ChipFind - документация

Электронный компонент:

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Semiconductor Group
1
SFH 325
SFH 325 FA
NPN-Silizium-Fototransistor im
SMT SIDELED
-Gehuse
Silicon NPN Phototransistor in
SMT SIDELED
-Package
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 380 nm bis 1150 nm
(SFH 325) und bei 880 nm (SFH 325 FA)
q
Hohe Linearitt
q
P-LCC-2 Gehuse
q
Gruppiert lieferbar
q
nur fr Reflow IR-Ltung geeignet. Bei
Schwalltung wenden Sie sich bitte an uns.
Anwendungen
q
Miniaturlichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Lochstreifenleser
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
Especially suitable for applications from
380 nm to 1150 nm (SFH 325) and of
880 nm (SFH 325 FA)
q
High linearity
q
P-LCC-2 package
q
Available in groups
q
Suitable only for reflow IR soldering. In case
of dip soldering, please contact us first.
Applications
q
Miniature photointerrupters
q
punched tape readers
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
SFH 325
SFH 325 FA
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fplf6867
fpl06867
01.97
Semiconductor Group
2
SFH 325
SFH 325 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 325
Q62702-P1638
SFH 325 FA
(*SFH 325 F)
Q62702-P1639
SFH 325-3
Q62702-P1610
SFH 325 FA-3
(*SFH 325 F-3)
Q62702-P1614
SFH 325-4
Q62702-P1611
SFH 325 FA-4
(*SFH 325 F-4)
Q62702-P1615
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 100
C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
V
CE
35
V
Kollektorstrom
Collector current
I
C
15
mA
Kollektorspitzenstrom,
<
10
s
Collector surge current
I
CS
75
mA
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
165
mW
Wrmewiderstand fr Montage auf PC-Board
Thermal resistance for mounting on pcb
R
thJA
450
K/W
Semiconductor Group
3
SFH 325
SFH 325 FA
Kennwerte (
T
A
= 25
C,
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 325
SFH 325 FA
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
860
900
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
380 ... 1150
730 ... 1120
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
(
240
m)
Radiant sensitive area
A
0.045
0.045
mm
2
Abmessung der Chipflche
Dimensions of chip area
L
B
L
W
0.45
0.45
0.45
0.45
mm
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
H
0.5 ... 0.7
0.5 ... 0.7
mm
Halbwinkel
Half angle
60
60
Grad
deg.
Kapazitt,
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
C
CE
5.0
5.0
pF
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
I
CEO
1 (
200)
1 (
200)
nA
Semiconductor Group
4
SFH 325
SFH 325 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
1)
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1)
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH
325/FA
-2
-3
-4
Fotostrom,
=
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.1 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
SFH 325:
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard
light A,
V
CE
= 5 V
I
PCE
I
PCE
16
16 ... 32
420
25 ... 50
650
40
1000
A
A
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
t
r
,
t
f
7
6
7
8
s
Kollektor-Emitter-
Sttigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
0.3,
E
e
= 0.1 mW/cm
2
V
CEsat
150
150
150
150
mV
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
)
Semiconductor Group
5
SFH 325
SFH 325 FA
Relative spectral sensitivity, SFH 325
S
rel
=
f
(
)
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Dark current
I
CEO
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V
, E
= 0
Relative spectral sensitivity, SFH 325 FA
S
rel
=
f
(
)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
V
CE
),
E
e
= Parameter
Capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Dark current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
Photocurrent
I
PCE
/
I
PCE25
o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V