Semiconductor Group
1
1998-11-12
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet fr Anwendungen bei
880 nm
q
Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
q
5 mm-Plastikbauform im LED-Gehuse
q
Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgerten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Gertefernsteuerungen
q
Lichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
q
Especially suitable for applications of
880 nm
q
Short switching time (typ. 20 ns)
q
5 mm LED plastic package
q
Also available on tape
Applications
q
IR-remote control of hi-fi and TV sets, video
tape recorders, dimmers, remote control of
various equipment
q
Photointerrupters
SFH 204 F
SFH 204 FA
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
GEO06964
Chip position
Area not flat
0.6
0.4
0.4
0.8
mm
spacing
2.54
Cathode
1.2
1.8
34
32
4.7
5.1
5.3
4.9
0.3
0.5
6.3
5.7
(3.8)
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 204 F
Q62702-P5052
SFH 204 FA
Q62702-P1793
SFH 204 F
SFH 204 FA
Semiconductor Group
2
1998-11-12
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 100
C
Lttemperatur (Ltstelle 2 mm vom
Gehuse entfernt bei Ltzeit
t
3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (
t
3 s)
T
S
230
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
20
V
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
150
mW
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 204 F
= 950 nm
SFH 204 FA
= 870 nm
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V,
E
e
= 1 mW/cm
2
S
52 (
43)
52 (
43)
A
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
920
900
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
780 ... 1120
740 ... 1120
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
4.84
4.84
mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Flche
Dimensions of radiant sensitive area
L
B
L
W
2.20
2.20
2.20
2.20
mm
mm
Abstand Chipoberflche zu
Gehuseoberflche
Distance chip surface to case surface
H
1.9 ... 2.4
1.9 ... 2.4
mm
Halbwinkel horizontal
Half angle horizontal plane
60
60
Grad
deg.
SFH 204 F
SFH 204 FA
Semiconductor Group
3
1998-11-12
Halbwinkel vertikal
Half angle vertical plane
+ 60
75
+ 60
75
Grad
deg.
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
I
R
2 (
<
30)
2 (
<
30)
nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
S
0.59
0.63
A/W
Quantenausbeute
Quantum yield
0.77
0.90
Electrons
Photons
Leerlaufspannung,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Open-circuit voltage
V
O
340 (
>
270)
340 (
>
270)
mV
Kurzschlustrom,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Short-circuit current
I
SC
25
25
A
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
;
V
R
= 5 V;
= 850 nm;
I
p
= 800
A
t
r
,
t
f
20
20
ns
Durchlaspannung,
I
F
= 100 mA,
E
= 0
Forward voltage
V
F
1.3
1.3
V
Kapazitt,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
C
0
48
48
pF
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
TC
V
2.6
2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
TC
I
0.18
0.1
%/K
Rauschquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V
NEP
3.6
10
14
3.6
10
14
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V
Detection limit
D*
6.1
10
12
6.1
10
12
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics (cont'd)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 204 F
= 950 nm
SFH 204 FA
= 870 nm
W
Hz
------------
cm
Hz
W
--------------------------
SFH 204 F
SFH 204 FA
Semiconductor Group
4
1998-11-12
Relative spectral sensitivity SFH 204 F
S
rel
=
f
(
)
Relative spectral sensitivity SFH 204 FA
S
rel
=
f
(
)
Dark current
I
R
=
f
(
V
R
),
E
= 0
Photocurrent
I
P
=
f
(
E
e
),
V
R
= 5 V
Open-circuit voltage
V
O
=
f
(
E
e
)
Capacitance
C
=
f
(
V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
OHF01430
400
rel
S
0
600
800
1000 nm 1200
10
20
30
40
50
60
70
80
%
100
0
OHF00080
R
R
V
0
5
10
15
V
20
1000
2000
3000
4000
pA
T
OHF00394
A
0
tot
P
0
20
40
60
80 C 100
mW
20
40
60
80
100
120
140
160
Dark current
I
R
=
f
(
T
A
),
V
R
= 10 V,
E
= 0
T
OHF00082
A
-1
10
0
R
10
0
10
1
10
2
10
3
nA
20
40
60
80 C 100
SFH 204 F
SFH 204 FA
Semiconductor Group
5
1998-11-12
Directional characteristics horizontal plane
S
rel
=
f
(
)
Directional characteristics vertical plane
S
rel
=
f
(
)
OHF01402
90
80
70
60
50
40
30
20
10
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
100
0
0
0
PDF 
ZIP