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Электронный компонент: Q62702-P1189

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SFH 300
SFH 300 FA
Semiconductor Group
240
.
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1130 nm (SFH 300)
und bei 880 nm (SFH 300 FA)
q
Hohe Linearitt
q
5 mm-Plastikbauform im LED-Gehuse
q
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
Computer-Blitzlichtgerte
q
Lichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
Especially suitable for applications from
420 nm to 1130 nm (SFH 300) and of
880 nm (SFH 300 FA)
q
High linearity
q
5 mm LED plastic package
q
Available in groups
Applications
q
Computer-controlled flashes
q
Photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
SFH 300
SFH 300 FA
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
feof6652
feo06652
10.95
Semiconductor Group
241
SFH 300
SFH 300 FA
1)
Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1)
Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield.
In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
Bestellnummer
Ordering Code
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 300
(*BP 103 B)
Q62702-P1189
SFH 300 FA
(*BP 103 BF)
Q62702-P1193
SFH 300-2
(*BP 103 B-2)
Q62702-P85-S2
SFH 300 FA-2
(*BP 103 BF-2)
Q62702-P1192
SFH 300-3
(*BP 103 B-3)
Q62702-P85-S3
SFH 300 FA-3
(*BP 103 BF-3)
Q62702-P1057
SFH 300-4
1)
(*BP 103 B-4)
Q62702-P85-S4
SFH 300 FA-4
(*BP 103 BF-4)
Q62702-P1058
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 100
C
Lttemperatur bei Tauchltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse,
Ltzeit
t
5 s
Dip soldering temperature
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
5 s
T
S
260
C
Lttemperatur bei Kolbenltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse,
Ltzeit
t
3 s
Iron soldering temperature
2 mm distance
from case bottom
t
3 s
T
S
300
C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
V
CE
35
V
Kollektorstrom
Collector current
I
C
50
mA
Kollektorspitzenstrom,
<
10
s
Collector surge current
I
CS
100
mA
Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage
V
EC
7
V
SFH 300
SFH 300 FA
Semiconductor Group
242
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
200
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
375
K/W
Kennwerte (
T
A
= 25
C,
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 300
SFH 300 FA
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
850
870
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
420 ... 1130
730 ... 1120
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
0.12
0.12
mm
2
Abmessung der Chipflche
Dimensions of chip area
L
B
L
W
0.5
0.5
0.5
0.5
mm
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
H
4.1 ... 4.7
4.1 ... 4.7
mm
Halbwinkel
Half angle
25
25
Grad
deg.
Kapazitt,
V
EC
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
C
CE
6.5
6.5
pF
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 35 V,
E
= 0
I
CEO
5 (
100)
5 (
100)
nA
Grenzwerte
Maximum Ratings
(cont'd)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Semiconductor Group
243
SFH 300
SFH 300 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
1)
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1)
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
-2
-3
-4
Fotostrom,
=
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
SFH 300:
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CE
= 5 V
I
PCE
I
PCE
0.63 ... 1.25
3.4
1 ... 2
5.4
1.6
8.6
mA
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
t
r
,
t
f
7.5
10
10
s
Kollektor-Emitter-Sttigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
V
CEsat
130
140
150
mV
SFH 300
SFH 300 FA
Semiconductor Group
244
Relative spectral sensitivity,
SFH 300
S
rel
=
f
(
)
Photocurrent
I
PCE
/
I
PCE25
o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V
Relative spectral sensitivity,
SFH 300 FA
S
rel
=
f
(
)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Dark current
I
CEO
/
I
CEO25
o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 25 V,
E
= 0
Dark current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
Collector-emitter capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)