Semiconductor Group
1
1997-11-19
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
q
Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
q
geeignet fr Vapor-Phase Lten und IR-
Reflow-Lten
q
SMT-fhig
Anwendungen
q
Lichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
IR-Fernsteuerungen
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
q
Short switching time (typ. 20 ns)
q
Suitable for vapor-phase and IR-reflow
soldering
q
Suitable for SMT
Applications
q
Photointerrupters
q
IR remote controls
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BP 104 S
Q62702-P1605
Neu: Silizium-PIN-Fotodiode
New: Silicon PIN Photodiode
BP 104 S
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
4.5
4.3
4.0
3.7
1.5
1.7
0.9
0.7
Photosensitive area
Cathode lead
GEO06861
0.3
6.7
6.2
1.2
1.1
Chip position
0...5
0.2
0.1
1.1
0.9
2.20 mm x 2.20 mm
1.6
0...0.1
0.2
feo06862
BP 104 S
Semiconductor Group
2
1997-11-19
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... + 85
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
20
V
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
150
mW
Kennwerte (
T
A
= 25
C, Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics (
T
A
= 25
C, standard light A,
T
= 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit
V
R
= 5 V
Spectral sensitivity
S
55 (
40)
nA/lx
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
850
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
400 ... 1100
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
4.84
mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Flche
Dimensions of radiant sensitive area
L
B
L
W
2.20
2.20
mm
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
H
0.3
mm
Halbwinkel
Half angle
60
Grad
deg.
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
I
R
2 (
30)
nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
= 850 nm
Spectral sensitivity
S
0.62
A/W
Quantenausbeute,
= 850 nm
Quantum yield
0.90
Electrons
Photon
BP 104 S
Semiconductor Group
3
1997-11-19
Leerlaufspannung,
E
V
= 1000 lx
Open-circuit voltage
V
O
360 (
280)
mV
Kurzschlustrom,
E
V
= 1000 lx
Short-circuit current
I
SC
50
A
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
;
V
R
= 5 V;
= 850 nm;
I
p
= 800
A
t
r
,
t
f
20
ns
Durchlaspannung,
I
F
= 100 mA,
E
= 0
Forward voltage
V
F
1.3
V
Kapazitt,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
C
0
48
pF
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
TK
V
2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
TK
I
0.18
%/K
Rauschquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V,
= 850 nm
NEP
3.6
10
14
W
Hz
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V,
= 850 nm
Detection limit
D*
6.1
10
12
cm
Hz
W
Kennwerte (
T
A
= 25
C, Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics (
T
A
= 25
C, standard light A,
T
= 2856 K) (cont'd)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
BP 104 S
Semiconductor Group
4
1997-11-19
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)
OHF01402
90
80
70
60
50
40
30
20
10
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
100
0
0
0
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(
)
Dark current
I
R
=
f
(
V
R
),
E
= 0
Photocurrent
I
P
=
f
(
E
v
),
V
R
= 5 V
Open-circuit voltage
V
O
=
f
(
E
v
)
Capacitance
C
=
f
(
V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Dark current
I
R
=
f
(
T
A
),
V
R
= 10 V,
E
= 0
OHF00078
0
rel
S
400
20
40
60
80
%
100
500 600 700 800 900
nm 1100
OHF02284
V
R
R
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
nA
2
4
6
8 10 12 14 16 V 20
lx
3
10
O
V
P
mV
A
V
0
10
10
1
10
2
10
3
10
4
3
10
2
10
1
10
0
10
4
10
2
10
1
10
10
-1
P
10
0
V
OHF02283
E
V
OHF01778
R
-2
10
C
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
0
10
20
30
40
50
pF
60
T
OHF00958
A
0
tot
P
0
20
40
60
80 C 100
mW
20
40
60
80
100
120
140
160
T
OHF00082
A
-1
10
0
R
10
0
10
1
10
2
10
3
nA
20
40
60
80 C 100
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