ChipFind - документация

Электронный компонент: КТ 8144 А

Скачать:  PDF   ZIP
КТ 8144 А,Б
Мощный высоковольтный переключательный транзистор


Максимальные электрические характеристики

Электрические характеристики при T=25њC
Кремниевые планарные N-P-N мощные высоковольтные переключательные
транзисторы в металлостеклянном корпусе КТ-9 предназначены для работы в
переключающих схемах, импульсных модуляторах, во вторичных источниках
питания и других схемах аппаратуры широкого применения.
Наименование параметра,
единицы измерения
Букв.
обознач.
Норма
КТ 8144 А
КТ 8144 Б
Максимально допустимое постоянное
напряжение коллектор-база, В
U
кб max
800
600
Максимально допустимый постоянный ток
коллектора, А
I
к max
25
25
Максимально допустимый импульсный ток
коллектора, А
I
к и max
40
40
Максимально допустимый постоянный ток
базы, А
I
б max
6
6
Максимально допустимый импульсный ток
базы, А
I
б и max
12
12
Максимально допустимая постоянная
рассеиваемая мощность коллектора
(t
корп
= -60 џ 25њ С), Вт
P
к max
175
175
Максимально допустимая температура
перехода, њC
T
пер max
150
150
Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Букв.
обознач
КТ 8190 А
КТ 8190 Б
не менее не более не менее не более
Обратный ток коллектора, mA
(U
кб
= 800 В)
I
кбо
1
1
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
(I
k
= 16 А; I
б
= 3.2 А)
U
кэ нас
1.5
1.5
Напряжение насыщения база-эмиттер, В
(I
к
= 16 A; I
б
= 3.2 A)
U
бэ нас
2.5
2.5
Граничное напряжение, В
(I
к
= 100 mA; I
б
= 0)
U
кэо гр.
450
400


Временные характеристики

Чертеж корпуса
Тепловое сопротивление переход-корпус
R
t п-к
1.0
1.0
Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Букв.
обознач
КТ 8190 А
КТ 8190 Б
не менее не более не менее не более
Время включения, мкс
(U
кэ
= 300 В;
I
бэ1
= -I
бэ2
= 3.2 A;
I
к
= 16 A)
t
вкл
1.0
1.0
Время рассасывания, мкс
(U
кэ
= 300 В;
I
б1
= -I
б2
= 3.2 A; I
к
= 16 A)
t
рас
2.5
2.5
Время спада, мкс
(U
кэ
= 300 В;
I
б1
= -I
б2
= 3.2 A; I
к
= 16 A)
t
сп
0.5
0.5