NTE342
Silicon NPN Transistor
RF Power Output
(P
O
= 6W, 175MHz)
Description:
The NTE342 is a silicon NPN epitaxial planer type transistor designed for RF power amplifiers on VHF
band mobile radio applications.
Features:
D
High Power Gain: G
pe
10dB (V
CC
= 13.5V, P
O
= 6W, f = 175MHz)
D
Ability to Withstand more than 20:1 VSWR Load when Operated at:
V
CC
= 15.2V, P
O
= 6W, f = 175MHz
Application:
D
4 to 5 Watt Output Power Amplifiers Applications in VHF band
Absolute Maximum Ratings: (T
C
= +25
C unless otherwise specified)
CollectorBase Voltage, V
CBO
35V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
CollectorEmitter Voltage (R
BE
=
), V
CEO
17V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
EmitterBase Voltage, V
EBO
4V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
2A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Dissipation, P
C
T
A
= +25
C
1.5W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
T
C
= +25
C
12.5W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
J
+150
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
55
to +150
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, JunctiontoAmbient, R
thJA
83
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, JunctiontoCase, R
thJC
10
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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