NTE5567, NTE5568, NTE5569, & NTE5571
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
for Phase Control Applications
Features:
D
High Current Rating
D
Excellent Dynamic Characteristics
D
Superior Surge Capabilities
D
Standard Package
Voltage Ratings and Electrical Characteristics: (T
J
= +125
C unless otherwise specified)
Maximum Repetitive Peak Forward and Reverse Voltage (Note 1), V
DRM
, V
RRM
NTE5567
200V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5568
600V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5569
1200V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571
1600V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum NonRepetitive Peak Voltage (Note 2), V
RSM
NTE5567
300V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5568
700V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5569
1300V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571
1700V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Peak Reverse and OffState Current, I
DRM
, I
RRM
15mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Average OnState Current (180
Sinusoidal Conduction), I
T(RMS)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 (T
C
= +94
C)
50A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 (T
C
= +90
C)
50A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum RMS OnState Current, I
T(RMS)
80A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Peak OneCycle NonRepetitive Surge Current (t = 10ms, Sinusoidal Half Wave), I
TSM
(No Voltage Reapplied)
NTE5567, NTE5568, NTE5569
1430A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571
1200A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(100% V
RRM
Reapplied)
NTE5567, NTE5568, NTE5569
1200A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571
1010A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum I
2
t for Fusing (t = 10ms, Sinusoidal Half Wave), I
2
t
(No Voltage Reapplied)
NTE5567, NTE5568, NTE5569
10.18KA
2
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571
7.21KA
2
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(100% V
RRM
Reapplied)
NTE5567, NTE5568, NTE5569
7.20KA
2
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571
5.10KA
2
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Voltage Ratings and Electrical Characteristics (Cont'd): (T
J
= +125
C unless otherwise specified)
Maximum I
2
t for Fusing (t = 0.1 to 10ms, No Voltage Reapplied), I
2
t
NTE5567, NTE5568, NTE5569
101.8KA
2
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571
72.1KA
2
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Low Level Value of Threshold Voltage (16.7% x
x I
T(AV)
< I <
x I
T(AV)
), V
T(TO)1
NTE5567, NTE5568, NTE5569
0.94V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571
1.02V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
High Level Value of Threshold Voltage (
x I
T(AV)
< I < 20 x
x I
T(AV)
), V
T(TO)2
NTE5567, NTE5568, NTE5569
1.08V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571
1.17V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Low Level Value of OnState Slope Resistance (16.7% x
x I
T(AV)
< I <
x I
T(AV)
), r
t1
NTE5567, NTE5568, NTE5569
4.08m
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571
4.78m
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
High Level Value of OnState Slope Resistance (
x I
T(AV)
< I < 20 x
x I
T(AV)
), V
T(TO)2
NTE5567, NTE5568, NTE5569
3.34m
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571
3.97m
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum OnState Voltage (I
pk
= 157A, T
J
= +25
C), V
TM
NTE5567, NTE5568, NTE5569
1.60V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571
1.78V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Holding Current (T
J
= +25
C, Anode Supply 22V, Resistive Load, Initial I
T
= 2A), I
H
200mA
.
Latching Current (Anode Supply 6V, Resistive Load), I
L
400mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Rate of Rise of TurnedOn Current, di/dt
(V
DM
= Rated V
DRM
, Gate Pulse = 20V, 15
, t
p
= 6
s, t
r
= 0.1
s ax., I
TM
= (2x Rated di/dt) A)
NTE5567, NTE5568
200A/
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5569, NTE5571
100A/
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Typical Delay Time, t
d
0.9
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(T
C
= +25
C, V
DM
= Rated V
DRM
, DC Resistive Circuit, Gate Pulse = 10V, 15
Source, t
p
= 20
s)
Typical TurnOff Time, t
q
110
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(T
C
= +125
C, I
TM
= 50A, Reapplied dv/dt = 20V
s, dir/dt = 10A/
s, V
R
= 50V)
Maximum Critical Rate of Rise of OffState Voltage, dv/dt
(Linear to 100% rated V
DRM
)
200V/
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(Linear to 67% rated V
DRM
)
500V/
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Peak Gate Power (t
p
5ms), P
G(AV)
10W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Average Gate Power, P
GM
2.5W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Peak Positive Gate Current, I
GM
2.5A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Peak Positive Gate Voltage, +V
GM
20V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Peak Negative Gate Voltage, V
GM
10V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
DC Gate Current Required to Trigger (6V AnodetoCathode Applied), I
GT
50mA
. . . . . . . . . . . . . .
DC Gate Voltage Required to Trigger (6V AnodetoCathode Applied, T
J
= +25
C), V
GT
2.5V
. . .
DC Gate Current Not to Trigger (Rated V
DRM
AnodetoCathode Applied), I
GD
5.0mA
. . . . . . . . . .
DC Gate Voltage Not to Trigger (Rated V
DRM
AnodetoCathode Applied), V
GD
0.2V
. . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature Range, T
J
40
to +125
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
40
to +125
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance
JunctiontoCase (DC Operation), R
thJC
0.35K/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
CasetoHeatsink (Mounting Surface Smooth, Flat, and Greased), R
thCS
0.25K/W
. . . . . . .
Mounting Torque (NonLubricated Threads), T
25 30 (2.8 3.4) lbfin (Nm)
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
Note 1. Units may be broken over nonrepetitively in the offstate direction without damage, if di/dt
does not exceed 20A/
s.
Note 2. For voltage pulses with t
p
5ms.
PDF 
ZIP