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Электронный компонент: Q62702-L94

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GaAs FET
CLY 10
_________________________________________________________________________________________________________
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 1/7
17.12.96
HL EH PD 21
D a t a s h e e t
* Power amplifier for mobile phones
* For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz
* Wide operating voltage range: 2.7 to 6 V
* P
OUT
at V
D
=3V, f=1.8GHz 28.5 dBm typ.
* High efficiency better 55 %
ESD:
Electrostatic discharge sensitive device,
observe handling precautions!
Type
Marking
Ordering code
(taped)
Pin Configuration
1 2 3 4
Package 1)
CLY 10
CLY 10
Q62702-L94
G
S
D
S
SOT 223
Maximum ratings
Symbol
Values
Unit
Drain-source voltage
VDS
9
V
Drain-gate voltage
VDG
12
V
Gate-source voltage
VGS
-6
V
Drain current
ID
2.1
A
Channel temperature
TCh
150
C
Storage temperature
Tstg
-55...+150
C
Total power dissipation
(Ts < 80 C)
2)
Total power dissipation
(Ts < 110 C)
2)
PtotDC
3.5
2.0
W
Thermal resistance
Channel - soldering point
2)
RthChS
20
K/W
1)
Dimensions see chapter Package Outlines
2) Ts is measured on the source lead to the PCB under load.
GaAs FET
CLY 10
_________________________________________________________________________________________________________
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 2/7
17.12.96
HL EH PD 21
Electrical characteristics (TA = 25C , unless otherwise specified)
Characteristics
Symbol
min
typ
max
Unit
Drain-source saturation current
VDS = 3 V VGS = 0 V
IDSS
1.2
1.6
2.4
A
Drain-source pinch-off current
VDS = 3 V VGS = -3.8 V
ID
-
-
200
A
Gate pinch-off current
VDS = 3 V VGS = -3.8 V
IG
-
10
35
A
Pinch-off Voltage
VDS= 3 V ID=200A
VGS(p)
-3.8
-2.8
-1.8
V
Small Signal Gain
*
)
VDS = 3 V
ID = 700 mA
f = 1.8 GHz
Pin = 0 dBm
G
-
9
-
dB
Small Signal Gain
**
)
VDS = 3 V
ID = 700 mA
f = 1.8 GHz
Pin = 0 dBm
G
-
8
-
dB
Output Power
VDS = 3 V ID = 700 mA f = 1.8 GHz
Pin = 20.5 dBm
Po
28
28.5
-
dBm
Output Power
VDS = 5 V ID = 700 mA f = 0.9 GHz
Pin = 20 dBm
Po
32.0
32.5
-
dBm
1dB-Compression Point
VDS = 3 V ID = 700 mA f = 1.8 GHz
P1dB
-
28.5
-
dBm
1dB-Compression Point
VDS = 5 V ID = 700 mA f = 1.8GHz
P1dB
-
32.5
-
dBm
Power Added Efficiency
VDS = 5 V ID = 700 mA f = 1.8 GHz
Pin = 20 dBm
PAE
40
55
-
%
*
)
Matching conditions for maximum small signal gain: f = 1.8 GHz
Source Match:
ms
: MAG = 0.70, ANG -116; Load Match:
ml
: ;MAG 0.68, ANG -145
**
)
Power matching conditions: f = 1.8 GHz
Source Match:
ms
: MAG = 0.70, ANG -120; Load Match:
ml
: ;MAG 0.78, ANG -130
GaAs FET
CLY 10
