NTE5539 & NTE5540
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
55 Amps
Features:
D
High Voltage Capability
D
High Surge Capability
D
Glass Passivated Chip
Electrical Characteristics: (T
A
= +25
C, 60Hz, Resistive load unless otherwise specified)
Repetitive Peak OffState Forward & Reverse Voltage, V
DRM
, V
RRM
NTE5539
400V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5540
800V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum RMS OnState Current, I
T(RMS)
55A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average OnState Current, I
T(AV)
35A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
DC Gate Trigger Current (V
D
= 12V, R
L
= 30
), I
GT
Minimum
5mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum
40mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Peak OffState Forward & Reverse Current (At rated V
DRM
, V
RRM
), I
DRM,
I
RRM
(T
C
= +25
C)
NTE5539
10
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5540
20
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(T
C
= +100
C)
NTE5539
1.0mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5540
1.5mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(T
C
= +125
C)
NTE5539
2.0mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5540
3.0mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak OnState Voltage (I
T(RMS)
= 55A, T
C
= +25
C), V
TM
1.8V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum DC Gate Trigger Voltage (T
C
= +25
C, V
D
= 12V, R
L
= 30
), V
GT
1.5V
. . . . . . . . . . . . . .
Minimum DC Gate Trigger Voltage (T
C
= +125
C, V
D
= 12V, R
L
= 30
), V
GT
0.2V
. . . . . . . . . . . . . .
Maximum DC Holding Current (Gate Open, Initial OnState Current = 400mA(DC)), I
H
60mA
. . . .
Peak Gate Current (Pulse Width
10
s), I
GM
4A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Gate Power Dissipation (Pulse Width
10
s), P
GM
40W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average Gate Power Dissipation, P
G(AV)
800mW
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak One Cycle Surge Forward Current, I
TSM
50Hz
550A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
60Hz
650A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Minimum Critical RateofApplied Forward Voltage, dv/dt
(T
C
= +100
C)
NTE5539
650V/
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5540
500V/
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(T
C
= +125
C)
NTE5539
550V/
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5540
475V/
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics (Cont'd): (T
A
= +25
C, 60Hz, Resistive load unless otherwise specified)
RMS Surge (NonRepetitive) OnState Current for Fusing (8.3ms), I
2
t
1750A
2
sec
. . . . . . . . . . . . . .
Maximum RateofChange of OnState Current (I
GT
= 150mA, t
r
= 0.1
s), di/dt
175A/
s
. . . . . . .
Gate Controlled TurnOn Time (Gate Pulse = 150mA, Min Width = 15
s, t
r
0.1
s), t
gt
2.5
s
. . .
Circuit Commutated TurnOff Time (Note 1), t
q
35
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Temperature Range, T
J
40
to +125
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
40
to +125
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Lead Temperature (During Soldering, 1/16" from case, 10sec max), T
L
+230
C
. . . . . . . . . . . . . . . . .
Note 1. i
T
= 2A, Pulse Duration = 50
s, dv/dt = 20V/
s, di/dt = 30A/
s, I
GT
= 200mA at TurnOn
K
A
G
A
.060 (1.52)
.173 (4.4)
.215 (5.45)
.055 (1.4)
.015 (0.39)
.500
(12.7)
Min
.430
(10.92)
.550
(13.97)
.156
(3.96)
Dia.
NOTE: Dotted line indicates
that case may have square
corners.
.600 (15.24)
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