ChipFind - документация

Электронный компонент: Q62702-P1673

Скачать:  PDF   ZIP
Semiconductor Group
1
1998-07-13
SFH 310
SFH 310 FA
Neu: NPN-Silizium-Fototransistor
New: Silicon NPN Phototransistor
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
(SFH 310) und bei 880 nm (SFH 310 FA)
q
Hohe Linearitt
q
3 mm-Plastikbauform
Anwendungen
q
Lichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 310) and of
880 nm (SFH 310 FA)
q
High linearity
q
3 mm plastic package
Applications
q
Photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
SFH 310
SFH 310 FA
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
0.4
0.6
3.1
3.4
Area not flat
5.7
6.1
2.7
2.9
4.8
4.4
3.7
3.5
27.0
29.0
spacing
2.54 mm
0.8
0.4
0.4
0.7
0.4
0.6
1.2
1.8
GEX06710
0.9
1.1
Collector/
2.1
2.7
Chip position
Cathode
f
eof
6653
f
e
o06653
03.96
Semiconductor Group
2
1998-07-13
SFH 310
SFH 310 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 310
SFH 310-2
SFH 310-3
Q62702-P874
on request
on request
SFH 310 FA
SFH 310 FA-2
SFH 310 FA-3
Q62702-P1673
on request
on request
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 100
C
Lttemperatur bei Tauchltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse,
Ltzeit
t
5 s
Dip soldering temperature
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
5 s
T
S
260
C
Lttemperatur bei Kolbenltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse,
Ltzeit
t
3 s
Iron soldering temperature
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
3 s
T
S
300
C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
V
CE
70
V
Kollektorstrom
Collector current
I
C
50
mA
Kollektorspitzenstrom,
<
10
s
Collector surge current
I
CS
100
mA
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
165
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
450
K/W
Semiconductor Group
3
1998-07-13
SFH 310
SFH 310 FA
Kennwerte (
T
A
= 25
C,
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 310
SFH 310 FA
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
780
880
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
470 ... 1070
740 ... 1070
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
0.19
0.19
mm
2
Abmessung der Chipflche
Dimensions of chip area
L
B
L
W
0.65
0.65
0.65
0.65
mm
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
H
2.1 ... 2.7
2.1 ... 2.7
mm
Halbwinkel
Half angle
25
25
Grad
deg.
Kapazitt,
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
C
CE
10
10
pF
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 10 V,
E
= 0
I
CEO
5 (
100)
5 (
100)
nA
Fotostrom
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CE
= 5 V
I
PCE
I
PCE
0.4
4
0.4
mA
mA
Semiconductor Group
4
1998-07-13
SFH 310
SFH 310 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
1)
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1)
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Directional characteristics
S
rel
= f (
)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
-1
-2
-3
-4
Fotostrom,
=
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
SFH 310:
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/
standard light A,
V
CE
= 5 V
I
PCE
I
PCE
0.4 ... 0.8
2.1
0.63 ... 1.25
3.4
1.0 ... 2.0
5.4
1.6
8.6
mA
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
t
r
,
t
f
5
7
8
12
s
Kollektor-Emitter-
Sttigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
V
CEsat
150
150
150
150
mV
Semiconductor Group
5
1998-07-13
SFH 310
SFH 310 FA
T
A
= 25
C,
= 950 nm
Rel.spectr. sensitivity SFH 310,
S
rel
=
f
(
)
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Dark current
I
CEO
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 10 V,
E
= 0
OHF00871
tot
P
0
0
40
80
120
160
mW
200
20
40
60
80 C 100
T
A
Rel. spectr. sensitivity SFH 310FA,
S
rel
=
f
(
)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
V
CE
),
E
e
= Parameter
Capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz
OHF02331
0
rel
S
400
600
800
1000
1200
20
40
60
80
%
100
nm
Photocurrent,
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Dark current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V, normalized to 25
o
C
T
OHF01524
A
0
-25
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75
100
PCE
PCE
25
C