_________________________________________________________________________________________________________
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 3/7
17.12.96
HL EH PD 21
Compression Power vs. Drain-Source Voltage
f = 1.8GHz; IDS = 0.5 IDSS
P1dB
D
0
5
10
15
20
25
30
35
40
[dBm]
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
10
20
30
40
50
60
70
80
[%]
[V]
Drain-Source Voltage
Small Signal Gain
P1dB
0
2
4
6
8
10
12
16
[dB]
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
[W]
[V]
Drain-Source Voltage
14
Output Characteristics
Drain-Source Voltage [V]
Draincurrent [A]
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
1,8
0
1
2
3
4
5
6
VGS=0V
VGS=-0.5V
VGS=-1V
VGS=-1.5V
VGS=-2V
VGS=-2.5V
PtotDC
GaAs FET
CLY 10
_________________________________________________________________________________________________________
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 4/7
17.12.96
HL EH PD 21
typ. Common Source S-Parameters
VDS = 3 V
ID = 700 mA
Zo = 50
f
S11
S21
S12
S22
GHz
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
0,1
0,97
-46,7
12,54
152,1
0,01013
71
0,55
-175,9
0,15
0,94
-66,5
11,55
139,8
0,01418
63,5
0,57
-175,9
0,2
0,92
-83,8
10,29
129,8
0,01729
57,8
0,58
-177,6
0,25
0,89
-98,3
9,27
121,5
0,01981
53,6
0,61
-178,6
0,3
0,88
-110,6
8,35
113,8
0,02179
49,5
0,62
-179,6
0,4
0,85
-130,5
6,8
102
0,02484
45,7
0,64
176,6
0,5
0,84
-145,7
5,67
92
0,02739
42,8
0,65
173,9
0,6
0,83
-157,8
4,85
83,9
0,02978
41
0,66
170,4
0,7
0,83
-167,9
4,2
76,8
0,03211
39,8
0,66
167,9
0,8
0,83
-176,7
3,69
70,1
0,03431
38,5
0,68
165,1
0,9
0,83
175,5
3,29
64,1
0,03669
37,2
0,68
162,1
1
0,83
168,6
2,95
58,5
0,03901
36,2
0,69
160,1
1,2
0,83
156,3
2,45
47,7
0,04357
33,1
0,69
154,8
1,4
0,84
145,5
2,07
37,7
0,04826
29,8
0,7
149,4
1,5
0,84
140,4
1,91
33
0,05055
28,2
0,72
147,3
1,6
0,85
135,6
1,77
28,3
0,05255
26,3
0,72
144,3
1,8
0,86
126,4
1,54
19,2
0,05666
22,1
0,73
139
2
0,87
117,9
1,35
10,5
0,06018
17,8
0,75
134,2
2,2
0,88
110
1,19
2,1
0,06309
13,7
0,76
129,5
2,4
0,88
102,7
1,06
-6
0,06575
9,6
0,76
124,8
2,5
0,88
99
0,99
-9,8
0,06683
7,3
0,77
121,7
3
0,9
83,3
0,74
-27,3
0,07096
-2,7
0,79
110,1
3,5
0,9
70,3
0,57
-41,4
0,0727
-11,6
0,81
99,4
4
0,91
59,4
0,46
-52,8
0,07424
-19,4
0,84
89,2
4,5
0,92
49,1
0,38
-63,3
0,07458
-27,5
0,85
80
5
0,93
39,4
0,33
-73,5
0,07561
-34,8
0,88
70,2
5,5
0,93
29,7
0,28
-82,9
0,07602
-42,6
0,89
60
6
0,92
20,8
0,25
-90,9
0,07392
-50,4
0,9
49
GaAs FET
CLY 10
_________________________________________________________________________________________________________
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 5/7
17.12.96
HL EH PD 21
typ. Common Source S-Parameters
