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Электронный компонент: Q62702-K0047

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Semiconductor Group
1
KOM 2125
NEU: 2fach-Silizium-PIN-Fotodiode in SMT
NEW: 2-Chip Silicon PIN Photodiode in SMT
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
q
Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns)
q
geeignet fr Vapor-Phase Lten und
IR-Reflow-Lten
q
SMT-fhig
Anwendungen
q
Nachlaufsteuerungen
q
Kantenfhrung
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
q
Short switching time (typ. 25 ns)
q
Suitable for vapor-phase and IR-reflow
soldering
q
Suitable for SMT
Applications
q
Follow-up controls
q
Edge drives
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
KOM 2125
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
KOM 2125
Q62702-K0047
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
feo06860
01.97
Semiconductor Group
2
KOM 2125
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... + 80
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
60
V
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
150
mW
Kennwerte (
T
A
= 25
C, Normlicht A, 2856 K)
Characteristics (
T
A
= 25
C, standard light A, 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 5 V;
Diode A
Spectral sensitivity
Diode B
S
40 (
30)
100 (
75)
nA/Ix
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
850
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
400 ... 1100
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Diode A
Radiant sensitive area
Diode B
A
4
10
mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Flche
Dimensions of radiant sensitive area
L
B
L
W
2
2, 2
5
mm
mm
Abstand Chipoberflche zu Verguoberflche
Distance chip front to case seal
H
0.3
mm
Halbwinkel
Half angle
60
Grad
deg.
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Diode A
Dark current
Diode B
I
R
5 (
30)
10 (
30)
nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
S
0.62
A/W
Quantenausbeute
Quantum yield
0.90
Electrons
Photon
Semiconductor Group
3
KOM 2125
Leerlaufspannung,
E
v
= 1000 Ix
Open-circuit voltage
V
O
350 (
300)
mV
Kurzschlustrom,
E
v
= 1000 Ix
Diode A
Short-circuit current
Diode B
I
SC
38
95
A
Anstiegszeit/Abfallzeit
Diode A
Rise and fall time
Diode B
R
L
= 50
;
V
R
= 5 V;
= 850 nm;
I
P
= 800
A
t
r
,
t
f
18
25
ns
Durchlaspannung,
I
F
= 100 mA;
E
= 0
Forward voltage
V
F
1.0
V
Kapazitt
Diode A
Capacitance
Diode B
V
R
= 0 V;
f
= 1 MHz;
E
= 0
C
0
40
100
pF
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
TC
V
2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient von
I
P
Temperature coefficient of
I
P
TC
I
0.18
%/K
Rauschquivalente
Strahlungsleistung
Diode A
Noise equivalent power
Diode B
V
R
= 10 V
NEP
6.4
10
14
9.1
10
14
W
Hz
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V
Diode A
Detection limit
Diode B
D*
3.1
10
12
3.5
10
12
cm
Hz
W
Kennwerte (
T
A
= 25
C, Normlicht A, 2856 K)
Characteristics (
T
A
= 25
C, standard light A, 2856 K) (cont'd)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Semiconductor Group
4
KOM 2125
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(
)
Dark current,
I
R
=
f
(
V
R
)
, E
= 0
normalized to 10 V/25
o
C
Photocurrent
I
P
=
f
(
E
v
),
V
R
= 5 V
Open-circuit voltage
V
O
=
f
(
E
v
)
Capacitance
C
=
f
(
V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Dark current
I
R
=
f
(
T
A
),
V
R
= 10 V
, E
= 0, normalized to
T
A
= 25
o
C
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)