Электрические характеристики при T = 25њC
КТ 8223 А,Б,В,Г Мощный высоковольтный
транзисторный модуль
Максимальные электрические характеристики
Кремниевые мощные высоковольтные N-P-N транзисторные
модули, выполненные по схеме Дарлингтона в
металлопластмассовом корпусе, предназначены для работы
в мощных высоковольтных преобразователях и другой
аппаратуре широкого применения.
Наименование
параметра,единица
измерения
Буквеное
обозначение
Норма
КТ8223А КТ8223Б КТ8223В КТ8223Г
Максимально допустимое
постоянное напряжение
коллектор-эмиттер, В
U
кэх max
1000
800
1000
800
Максимально допустимое
постоянное напряжение
эмиттер-база, В
U
эб max
7
7
7
7
Максимально допустимый
постоянный ток
коллектора, А
I
к max
150
150
150
150
Максимально допустимый
импульсный ток
коллектора, А
( t
и
<30 мкс, Q>1000 )
I
к и max
200
200
100
100
Максимально допустимый
постоянный ток базы, А
I
б мах
8
8
4
4
Максимально допустимая
постоянная рассеиваемая
мощность коллектора, Вт
(t
корп.
= от - 60 до + 25њС)
Р
к max
500
500
250
250
Максимально допустимая
температура перехода,
њC
Т
пер мах
150
150
150
150
Наименование
параметра,
единица
измерения,
режим
измерения
Букв.
обознач
КТ 8223 А
КТ 8223 Б
КТ 8223 В
КТ 8223 Г
не
менее
не
более
не
менее
не
более
не
менее
не
более
не
менее
не
более
Обратный ток коллектор-
эмиттер, mA
(U
кэх
= 1000 В, U
бэ
= -2 В)
(U
кэх
= 800 В, U
бэ
= -2 В)
I
кбо
10
10
10
10
Временные характеристики
Статический коэффициент
передачи тока
(U
кэ
= 5 В; I
к
=150 А; t
и
= 300мкс)
(U
кэ
= 5 В; I
к
=75 А; t
и
< 300мкс)
h
21э
80
80
80
80
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер, В
(I
к
= 150 A; I
б
= 5 A; t
и
= 300мкс)
(I
к
= 75 A; I
б
= 3 A;t
и
< 300мкс)
U
кэ нас
4
4
4
4
Напряжение насыщения база-
эмиттер, В
(I
к
= 150 A; I
б
= 5 A; t
и
= 300мкс)
(I
к
= 75 A; I
б
= 5 A;t
и
< 300мкс)
U
бэ нас
5
5
5
5
Наименование
параметра,
единица
измерения,
режим
измерения
Букв.
обознач
КТ 8223 А
КТ 8223 Б
КТ 8223 В
КТ 8223 Г
не
менее
не
более
не
менее
не
более
не
менее
не
более
не
менее
не
более
Время включения, мкс
(U
кэ
= 300 В; I
к
= 150 A;
I
б1
= 5,0A)
(U
кэ
= 300 В; I
к
= 75 A;
I
б1
= 3,0A)
t
вкл
3
3
3
3
Время рассасывания, мкс
(U
к
= 300 В; I
к
= 150 A;I
б1
=
-I
б2
= 5,0 A)
(U
к
= 300 В; I
к
= 75 A;I
б1
=
-I
б2
= 3,0 A)
t
рас
15
15
15
15
Время спада, мкс
(U
к
= 300 В; I
к
= 150 A;I
б1
=
-I
б2
= 5,0 A)
(U
к
= 300 В; I
к
= 75 A;I
б1
=
-I
б2
3,0A)
t
сп
5,0
5,0
5,0
5,0
Постоянное прямое
напряжение диода,В
(I
пр
= 150А)
I
пр
= 75A)
3,0
3,0
3,0
3,0
3,0
3,0
3,0
3,0
PDF 
ZIP