VDS = 5 V
ID = 700 mA
Zo = 50
f
S11
S21
S12
S22
GHz
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
0,1
0,96
-48,5
14,2
150,6
0,01079
68,9
0,45
-171,9
0,15
0,93
-68,8
12,97
137,9
0,01503
60,6
0,47
-171,3
0,2
0,91
-86,4
11,48
127,5
0,01801
54,4
0,5
-173,3
0,25
0,88
-101
10,26
119,1
0,02041
50,1
0,53
-174,5
0,3
0,87
-113,2
9,19
111,4
0,02224
45,9
0,55
-175,6
0,4
0,84
-132,9
7,43
99,4
0,02486
41,7
0,56
-179,8
0,5
0,83
-147,7
6,17
89,4
0,02691
39,1
0,58
177,5
0,6
0,82
-159,5
5,25
81,2
0,02894
37,6
0,59
173,8
0,7
0,82
-169,4
4,54
73,9
0,03078
36,7
0,6
171,4
0,8
0,81
-177,9
3,98
67,1
0,03264
35,8
0,61
168,7
0,9
0,82
174,5
3,55
61
0,03469
35
0,61
165,8
1
0,82
167,7
3,17
55,1
0,03667
34,4
0,62
163,9
1,2
0,82
155,7
2,62
43,9
0,04065
32,4
0,64
158,8
1,4
0,83
145,1
2,2
33,6
0,04503
29,9
0,65
153,6
1,5
0,84
140,1
2,04
28,7
0,04721
28,8
0,66
151,6
1,6
0,84
135,4
1,88
23,8
0,04917
27,2
0,67
148,5
1,8
0,85
126,3
1,63
14,3
0,05335
23,5
0,69
143,3
2
0,86
118
1,42
5,1
0,05705
19,7
0,71
138,5
2,2
0,87
110,1
1,25
-3,6
0,0602
15,9
0,72
133,8
2,4
0,88
102,8
1,1
-12,2
0,06313
12
0,73
129
2,5
0,88
99,1
1,03
-16,1
0,06448
9,9
0,74
125,9
3
0,9
83,3
0,76
-34,4
0,06956
-0,2
0,77
113,9
3,5
0,91
70,3
0,57
-49
0,07219
-9
0,81
102,8
4
0,91
59,3
0,45
-60,5
0,07429
-17,1
0,83
92,1
4,5
0,92
48,9
0,37
-71,1
0,07489
-25,5
0,85
82,5
5
0,93
39,2
0,31
-81,2
0,07614
-32,9
0,89
72,3
5,5
0,93
29,5
0,26
-90,4
0,07667
-40,9
0,9
61,7
6
0,92
20,6
0,23
-97,9
0,07466
-48,6
0,91
51
Additional S-Parameter available on CD.
GaAs FET
CLY 10
_________________________________________________________________________________________________________
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 6/7
17.12.96
HL EH PD 21
Total Power Dissipation
PtotDC = f(Ts)
Permissible Pulse Load
Ptotmax/PtotDC = f(tp)
GaAs FET
CLY 10
_________________________________________________________________________________________________________
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 7/7
17.12.96
HL EH PD 21
CLY10 Power GaAs-FET Matching Conditions
Definition:
Measured Data:
Typ
f
[GHz]
VDS
[V]
ID
[mA]
P-1dB
[dBm]
Gain
[dB]
ms
MAG
ms
ANG
ml
MAG
ml
ANG
CLY10
0.9
3
700
26.7
15.3
0.58
169
0.68
-156
5
700
32.0
15.4
0.57
173
0.69
-157
6
700
33.8
14.9
0.56
174
0.68
-155
1.5
3
700
28.5
10.0
0.70
-135
0.79
-132
5
700
32.5
10.1
0.67
-127
0.76
-133
6
700
33.3
10.2
0.67
-134
0.72
-132
1.8
3
700
28.5
9.0
0.70
-120
0.78
-123
5
700
32.5
9.5
0.70
-120
0.78
-125
6
700
33.3
9.7
0.73
-125
0.77
-126
2.4
3
700
27.9
7.2
0.77
-86
0.73
-107
5
700
31.3
7.4
0.74
-92
0.65
-110
6
700
33.3
7.5
0.73
-87
0.70
-110
Note: Gain is small signal gain @
ms and
ml