Semiconductor Group
1
1997-11-01
Wesentliche Merkmale
q
GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
q
Gute Linearitt (
I
e
=
f
[
I
F
]) bei hohen Strmen
q
Gleichstrom- (mit Modulation) oder
Impulsbetrieb mglich
q
Hohe Zuverlssigkeit
q
Hohe Impulsbelastbarkeit
q
Oberflchenmontage geeignet
q
Gegurtet lieferbar
q
SFH 420 Gehusegleich mit SFH 320/421
SFH 425 Gehusegleich mit SFH 325/426
q
SFH 425: Nur fr IR-Reflow-Ltung geeignet.
Bei Schwalltung wenden Sie sich bitte an uns.
Features
q
Very highly efficient GaAs-LED
q
Good Linearity (
I
e
=
f
[
I
F
]) at high currents
q
DC (with modulation) or pulsed operations
are possible
q
High reliability
q
High pulse handling capability
q
Suitable for surface mounting (SMT)
q
Available on tape and reel
q
SFH 420 same package as SFH 320/421
SFH 425 same package as SFH 325/426
q
SFH 425: Suitable only for IR-reflow
soldering. In case of dip soldering, please
contact us first.
GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehuse
GaAs Infrared Emitter in SMT Package
SFH 420
SFH 425
Ma
e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
GPL06880
1.1
0.9
2.54
spacing
(2.4)
2.8
2.4
4.2
3.8
(2.85)
0.7
4.2
3.8
(2.9)
3.8
3.4
(R1)
Collector/Cathode marking
Cathode/
Collector
Anode/
Emitter
fpl06724
fpl06867
GPL06724
(typ)
0.7
0.9
1.7
2.1
0.12
0.18
0.5
1.1
3.3
3.7
0.4
0.6
2.6
3.0
2.1
2.3
Cathode/Collector marking
3.0
3.4
2.4
Approx. weight 0.03 g
0.8
0.6
0.1
Cathode/Collector
SFH 420 TOPLED
SFH 425 SIDELED
SFH 420
SFH 425
Semiconductor Group
2
1997-11-01
Anwendungen
q
Miniaturlichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenlaser
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Grenzwerte (
T
A
= 25
C)
Maximum Ratings
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
SFH 420
SFH 425
Q62702-P1690
Q62702-P0330
Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke
cathode marking: bevelled edge
TOPLED
SIDELED
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
100
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Durchlastrom
Forward current
I
F
100
mA
Stostrom,
=
10
s,
D
= 0
Surge current
I
FSM
3
A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
160
mW
Wrmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
Montage auf FR4 Platine, Padgre je 16 mm
2
Thermal resistance junction - ambient mounted on
PC-board (FR4), padsize 16 mm
2
each
Wrmewiderstand Sperrschicht - Ltstelle bei
Montage auf Metall-Block
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block
R
thJA
R
thJS
450
200
K/W
K/W
Applications
q
Miniature photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For drive and control circuits
Semiconductor Group
3
1997-11-01
SFH 420
SFH 425
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
peak
950
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 mA
55
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
60
Grad
deg.
Aktive Chipflche
Active chip area
A
0.09
mm
2
Abmessungen der aktiven Chipflche
Dimension of the active chip area
L
B
L
W
0.3
0.3
mm
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
0.5
s
Kapazitt
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
o
25
pF
Durchla
spannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
V
F
V
F
1.3
(
1.5)
2.3
(
2.8)
V
V
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
I
R
0.01
(
1
)
A
Gesamtstrahlungsflu
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
e
14
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
e
,
I
F
= 100 mA
TC
I
0.5
%/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
, I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
, I
F
= 100 mA
TC
V
2
mV/K
Temperaturkoeffizient von
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
,
I
F
= 100 mA
TC
+ 0.3
nm/K
SFH 420
SFH 425
Semiconductor Group
4
1997-11-01
Gruppierung der Strahlstrke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Grouping at radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
= 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
e
> 2.5
mW/sr
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
I
e typ.
38
mW/sr
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(
)
Forward current
I
F
=
f
(
V
F
), single pulse,
t
p
= 20
s
OHR01938
rel
0
880
920
960
1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
OHR01554
V
F
-3
10
10
-2
10
-1
10
0
10
1
F
A
1
2
3
4
V
5
Radiant intensity
Single pulse,
t
p
= 20
s
I
e
I
e
100 mA
=
f
(
I
F
)
OHR01551
10
-3
F
-2
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
e 100 mA
e
-2
10
-1
10
0
10
1
10
A
A
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
OHR00883
0
F
0
20
40
60
80
100
120
20
40
60
80
100
120
mA
C
T
A
= 450 K/W
thjA
R
Radiation characteristics
S
rel
=
f
(
)
0
0.2
0.4
1.0
0.8
0.6
1.0
0.8
0.6
0.4
0
10
20
40
30
OHL01660
50
60
70
80
90
100
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
5
1997-11-01
SFH 420
SFH 425
Lthinweise
Soldering conditions
Zustzliche Informationen ber allgemeine Ltbedingungen finden Sie im Datenbuch S. 103ff.
For additional information on generel soldering conditions please refer to our Data Book on
page 169ff.
Bauform
Types
Tauch-, Schwall- und Schleppltung
Dip, wave and drag soldering
Reflowltung
Reflow soldering
Ltbad-
temperatur
Temperature
of the
soldering
bath
Maximal
zulssige
Ltzeit
Max. perm.
soldering
time
Abstand
Ltstelle
Gehuse
Distance
between
solder joint
and case
Ltzonen-
temperatur
Temperature
of soldering
zone
Maximale
Durchlaufzeit
Max. transit
time
TOPLED
SIDELED
260
C
10 s
245
C
:
225
C
10 s
10 s
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
t
p
)
duty cycle
D
= parameter,
T
A
= 20
C
t
OHR00860
p
-5
10
10
2
F
10
3
10
4
5
DC
0.2
0.5
0.1
0.005
0.01
0.02
0.05
t
p
T
F
t
p
T
D
=
5
mA
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
s
D
=
PDF 
ZIP