SFH 205
SFH 206
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen bei
950 nm
q
Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
q
5 mm-Plastikbauform im LED-Gehuse
q
Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgerten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Gertefernsteuerungen
q
Lichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
q
Especially suitable for applications of
950 nm
q
Short switching time (typ. 20 ns)
q
5 mm LED plastic package
q
Also available on tape
Applications
q
IR-remote control of hi-fi and TV sets, video
tape recorders, dimmers, remote control of
various equipment
q
Light reflecting switches for steady and
varying intensity
SFH 205
SFH 206
Ma
e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
SFH 205
SFH 206
Grenzwerte
Maximum Ratings
Typ (* ab 4/95)
Type (* as of 4/95)
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
SFH 205
(* SFH 205 F)
Q62702-P102
10 A3 DIN 41868 (TO-92-hnlich), schwarzes
Epoxy-Gie
harz, Ltspie
e im
2.54-mm-Raster (
1
/
10
), Kathodenkennzeichnung:
Gehusekerbe
10 A3 DIN 41 868 (similar to TO-92), black epoxy
resin, solder tabs 2.54 (
1
/
10
) lead spacing, cathode
marking: notch at package
SFH 206
(* SFH 206 F)
Q62702-P128
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... +80
o
C
Lttemperatur (Ltstelle 2 mm vom
Gehuse entfernt bei Ltzeit
t
3s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (
t
3s)
T
S
230
o
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
32
V
Verlustleistung,
T
A
= 25
o
C
Total power dissipation
P
tot
150
mW
Kennwerte (
T
A
= 25
o
C,
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
S
25 (
15)
A
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
950
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
800 ... 1100
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
7.00
mm
2
SFH 205
SFH 206
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Flche
Dimensions of radiant sensitive area
L
x
B
L
x
W
2.65 x 2.65
mm
Abstand Chipoberflche zu
Gehuseoberflche
Distance chip surface to case surface
SFH 205
SFH 206
H
H
2.3 ... 2.5
1.2 ... 1.4
mm
mm
Halbwinkel
Half angle
60
Grad
deg.
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
I
R
2 (
30)
nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
S
0.59
A/W
Quantenausbeute
Quantum yield
0.77
Electrons
Photon
Leerlaufspannung,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Open-circuit voltage
V
L
330 (
250)
mV
Kurzschlu
strom,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Short-circuit current
I
K
25
A
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
;
V
R
= 5 V;
= 850 nm;
I
p
= 800
A
t
r
,
t
f
20
ns
Durchla
spannung,
I
F
= 100 mA,
E
= 0
Forward voltage
V
F
1.3
V
Kapazitt,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
C
0
72
pF
Temperaturkoeffizient von
V
L
Temperature coefficient of
V
L
TC
V
2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient von
I
K,
Temperature coefficient of
I
K
TC
I
0.18
%/K
Rauschquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V
NEP
4.3 x 10
14
W
Hz
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V
Detection limit
D*
6.2 x 10
12
cm
Hz
W
Kennwerte (
T
A
= 25
o
C,
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 205
SFH 206
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(
)
Dark current
I
R
=
f
(
V
R
),
E
= 0
Photocurrent
I
P
=
f
(
E
e
),
V
R
= 5 V
Open-circuit-voltage
V
L
=
f
(
E
e
)
Capacitance
C
=
f
(
V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Dark current
I
R
=
f
(
T
A
),
V
R
= 10 V,
E
= 0
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)
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