ChipFind - документация

Электронный компонент: Q62702-P5175

Скачать:  PDF   ZIP
LB R99A
Hyper CHIPLED
Hyper-Bright LED
Vorlufige Daten / Preliminary Data
2000-03-01
1
OPTO SEMICONDUCTORS
Besondere Merkmale
Gehusetyp: 0805
Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform
fr Anwendungen mit wenig Platzbedarf
Wellenlnge: 466 nm (blau)
Abstrahlwinkel: extrem breite
Abstrahlcharakteristik (160)
Technologie: GaN
optischer Wirkungsgrad: 1 lm/W
Verarbeitungsmethode: fr alle
SMT-Bestcktechniken geeignet
Ltmethode: IR Reflow Lten
Vorbehandlung: nach JEDEC Level 2
Gurtung: 8 mm Gurt mit 4000/Rolle, 180 mm
Anwendungen
optischer Indikator
Einkopplung in Lichtleiter
Flache Hinterleuchtung (LCD, Handy,
Schalter, Display)
Spielsachen
Features
package: 0805
feature of the device: small package for
applications where small space is required
wavelength: 466 nm (blue)
viewing angle: extremely wide (160)
technology: GaN
optical efficiency: 1 lm/W
assembly methods: suitable for all
SMT assembly methods
soldering methods: IR reflow soldering
preconditioning: acc. to JEDEC Level 2
taping: 8 mm tape with 4000/reel, 180 mm
Applications
optical indicators
coupling into light guides
flat backlighting (LCD, cellular phones,
switches, displays)
toys
2000-03-01
2
OPTO SEMICONDUCTORS
LB R99A
Helligkeitswerte werden mit einer Stromeinprgedauer von 25 ms und einer Genauigkeit von 11 %
ermittelt.
Luminous intensity is tested at a current pulse duration of 25 ms and an accuracy of 11 %.
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Farbe der
Lichtaustritts-
flche
Color of the
Light Emitting
Area
Lichtstrke
Luminous
Intensity
I
F
= 20 mA
I
V
(mcd)
Bestellnummer
Ordering Code
min.
typ.
LB R99A
blue
colorless clear
2.8
10
Q62702-P5175
LB R99A
2000-03-01
3
OPTO SEMICONDUCTORS
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
30 ... + 85
C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
40 ... + 85
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 95
C
Durchlastrom
Forward current
I
F
20
mA
Stostrom
Surge current
t
10
s,
D
= 0.1
I
FM
t.b.d.
A
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Leistungsaufnahme
Power dissipation
P
tot
90
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht/Umgebung
Junction/ambient
Sperrschicht/Ltpad
Junction/solder point
Montage auf PC-Board FR 4 (Padgre
16 mm
2
)
mounted on PC board FR 4 (pad size
16 mm
2
)
R
th JA
R
th JS
680
390
K/W
K/W
2000-03-01
4
OPTO SEMICONDUCTORS
LB R99A
Kennwerte (
T
A
= 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge des emittierten Lichtes
(typ.)
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
peak
428
nm
Dominantwellenlnge
(typ.)
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
dom
465
nm
Spektrale Bandbreite
(typ.)
Spectral bandwidth
I
F
= 20 mA
60
nm
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
(typ.)
Viewing angle at 50 %
I
V
2
160
Grad
deg.
Durchlaspannung
(typ.)
Forward voltage
(max.)
I
F
= 20 mA
V
F
V
F
3.8
4.5
V
V
Sperrstrom
(typ.)
Reverse current
(max.)
V
R
= 5 V
I
R
I
R
0.01
10
A
A
Temperaturkoeffizient von
peak
(typ.)
Temperature coefficient of
peak
I
F
= 20 mA
TC
peak
0.004
nm/K
Temperaturkoeffizient von
dom
(typ.)
Temperature coefficient of
dom
I
F
= 20 mA
TC
dom
0.03
nm/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
(typ.)
Temperature coefficient of
V
F
I
F
= 20 mA
TC
V
3.1
mV/K
Optischer Wirkungsgrad
(typ.)
Optical efficiency
I
F
= 20 mA
opt
1
lm/W
LB R99A
2000-03-01
5
OPTO SEMICONDUCTORS
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
),
T
A
= 25 C,
I
F
= 20 mA
Relative Spectral Emission
V(
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(
)
Radiation Characteristic
OHL00431
380
0
20
40
60
80
100
%
I
rel
V
blue
430
480
530
580
630
680
nm
0
0.2
0.4
1.0
0.8
0.6
1.0
0.8
0.6
0.4
0
10
20
40
30
OHL00408
50
60
70
80
90
100
0
20
40
60
80
100
120