-Brckenschaltung/Six - puls bridge circuit
Hchstzulssiger Ausgangsstrom I
d
in Abhngigkeit von der Umgebungstemperatur T
A
.
Maximum allowabel outputcurrent I
d
versus ambient temperature T
A
Parameter: Wrmewiderstand zwischen Powerblock und Umgebung/thermal resitance case to ambient R
thCA
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rther
A 15/00
Z. Nr.:
6
Seite/page 9
0
1000
2000
3000
4000
5000
0
20
40
60
80
100
120
T
A
[C]
P
tot
[W]
0,01
0,015
0,02
0,025
0,03
0,04
0,05
0,06
0,08
0,1
0,12
0,15
0,2
0,3
R
thCA
[C/W]
0
1000
2000
3000
4000
5000
0
500
1000
1500
2000
I
d
[A]
L-Last
R-Last
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
0
500
1000
1500
2000
2500
I
d
[A]
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
0
20
40
60
80
100
120
T
A
[C]
P
tot
[W]
R
thCA
[C/W]
0,01
0,015
0,02
0,025
0,03
0,04
0,05
0,06
0,08
0,1
0,12
0,15
0,2
0,3
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
N
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung/Single-phase inverse parallel circuit
Hchstzulssiger Strom I
RMS
in Abhngigkeit von der Umgebungstemperatur T
A
.
Maximum allowabel current I
RMS
versus ambient temperature T
A
Parameter: Wrmewiderstand zwischen Powerblock und Umgebung/thermal residance case to ambient R
thCA
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung/Three-phase inverse parallel circuit
Hchstzulssiger Strom je Phase I
RMS
in Abhngigkeit von der Umgebungstemperatur T
A
.
Maximum allowabel current per Phase I
RMS
versus ambient temperature T
A
Parameter: Wrmewiderstand zwischen Powerblock und Umgebung/thermal residance case to ambient R
thCA
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rther
A 15/00
Z. Nr.: 7
Seite/page 10
0
500
1000
1500
2000
2500
0
400
800
1200
1600
2000
2400
I
RMS
[A]
0
500
1000
1500
2000
2500
0
20
40
60
80
100
120
T
A
[C]
P
tot
[W]
R
thCA
[C/W]
0
1000
2000
3000
4000
20
40
60
80
100
120
T
A
[C]
P
tot
[W]
R
thCA
[C/W]
0
1000
2000
3000
4000
0
500
1000
1500
I
RMS
[A]
0,02
0,025
0,03
0,04
0,05
0,06
0,08
0,1
0,15
0,2
0,3
0,4
0,02
0,025
0,03
0,04
0,05
0,06
0,08
0,1
0,15
0,2
0,3
0,4
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
N
Grenzstrom I
T(OV)M
bei Luftselbstkhlung, T
A
= 45 C und verstrkter Luftkhlung, T
A
= 35 C
Khlkrper KM17, v
RM
= 0,8 V
RRM.
Belastung nach Leerlauf
Limiting overload on-state current I
T(OV)M
at natural (T
A
= 45 C) and forced (T
A
= 35 C) cooling
heatsink type KM17, v
RM
= 0,8 V
RRM
.
surge under no-load conditions
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rther
A 15/00
Z. Nr.: 8
Seite/page
11
0
5.000
10.000
15.000
20.000
25.000
30.000
0,01
0,1
1
t [s]
I
T(OV)M
[A]
T
A
= 35 C
v
L
= 45l/s
T
A
= 45 C
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
N
i
TM
[A]
2000
1000
500
200
100
Sperrverzgerungsladung / Recoverd charge Q
r
= f(-di/dt)
T
vj
= T
vj max
, v
R
= 0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlastrom / = On-State current i
TM
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rther
A 15/00
Z. Nr.: 9
Seite/page 12
100
1000
10000
1
10
100
-di/dt [A/s]
Qr [As]
200
400
600
800
2000
4000
6000
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
N
Steuercharakteristik v
G
= f (i
G
) mit Zndbereichen fr V
D
= 6 V
Gate characteristic v
G
= f (i
G
) with triggering area for V
D
= 6 V
Hchstzulssige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated
peak gate power dissipation P
GM
= f (t
g
) :
a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rther
A 15/00
Z. Nr.: 10
Seite/page 13
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
N
Zndverzug / Gate controlled delay time t
gd
= f(i
GM
)
T
vj
= 25C, di
G
/dt = i
GM
/1s
a - maximaler Verlauf / limiting characteristic
b - typischer Verlauf / typical characteristic
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rther
A 15/00
Z. Nr.: 11
Seite/page 14
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
N
Transienter innerer Wrmewiderstand / Transient thermal impedance Z
(th)JC
= f(t)
Parameter: Stromfluwinkel
/ current conduction angle
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rther
A 15/00
Z. Nr.: 12
Seite/page
15
0,000
0,010
0,020
0,030
0,040
0,050
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Z
(th) JC
[C/W]
=
60
180
0
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ 800 N 12...18
N
Transienter innerer Wrmewiderstand / Transient thermal impedance = f(t)
Parameter: Stromfluwinkel
/ current conduction angle
BIP AM / 00-08-21, K.-A. Rther
A 15/00
Z. Nr.: 13
Seite/page 16
0,000
0,010
0,020
0,030
0,040
0,050
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Z
(th) JC
[C/W]
=
60
120
DC
0