Semiconductor Group
1
1998-11-12
GaAs-IR-Lumineszenzdioden (950 nm)
GaAs Infrared Emitters (950 nm)
SFH 4510
SFH 4515
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
GEO06968
3.9
4.5
Cathode/
7.1
7.7
2.54 mm
spacing
13.1
14.7
5.5
7.5
1.95
2.05
R
(3.2)
5.4
6.0
(3.2)
2.7
2.4
4.4
4.8
(R 2.8)
-0.1...0.1
3.7
3.3
2.7
2.3
4.5
3.9
Chip position
Collector
GEO06969
3.9
4.5
7.1
7.7
2.54 mm
spacing
14.7
15.5
7.4
8.0
(3.2)
5.4
6.0
(3.2)
2.7
2.4
4.4
4.8
(R 2.8)
R
2.05
1.95
Cathode/
4.5
3.9
Chip position
-0.15...0.15
Collector
SFH 4510
SFH 4515
Semiconductor Group
2
1998-11-12
SFH 4510
SFH 4515
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
SFH 4510
Q62702-P1798
5-mm-LED-Gehuse (T 1
3
/
4
), schwarzes Epoxy-
Gieharz, Anschlsse (SFH 4510 gebogen, SFH 4515
gerade) im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
''),Kathodenkenn-
zeichnung: siehe Mazeichnung.
5 mm LED package (T 1
3
/
4
), black-colored epoxy res-
in, solder tabs (SFH 4510 bent, SFH 4515 straight)
lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
''), cathode marking: see
package outline.
SFH 4515
Q62702-P1821
Wesentliche Merkmale
q
Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
q
Fr Oberflchenmontage geeignet
q
Gegurtet lieferbar
q
Gehusegleich mit Fotodiode SFH 2500/
SFH 2505 und Fototransistor SFH 3500/
SFH 3505
q
Hohe Zuverlssigkeit
q
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfnger
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgerten, Videorecordern,
Lichtdimmern
q
Gertefernsteuerungen fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
q
Fabricated in a liquid phase epitaxy process
q
Suitable for surface mounting (SMT)
q
Available on tape and reel
q
Same package as photodiode SFH 2500/
SFH 2505 and phototransistor SFH 3500/
SFH 3505
q
High reliability
q
Spectral match with silicon photodetectors
Applications
q
IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
q
Remote control for steady and varying
intensity
SFH 4510
SFH 4515
Semiconductor Group
3
1998-11-12
Grenzwerte (
T
A
= 25
C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40 ... + 85
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
85
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Durchlastrom
Forward current
I
F
(DC)
100
mA
Stostrom,
t
p
= 10
s,
D
= 0
Surge current
I
FSM
3
A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
150
mW
Wrmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
bei Montage auf FR4 Platine, Padgre je
20 mm
2
Thermal resistance junction - ambient
mounted on PC-board (FR4), padsize 20 mm
2
each
R
thJA
300
K/W
Semiconductor Group
4
1998-11-12
SFH 4510
SFH 4515
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA
peak
950
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 100 mA
55
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
14
Grad
deg.
Aktive Chipflche
Active chip area
A
0.09
mm
2
Abmessungen der aktive Chipflche
Dimension of the active chip area
L
B
L
W
0.3
0.3
mm
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
0.5
s
Kapazitt
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
o
25
pF
Durchlaspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
V
F
V
F
1.30
(
1.5)
2.30
(
2.8)
V
V
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
I
R
0.01
(
1
)
A
Gesamtstrahlungsflu
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
e
22
mW
SFH 4510
SFH 4515
Semiconductor Group
5
1998-11-12
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
e
,
I
F
= 100 mA
TC
I
0.5
%/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
TC
V
2
mV/K
Temperaturkoeffizient von
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
,
I
F
= 100 mA
TC
0.3
nm/K
Strahlstrke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.001 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
= 0.001 sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
e typ
I
e min
50
25
mW/sr
mW/sr
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
I
e typ
450
mW/sr
Kennwerte (
T
A
= 25
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Semiconductor Group
6
1998-11-12
SFH 4510
SFH 4515
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(
)
Forward current
I
F
=
f
(
V
F
), single pulse,
t
p
= 20
s
OHRD1938
rel
0
880
920
960
1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
10
OHR01554
F
V
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0
1
2
3
4
5
6
V
8
A
F
Radiant intensity
Single pulse,
t
p
= 20
s
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
),
T
A
= 25
C,
duty cycle
D
= parameter
I
e
I
e
100 mA
=
f
(
I
F
)
OHR01551
10
-3
F
-2
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
e 100 mA
e
-2
10
-1
10
0
10
1
10
A
A
t
OHR00860
p
-5
10
10
2
F
10
3
10
4
5
DC
0.2
0.5
0.1
0.005
0.01
0.02
0.05
t
p
T
F
t
p
T
D
=
5
mA
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
s
D
=
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
OHF00387
0
F
0
T
A
20
40
60
80
100
120
20
40
60
80
100
120
mA
C
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(
)
OHF00265
0
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
100
90
80
70
60
50
0
10
20
30
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
PDF 
ZIP