ChipFind - документация

Электронный компонент:

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Semiconductor Group
1
11.96
5 mm (T1
3
/
4
) LED, Non Diffused
LS 5420, LY 5420, LG 5410
Streuung der Lichtstrke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
2.0.
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehusefarbe
Color of
Package
Lichtstrke
Luminous
Intensity
I
F
= 10 mA
I
V
(mcd)
Bestellnummer
Ordering Code
LS 5420-MQ
LS 5420-P
LS 5420-Q
LS 5420-R
LS 5420-PT
super-red
red clear
16 ... 125
40 ... 80
63 ... 125
100 ... 200
40 ... 500
Q62703-Q1428
Q62703-Q1430
Q62703-Q1993
Q62703-Q1429
Q62703-Q1431
LY 5420-MQ
LY 5420-P
LY 5420-Q
LY 5420-R
LY 5420-PS
yellow
yellow clear
16 ... 125
40 ... 80
63 ... 125
100 ... 200
40 ... 320
Q62703-Q1432
Q62703-Q1434
Q62703-Q2004
Q62703-Q3235
Q62703-Q1435
LG 5410-MQ
LG 5410-P
LG 5410-Q
LG 5410-R
LG 5410-PS
green
colorless clear
16 ... 125
40 ... 80
63 ... 125
100 ... 200
40 ... 320
Q62703-Q1439
Q62703-Q1868
Q62703-Q2020
Q62703-Q2021
Q62703-Q2022
VEX06713
Besondere Merkmale
q
eingefrbtes, klares Gehuse
q
zur Einkopplung in Lichtleiter
q
als optischer Indikator einsetzbar
q
Ltspiee ohne Aufsetzebene
q
gegurtet lieferbar
q
Strimpulsfest nach DIN 40839
Features
q
colored, clear package
q
optical coupling into light pipes
q
for use as optical indicator
q
solder leads without stand-off
q
available taped on reel
q
load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
2
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
55 ... + 100
C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100
C
Durchlastrom
Forward current
I
F
40
mA
Stostrom
Surge current
t
10
s, D = 0.005
I
FM
0.5
A
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
25 C
P
tot
140
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
R
th JA
400
K/W
LS 5420, LY 5420, LG 5410
Semiconductor Group
3
Kennwerte (
T
A
= 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LY
LG
Wellenlnge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission
(typ.)
I
F
= 20 mA
peak
635
586
565
nm
Dominantwellenlnge
(typ.)
Dominant wavelength
(typ.)
I
F
= 20 mA
dom
628
590
570
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
(typ.)
I
F
= 20 mA
45
45
25
nm
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
V
2
24
24
24
Grad
deg.
Durchlaspannung
(typ.)
Forward voltage
(max.)
I
F
= 10 mA
V
F
V
F
2.0
2.6
2.0
2.0
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
(typ.)
Reverse current
(max.)
V
R
= 5 V
I
R
I
R
0.01
10
0.01
10
0.01
10
A
A
Kapazitt
(typ.)
Capacitance
V
R
= 0 V, = 1 MHz
C
0
12
10
15
pF
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 %
(typ.)
I
V
from 90 % to 10 %
(typ.)
I
F
= 100 mA,
t
P
= 10
s,
R
L
= 50
t
r
t
f
300
150
300
150
450
200
ns
ns
LS 5420, LY 5420, LG 5410
Semiconductor Group
4
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
),
T
A
= 25 C,
I
F
= 20 mA
Relative spectral emission
V (
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(
)
Radiation characteristic
LS 5420, LY 5420, LG 5410
Semiconductor Group
5
Durchlastrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 C
Zulssige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
P
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,
T
A
= 25 C
LS 5420, LY 5420, LG 5410
Relative Lichtstrke
I
V
/
I
V(10 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 C
Maximal zulssiger Durchlastrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)