ChipFind - документация

Электронный компонент: KB1088NR3-4

Скачать:  PDF   ZIP
КБ1088НР2-4
220108 Республика Беларусь, г.Минск,
ул. Корженевского, 12,
Факс: +375 (17) 278 28 22,
Тел: +375 (17) 278 07 11, 212 24 70, 212 24 61,
212 69 16
E-mail: office@bms.by
URL: www.bms.by
Р
ЕЗИСТОРНАЯ МАТРИЦА
Микросхема резисторной матрицы предназначена для применения в составе гибридных ИС.
Микросхема может поставляться как в кристаллах так и на пластинах.
Масса микросхемы не более 0.07г.
Стандартное напряжение питания 12В, допускается отклонение напряжения питания от
стандартного в пределах
10%.
Электрические параметры.
Параметр, режим измерения
Обозначение
Значение
Мин
Макс.
Температу-
ра
Сопротивление резистора 1, Ом,
Vcc = 12 В
R1 181.45
200.55
Сопротивление резистора 2, Ом,
Vcc = 12 В
R2 475 525
25 10
о
С,
-55, - +125
о
С
Назначение контактных площадок
Номер контактной
площадки
Назначение
01
Вывод резистора R2 = 500 Ом
02
Общий вывод резисторов R1 = 191 Ом и R2 = 500 Ом
03
Вывод резистора R1 = 191 Ом
В систаве гибридной схемы микросхема выдерживает механические воздействия:
Линейное ускорение 5000м/с
2
(500g)
Синусоидную вибрацию :
В диапазоне частот 1 to 2000 Гц,
С амплитудой ускорения 400 м/c
2
(40g).
Предельный и предельно-допустимый режимы работы при температуре окружающей среды.
Параметр, единица измерения
Обозначение
Предельнодопусти-
мое значение
Предельное значение
мин
макс
мин
макс
Максимальное напряжение на
резисторе,В
U
pulse
* - - - 80
Максимальный ток резистора
R1, мА
I
pulseR1
*
- - - 450
Максимальный ток резистора
R2, мА
I
pulseR2
*
- - - 160
Максимальная рассеиваемая
мощность резистора R1, Вт
P
maxR1
*
- - - 36
Максимальная рассеиваемая
мощность резистора R2, Вт
P
maxR2
* - - - 13
Средняя рассеиваемая мощ-
ность резистора R1, мВт
P
CPR1
- 500 - -
Средняя рассеиваемая мощ-
ность резистора R2, мВт
P
CPR2
-
36 - -
*при длительности импульса не более 0,04мс.
КБ1088НР2-4
220108 Республика Беларусь, г.Минск,
ул. Корженевского, 12,
Факс: +375 (17) 278 28 22,
Тел: +375 (17) 278 07 11, 212 24 70, 212 24 61,
212 69 16
E-mail: office@bms.by
URL: www.bms.by
Характеристики переключения@ T
J
= 25њC (по умолчанию)
Параметр
Мин. Тип. Мак
с.
Ед.
изм.
Режим измерения
Q
G
Общий заряд затвора (вкл)
--
16
21
Ic = 9.0В
Q
GE
Заряд затвор-эмиттер (вкл) --
2.4
3.4
нКл
Vcc = 400В
Q
GC
Заряд затвор-коллектор (вкл) -- 7.8
10
V
GE
= 15В
t
d(on)
Время задержки включения --
24
--
T
J
= 25њC
t
r
Время нарастания --
13
--
нс
Ic - 9.0А, Vcc = 480В
t
d(off)
Время задержки выключения -- 160
270
V
GE
= 15В, Rg= 50Ом.
t
f
Время падения --
310
600
Потери энергии включа-
ют хвост
E
on
Потери энергии на включении -- 0.18 --
E
off
Потери энергии на выключении -- 0.90 -- мДж
E
ts
Общие потери энергии на пере-
ключении
-- 1.08 2.0
t
d(on)
Время задержки включения --
25
--
T
J
= 150њC,
t
r
Время нарастания --
18
--
нс
Ic = 9.0A, Vcc = 480В
t
d(off)
Время задержки выключения -- 210
--
V
GE
= 15V, Rg = 50Ом.
t
f
Время падения --
600
--
Потери энергии включа-
ют хвост
E
ts
Общие потери на переключении -- 1.65 -- мДж
L
E
Индуктивность собственного
(внутреннего) эмиттера
-- 7.5 -- нГн
Измеряется в 5 мм от
корпуса
C
ies
Входная емкость
--
340 --
V
GE
= 0В
C
oes
Выходная емкость --
63
--
пФ
Vcc = 30В
C
res
Емкость обратной передачи
--
5.9 --
f = 1.0 МГц