BPX 81
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
2001-02-21
1
Wesentliche Merkmale
Speziell geeignet fr Anwendungen im Bereich
von 440 nm bis 1070 nm
Hohe Linearitt
Einstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
Computer-Blitzlichtgerte
Miniaturlichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Industrieelektronik
,,Messen/Steuern/Regeln"
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPX 81
Q62702-P20
BPX 81-2/3
Q62702-P3583
BPX 81-3
Q62702-P43-S3
BPX 81-3/4
Q62702-P3584
BPX 81-4
Q62702-P43-S4
Features
Especially suitable for applications from
440 nm to 1070 nm
High linearity
One-digit array package of transparent epoxy
Available in groups
Applications
Computer-controlled flashes
Miniature photointerrupters
Industrial electronics
For control and drive circuits
2001-02-21
2
BPX 81
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40
...
+ 80
C
Lttemperatur bei Tauchltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse, Ltzeit
t
3 s
Dip soldering temperature
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
3 s
T
S
230
C
Lttemperatur bei Kolbenltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse, Ltzeit
t
5 s
Iron soldering temperature
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
5 s
T
S
300
C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
V
CE
32
V
Kollektorstrom
Collector current
I
C
50
mA
Kollektorspitzenstrom,
<
10
s
Collector surge current
I
CS
200
mA
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
90
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
750
K/W
BPX 81
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Kennwerte (
T
A
= 25
C,
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
850
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
440
...
1070
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
0.17
mm
2
Abmessung der Chipflche
Dimensions of chip area
L
B
L
W
0.6
0.6
mm
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseoberflche
Distance chip front to case surface
H
1.3
...
1.9
mm
Halbwinkel
Half angle
18
Grad
deg.
Kapazitt
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
C
CE
6
pF
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
I
CEO
25 (
200)
nA
2001-02-21
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BPX 81
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern
gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by
arabian figures.
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
-2
-3
-4
Fotostrom,
=
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CE
= 5 V
I
PCE
I
PCE
0.25
...
0.50
1.4
0.40
...
0.80
2.2
0.63
3.4
mA
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
t
r
,
t
f
5.5
6
8
s
Kollektor-Emitter-Sttigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
0.3
E
e
= 0.5 mW/cm
2
V
CEsat
150
150
150
mV
1)
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
1)
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
BPX 81
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5
Relative Spectral Sensitivity
S
rel
=
f
(
)
Photocurrent
I
PCE
/
I
PCE25
o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V
Directional Characteristics
S
rel
=
f
(
)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Collector-Emitter Capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Total Power Dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Dark Current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
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